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文檔簡介
第四章金屬-氧化物-半導(dǎo)所謂“MOS”指的僅是金屬-二氧化這一章里始終討論MOS系統(tǒng)。Metal–Oxide–SemiconductorField-EffectMOSFET的 施加小的正偏柵壓后的MOSp型襯底MOS電容器的能 afpVtln a d d
1/ 如果柵壓大于這個閾值,導(dǎo)帶會輕微地向能級彎曲,荷寬度的改變卻是微弱的 4
0N型半導(dǎo)體襯底,襯 勢 VlnNd4 1/
n n fn
其中 襯 勢=0.347V,N=1016cm-化硅0.9V,Φm’修正的金屬功函數(shù)-從金屬向氧化物導(dǎo)帶注入一個電子需要的能量即金屬-二氧化硅界面勢壘高度;’修正的電子親和能 零柵壓時穿過氧化I
Φm’修正的金屬功函數(shù)-從金屬向氧化物導(dǎo)帶注入一個電子需把金屬一側(cè)的能級與半導(dǎo)體一側(cè)的能級相加,可以
e
2
('
OX s E
('
g)] n+多晶硅
'Eg('
)]Eg e fp
['(' )] fp
('
并且在Si-SiO2界面處反應(yīng)生成SiO2,硅原子也Q’氧化層中的單位面積凈固定電荷,位于氧化層-零柵壓時 VOX0s0GVGVOXs
0;VO
Q VOQC
Q QC 當(dāng)平帶時,表面勢為零?S=0,平帶電壓VG
VFBVOX
msms
壓,以VTn溝器件此時?S=2?fpQmT’VGVOXSVTNVOXT2fp
'Qss'
QsD
eN QmT'
1
'
1Q '
' C C
QSDQSD
VS電壓VG降落在半導(dǎo)體表面的部分VFB:平 對于n型襯 1 ' ' CC
QQSD
柵電極柵柵電極柵P型半導(dǎo)強反型時的電荷分QnQB:半導(dǎo)體表面耗盡層中空間電荷QQGQOXQnQB閾值電壓(補理想狀態(tài)MOSFET的閾值電1理想狀2.溝道形成時的臨界狀4.出現(xiàn)強反型后 1 20VS
40
lnNAd
q2 1 i1QB
qNAxdmax20qNAVS4.1.5閾值電壓(補
QG
單位
層QGQnQBQOX 剛達到強反型時Q
n
理想下不4.1.5閾值電壓(補柵電極柵柵電極柵氧化層P型半QB空間電荷區(qū)寬(強反型時可視為Q空間電荷區(qū)寬(強反型時可視為12V
4 NxB s
A q2
1QB2s0qNAVS4.1.5閾值電壓(補柵電極柵氧柵電極柵氧化層P型半QBVV BC2 qN 12CCOXt單位柵電柵氧厚4.1.5閾值電壓(補VGVox 2F
2kTlnNA iT QBT
2F
2qNA2F11
4.1.5閾值電壓(補實際MOS結(jié)構(gòu)的特
0,Vms
4.1.5閾值電壓(補VGVFBVox
QoxQB
FF
QoxqNAxdmax2kTlnNA V
QoxqNDxd
2kTlnND
4.1.5閾值電壓(補
20
1Ad 1A4.1.5閾值電壓(補114.1.5閾值電壓(補1 1Ad A1 1VTn
Qox12qNVV(y)|
1 1
4.1.5 1Q ' '2CC
QSDQSDC
柵電容4.1.5影響閾值電壓的 0 |VT
C
t1 1Q ' '2C C
1Q
' '2
('
('
摻雜濃度影響,濃度升高一個數(shù)量級,?ms減小n+多晶硅
P+多晶硅
fp
1
' '2
1CQSDqNAxdmax20qNA2F1C1QSD20qNA2F1
1Q '
' C C
襯底雜質(zhì)在1014-1017范圍內(nèi),與襯 1Q ' '2
QSD QSD C-++P---柵氧化層界面處的反型層電子濃度(p型襯底)為閾值反型點的表面勢為φs>2φfp=0.695V。柵氧化層界面處 CC'(acc)CoxMOS電容電壓的微小變化導(dǎo)致反型數(shù)。得更負(fù)。由于它不是柵壓的函數(shù),因此C-V特性平移
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