顯存的前世今生(終極剖析高手階進(jìn)必知)

CPUDDR2DDR3過(guò)渡，而GPUGDDR2/3GDDR4、GDDR1/2/3/4/5DDR1/2/3假設(shè)您是一位求知欲很強(qiáng)的電腦愛(ài)好者，那么本文格外適合您，筆者特意搜集了大量官方技術(shù)文檔，為大家獻(xiàn)上內(nèi)存和顯存鮮為人知的奇特??CPU〔中心處理器〕和GPU〔圖形處理器〕的進(jìn)展速度之快讓人目不暇接，產(chǎn)品的運(yùn)算力量成CPU/GPU都是來(lái)自于CPU/GPUCPUIntelCPU50%；ATINVIDIA512Bit是何緣由導(dǎo)致業(yè)界三大巨頭如此大費(fèi)周折呢？這是由于內(nèi)存技術(shù)的進(jìn)展速度，其實(shí)并不如大家想象中的那么快，受到很多技術(shù)難題和傳統(tǒng)因素的制約，本文就對(duì)內(nèi)存和顯存的進(jìn)展歷程及相關(guān)技術(shù)進(jìn)展具體分析。內(nèi)存的存取原理及難以逾越的頻障：在半導(dǎo)體科技極為興旺的臺(tái)灣省，內(nèi)存和顯存被統(tǒng)稱為記憶體〔Memory〕，全名是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體〔DynamicRandomAccessMemory，DRAM〕01，這就是一個(gè)二進(jìn)制位元〔bit〕，內(nèi)存的最小單位。DRAMDRAM的構(gòu)造可謂是簡(jiǎn)潔高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管加一個(gè)電容。但是電容不行避開(kāi)的存在漏上限，即便有先進(jìn)工藝的支持也收效甚微?！吧瞎拧睍r(shí)代的FP/EDO25MHz/50MHzSDR一路飆升至133MHz，最終遇到了難以逾越的障礙。此后所誕生的DDR1/2/3系列，它們存儲(chǔ)單元官方頻率〔JEDEC制定始終在100MHz-200MHz〔超頻頻率也頂多在250MHz300MHz。事實(shí)上高頻內(nèi)存的出錯(cuò)率很高、穩(wěn)定性也得不到保證，除了超頻跑簡(jiǎn)潔測(cè)試外并無(wú)實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。既然存儲(chǔ)單元的頻率〔簡(jiǎn)稱內(nèi)核頻率，也就是電容的刷頻率〕不能無(wú)限提升，那么就只有在I/O〔輸、GDDR1/2/3/4/5DDR1/2/3效頻率，這些DDR1/2/3內(nèi)存相當(dāng)于老牌SDR內(nèi)存運(yùn)行在400MHz、800MHz、1600MHz時(shí)的帶寬，因此頻率看200MHz內(nèi)存有三種不同的頻率指標(biāo)，它們分別是核心頻率、時(shí)鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell(MemoryCellArray，即內(nèi)部電容)的刷頻率，它是內(nèi)存的真實(shí)運(yùn)行頻率；I/OBuffer〔輸入/輸出緩沖〕的傳輸頻率；而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率就是指數(shù)據(jù)傳送的頻率〔即等效頻率〕。SDRDDR1/2/3常見(jiàn)DDR內(nèi)存頻率比照表通過(guò)上表就能格外直觀的看出，近年來(lái)內(nèi)存的頻率雖然在成倍增長(zhǎng)，可實(shí)際上真正存儲(chǔ)單元的頻率始終133MHz-200MHz而每一代DDR的推出，都能夠以較低的存儲(chǔ)單元頻率，實(shí)現(xiàn)更大的帶寬，并且為將來(lái)頻率和帶寬的提升留下了肯定的空間。SDRDDR1/2/3雖然存儲(chǔ)單元的頻率始終都沒(méi)變，但內(nèi)存顆粒的I/O頻率卻始終在增長(zhǎng)，再加上DDR是雙倍數(shù)據(jù)傳輸，8IO2/4/8bit數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)〔Prefetch〕，I/ODDR1/2/3數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)原理：預(yù)取，顧名思義就是預(yù)先/提前存取數(shù)據(jù)，也就是說(shuō)在I/O掌握器發(fā)出懇求之前，存儲(chǔ)單元已經(jīng)事先預(yù)備Raid/多通道技術(shù)，可以說(shuō)是以電容矩陣為單位的。內(nèi)存數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)示意圖：并行轉(zhuǎn)串行這種存儲(chǔ)陣列內(nèi)部的實(shí)際位寬較大，但是數(shù)據(jù)輸出位寬卻比較小的設(shè)計(jì)，就是所謂的數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，它可以讓內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率倍增。試想假設(shè)我們把一條細(xì)水管安裝在粗水管之上，那么水流的噴射速度就會(huì)翻幾倍。明白了數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)的原理之后，再來(lái)看看DDR1/2/3開(kāi)朗了：SDRAM〔SynchronousDRAM〕：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDR存儲(chǔ)單元頻率、I/OPC133133MHz。SDR在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫(xiě)一次，只在時(shí)鐘上升期讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，當(dāng)同時(shí)需要讀取和寫(xiě)入時(shí)，就得等待其中一個(gè)動(dòng)作完成之后才能連續(xù)進(jìn)展下一個(gè)動(dòng)作。DDR〔DoubleDateRateSDRAM〕：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器雙倍是指在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)術(shù)實(shí)現(xiàn))，在存儲(chǔ)陣列頻率不變的狀況下，數(shù)據(jù)傳輸率到達(dá)了SDR的兩倍，此時(shí)就需要I/O從存儲(chǔ)陣列中預(yù)2bitI/ODQ列的頻率。？？？DDR2〔DDR2SDRAM〕：其次代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DDR2在DDR12bit擴(kuò)大至4bit，此時(shí)上下行同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)〔雙倍〕已經(jīng)滿足4bitI/O133-200MHzDDR2266-400MHz，而〔等效〕533-800MHz。DDR3〔DDR3SDRAM〕：第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DDR38bit，同理I/O133-200MHzDDR3533-800MHz，而〔等效〕數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá)1066-1600MHz。I/ODDR3I/O1GHzI/ODDR4〔GDDR4，兩者完全不是同一概念，后文會(huì)有具體解釋〕的話，將會(huì)受到很多未知因素的制約，必需等待更先進(jìn)的工藝或者解決方案的消滅才DDR及內(nèi)存條了，這都是些看得見(jiàn)摸得著的東西，但有些概念還是不簡(jiǎn)潔理解，這里一一進(jìn)展說(shuō)明：內(nèi)存位寬——SDR/DDR1/2/3單條內(nèi)存都是64bit內(nèi)存模組的設(shè)計(jì)取決于內(nèi)存掌握器〔集成在北橋或者CPU內(nèi)部〕，理論上位寬可以無(wú)限提升，但受制PCB內(nèi)存顆粒及芯片設(shè)計(jì)也必需作相應(yīng)的調(diào)整。可謂是牽一發(fā)而動(dòng)全身，所以多年來(lái)業(yè)界都是墨守成規(guī)，維持64bit的設(shè)計(jì)不變。相比之下，顯卡作為一個(gè)整體就沒(méi)有那么多的顧忌，只需重設(shè)計(jì)GPU內(nèi)部的顯存掌握器，然后PCB依據(jù)位寬要求布線，焊更多的顯存顆粒上去就行了，雖然本錢(qián)也很高但實(shí)現(xiàn)512bit并沒(méi)有太大難度。多通道內(nèi)存——雙通道/三通道既然實(shí)現(xiàn)高位寬內(nèi)存條太難，那么就退而求其次，讓兩條內(nèi)存并行傳輸數(shù)據(jù)，同樣可以讓位寬翻倍。CPU64bit同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)128bit。IntelNehalemCPU，192bit。CPU、主板、內(nèi)存方LynnfieldCPU又回歸了雙通道設(shè)計(jì)。事實(shí)上效勞器芯片組已經(jīng)能夠支持四通道內(nèi)存，對(duì)效勞器來(lái)說(shuō)本錢(qián)方面不是問(wèn)題，只是對(duì)穩(wěn)定性和容錯(cuò)性要求很高。內(nèi)存顆粒位寬：4/8/16/32bit理論上，完全可以制造出一顆位寬為64bit的芯片來(lái)滿足一條內(nèi)存使用，但這種設(shè)計(jì)對(duì)技術(shù)要求很高，良品率很低導(dǎo)致本錢(qián)無(wú)法掌握，應(yīng)用范圍很窄。16bit，4/8bit。這樣為64bit416bit88bit164bit。而顯卡對(duì)位寬要求很高，容量反而退居其次，所以顯存顆粒的位寬普遍比內(nèi)存顆粒大〔這就是顯存和內(nèi)存主要區(qū)分之一〕，GDDR3/4/532bit，4128bit8256bitGDDR216bit8128bit內(nèi)存芯片的規(guī)律Bank在芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以bit為單位寫(xiě)入一張大的矩陣中，每個(gè)單元稱為CELL陣列，只要指定一個(gè)行一個(gè)列，就可以準(zhǔn)確地定位到某個(gè)CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的根本原理。這個(gè)陣列我們就稱為內(nèi)BANKBANK〔LogicalBANK〕。BankBankBankBank是一片平面的矩陣紙，而內(nèi)存顆粒是由多片這樣的紙疊起來(lái)的。BankBankBankBank片選。補(bǔ)充內(nèi)容：內(nèi)存內(nèi)存Bank的探討目前很多人對(duì)內(nèi)存Bank(電腦系統(tǒng)與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)總線的根本工作單位)都有一種誤會(huì)，認(rèn)為單面內(nèi)存就是單Bank，雙面內(nèi)存就是雙Bank的。其實(shí)這種觀念是Bank(Bank)數(shù)和內(nèi)存顆粒的面無(wú)關(guān)，它們之間有什么聯(lián)系呢？要講清這個(gè)問(wèn)題，就要提到內(nèi)存的規(guī)律Bank，下面就給大家介紹一下物理Bank和規(guī)律Bank的概念。在介紹之前，我們先簡(jiǎn)潔看一下現(xiàn)在市場(chǎng)上的DRAM內(nèi)存產(chǎn)品.現(xiàn)在市場(chǎng)上的內(nèi)存主要有：SDRAM、DDRSDRAM及Rambus。其中Rambus內(nèi)存的掌握器和前兩者不BankSDRAM和DDRSDRAMBank問(wèn)題，由于SDRAM就內(nèi)核、Bank構(gòu)造而言，和DDRSDRAM沒(méi)有什么規(guī)律Bank及其構(gòu)造內(nèi)存芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的根本單位是bit(位)尋址的根本單位則是Byte(字節(jié))，一個(gè)Byte就等于8bit。大家知道，在平面坐標(biāo)系中，要確定一個(gè)點(diǎn)就要先找到它的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)。而在內(nèi)存中數(shù)據(jù)的定位也很相像，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)構(gòu)造就是一個(gè)大的數(shù)據(jù)陣列，為了便于理解，我們把它假想成一個(gè)大的表格，前面我們提到1bit的數(shù)據(jù)，而是由多個(gè)bit組成一個(gè)組放在單元格內(nèi)，這里一個(gè)單元格我們可以稱作一個(gè)組，這個(gè)單元格的位數(shù)也就是內(nèi)存規(guī)律Bank的位寬。在進(jìn)展數(shù)據(jù)讀取時(shí)，先進(jìn)展行的選定，再進(jìn)展列的選定，最終再?gòu)倪@個(gè)單元格中讀取出所需要的數(shù)據(jù)。而這由許很多多的單元格組成的大表我們就可以理解成規(guī)律Bank，固然由于制造工藝及數(shù)據(jù)尋址的緣由，不行能讓這個(gè)表格無(wú)限大，一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來(lái)制造，即多規(guī)律BankBank16Mbit之類的芯BankBank一般為4個(gè)(不包括Rambus)，這點(diǎn)大家可通過(guò)內(nèi)存條的編碼進(jìn)展識(shí)別。內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)時(shí)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)規(guī)律內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)規(guī)律Bank進(jìn)展操作(實(shí)際上內(nèi)存芯片的位寬就是規(guī)律Bank的位寬)，而不能Bank的理解，我們來(lái)看看一個(gè)單Bank4個(gè)內(nèi)存陣列。從圖中可以很清楚地看到這個(gè)芯片是一個(gè)Bank數(shù)為44096和4bitBank4096×2048×4bit=32Mb。再乘以Bank的數(shù)量，則芯片的容量就可以算出來(lái)了，這里很明顯是4個(gè)Bank，那么芯片的容量就是128MbBankBank由內(nèi)存陣列、傳感放大器、一個(gè)行解碼器、一個(gè)列解碼器組成。接下來(lái)我們簡(jiǎn)潔看看物理接下來(lái)我們簡(jiǎn)潔看看物理BankBank的含義就是指內(nèi)存和主板北橋芯片之間傳遞586CPU64bitCPU一次只能對(duì)一個(gè)物理Bank64bitBank(PhysicalBank)，在前面我們已經(jīng)講過(guò)了規(guī)律Bank，所以在這里我給大家講一下如何自己算出物理Bank，大家就會(huì)格外好理解了。由于CPU一次只能翻開(kāi)一個(gè)物理Bank，在單芯片上也只能翻開(kāi)一個(gè)規(guī)律Bank，這樣我們就知道規(guī)律Bank的位寬也就是單芯片的位寬了，我們把芯片的數(shù)據(jù)寬度和芯片的數(shù)量相乘再除以64就得到了內(nèi)存條的物理BankBank數(shù)=數(shù)據(jù)寬度×芯片數(shù)量/64現(xiàn)在大家初步明白了內(nèi)存的物理Bank和內(nèi)存的面數(shù)無(wú)關(guān)了吧？后面我還會(huì)舉SDRAMDDRBankBank之后。RambusBankRambusBankPC800Rambus為例。Rambus不再承受SDRAMDDR內(nèi)存的并聯(lián)技術(shù)，而是承受了更先進(jìn)的串聯(lián)技術(shù)。就現(xiàn)階段而言，PC800Rambus400MHz16位總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以在上升沿和下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，實(shí)際操作頻率為400MHz×2=800MHz16bit×2×400MHz/8=1.6GB/s850主板芯片的雙通道模式，可以到達(dá)3.2GB/s的數(shù)據(jù)帶寬。這也是大家熟知的高帶寬，而它最重要的優(yōu)勢(shì)在于其規(guī)律Bank上，就現(xiàn)階段的主流Rambus來(lái)說(shuō)，其規(guī)律Bank32個(gè)，擁有更多的Bank數(shù)則意味著具有較少的Bank沖突，尋址流更加短暫隨便。另外還可以提高尋址命中率和降低埋伏周期。固然，更多的Bank也使Rambus的制作模具制造更簡(jiǎn)單，也就RAMBUS4iDRDRAM──在每個(gè)顆粒芯片上只有4Bank。BANK在芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位〔bit〕為單位寫(xiě)入一張大的矩陣中，每個(gè)單元我們稱為CELL，只要指定一個(gè)行〔Row〕，再指定一個(gè)列〔Column〕，在芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位〔bit〕為單位寫(xiě)入一張大的矩陣中，每個(gè)單元我們稱為CELL，只要指定一個(gè)行〔Row〕，再指定一個(gè)列〔Column〕，CELL，這就是內(nèi)存BANK，BANK〔LogicalBANK〕。由于工藝上的緣由，這個(gè)陣列不行能做得太大，所以一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來(lái)制造，也就是說(shuō)存在BANKBANK32MB1GB416Mbit32Mbit2BANK16MBK4S161622D〔512Kx16Bitx2BAN〕K4S160822DT〔1Mx8Bitx2BANK〕。芯片組本身設(shè)計(jì)時(shí)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)規(guī)律BANK〔實(shí)際上芯片的位寬就是邏輯BANK的位寬〕，而不是芯片組對(duì)內(nèi)存芯片內(nèi)全部規(guī)律BANK同時(shí)操作。規(guī)律BANK的地址線是通用的，只〔BANK0BANK3〕。但是這個(gè)芯片的位寬打算了一次能從它那里讀出多少數(shù)據(jù)，并不是內(nèi)存芯片里全部單元的數(shù)據(jù)一次全部能夠讀出BANK8M〔CELL〕，一些廠商〔比方現(xiàn)代/三星〕BANKBANK64Mbit〔8M×8bit〕，4BANK256Mbit，256Mbit〔32MB〕。bit32Mbit32Mb〔b=bit=位字節(jié)=8BANK，每個(gè)bankBANK〔CELL64MB128MB64Mbit的芯片就有如下三種構(gòu)造形式：①16Meg①16Megx4(4Megx4x4banks)[16M╳4]②8Meg②8Megx8(2Megx8x4banks)[8M╳8]③4Meg③4Megx16(1Megx16x4banks)[4M╳16]BANK〔芯片的位寬。芯片規(guī)律BANK位寬目前的工藝水平只能最多做到16BANK位寬只可4/8/1616MbitBANK，64Mbit4BANK二．內(nèi)存條的物理二．內(nèi)存條的物理BANK通常主板上的每個(gè)內(nèi)存插槽分為兩段通常主板上的每個(gè)內(nèi)存插槽分為兩段VIABIOSBANK0/1DRAMBANKBANK時(shí)提到的BANK可不一樣。簡(jiǎn)潔地說(shuō)這個(gè)BANK就是內(nèi)存和主板上的北橋芯片之間用來(lái)交換數(shù)據(jù)的通道，SDRAMCPU〔CPUDIMM〕64bit，CPU64bit64bitBANK，很多廠BANK〕，目前絕大多數(shù)的芯片組都只能支持一根內(nèi)存包含兩個(gè)DIMM。實(shí)際上物理BANK與面數(shù)是無(wú)關(guān)的，PCB電路可以設(shè)計(jì)成雙面和單面，也可把全部芯片〔16顆〕放在一面上〔至少?gòu)睦碚撋鲜峭耆赡堋Ｓ行﹥?nèi)存條單面就是一個(gè)物理BANK，但有些雙面才是一個(gè)物理BANK，能一概而論。256MB16BANK。要準(zhǔn)確知道內(nèi)存條實(shí)際物理BANK數(shù)量，我們只要將單個(gè)芯片的規(guī)律BANK數(shù)量和位寬以及內(nèi)存條上芯片個(gè)數(shù)搞清楚。各個(gè)芯片位寬之和為64就是單物理BANK，假設(shè)是128就是雙物理BANK。CPU一次只能對(duì)一個(gè)物BANK〔BANK64bit〕，線供給或接收64bit的數(shù)據(jù)，而這些數(shù)據(jù)都是分別存儲(chǔ)在內(nèi)存條的芯片中。那么內(nèi)存條中有多個(gè)內(nèi)存芯片，這64256Mbit為例，16所以現(xiàn)在的芯片組設(shè)計(jì)時(shí)都是要求內(nèi)存條上每個(gè)芯片均擔(dān)當(dāng)供給數(shù)據(jù)的任務(wù)，也就是說(shuō)內(nèi)存條上的每個(gè)芯片都要要對(duì)這64位數(shù)據(jù)做奉獻(xiàn)，而那顆內(nèi)存芯片的位寬是8位，因此用這個(gè)芯片組成內(nèi)存條只需要864位數(shù)據(jù)16864MB256MB由于位寬不夠是不能正常工作。要能工作就必需承受16位位寬的64MB〔512Mbit〕芯片。58658664bit64bit，SDRAM64bit64bit128646464就不能讀取，通常很多廠家就分別將這兩局部放在內(nèi)存的兩面上。這就造成了很多人的錯(cuò)覺(jué)：雙面是兩個(gè)BANKBANK256MB16于芯片大小的限制，不行能將16顆芯片都放在一面上，所以只能設(shè)計(jì)成雙面。對(duì)于64Mbit芯片(4M*16)16bit，8=16＊8=128bit〔BANK〕，4=16＊4=64bit〔即一個(gè)BANK〕BANK64〔即位寬消滅了充?！?，由于芯片64BANK。今后隨著一代數(shù)據(jù)總線位寬的提高，或許CPU64128BANK，而是指內(nèi)存芯片內(nèi)部規(guī)律BANK的穿插，假設(shè)芯片有4個(gè)BANK，那么就可以進(jìn)展4路穿插，假設(shè)只有兩個(gè)BANK就只能是二路穿插。很多資料介紹的以內(nèi)存條的單面或雙面來(lái)打算穿插是錯(cuò)誤的，實(shí)際上就是混BANKBANK..BankBank說(shuō)成是內(nèi)存顆粒陣列的話，那全一樣，所以我將分開(kāi)來(lái)簡(jiǎn)潔介紹一下。SDRAM〔1陣列就如同表格一樣，將數(shù)據(jù)“填”進(jìn)去。因此規(guī)律Bank我們可以看成是一張規(guī)律二維表，在此表中內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位〔bit〕CEL，只要指定一個(gè)行〔Row，再指定一個(gè)列ColumCELL，里面每個(gè)單元都可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且每個(gè)單元的存儲(chǔ)空間一樣——BankBank的位寬〔Bank的位寬4bit、8bit16bit等幾種。假設(shè)你認(rèn)為不好理解的話，那么你可以用硬盤(pán)操作中的簇與扇區(qū)的關(guān)系來(lái)理解內(nèi)存中的存儲(chǔ)形式——扇區(qū)是硬而一個(gè)簇則包含多個(gè)扇區(qū)Bank中的存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)的交換都是以一個(gè)簇為單位進(jìn)展。由于工藝上的緣由，這個(gè)陣列不行能做得太大，所以一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來(lái)制造，也就是說(shuō)內(nèi)存芯片中存在多個(gè)規(guī)律Bank，隨著芯片容量的不斷增加，規(guī)律Bank數(shù)量也在不斷增加。Bank芯片內(nèi)全部規(guī)律Bank同時(shí)操作。規(guī)律Bank的地址線是通用的，只要再有一個(gè)規(guī)律Bank編號(hào)加以區(qū)分就可以了〔Bank0Bank全部單元的數(shù)據(jù)能夠一次全部讀出。DDRBank的作用、原理與在SDRAM中是一樣的，區(qū)分主要是在規(guī)律Bank容量、規(guī)格之上。從上面大家已經(jīng)知道，SDRAMBankDDR中并不是這樣。DDR的規(guī)律存儲(chǔ)單元的容量是芯片位寬的一倍：即“芯片位寬×2=存儲(chǔ)單元容量”，同時(shí)DDR中的真正行、列地址數(shù)量也與同規(guī)格SDRAM不一樣了。這主要是由于DDR的工作原理所打算的。DDR這種內(nèi)部存儲(chǔ)單元容量的設(shè)計(jì)，就是常說(shuō)的兩位預(yù)取〔2-bitPrefetch〕，也稱為2-nPrefetch〔n代表芯片位寬〕。寬〕。注：目前品牌內(nèi)存大都在包裝和說(shuō)明書(shū)中標(biāo)明規(guī)律Bank注：目前品牌內(nèi)存大都在包裝和說(shuō)明書(shū)中標(biāo)明規(guī)律Bank，對(duì)于兼容條，你可以依據(jù)內(nèi)存顆粒上的編號(hào)標(biāo)志進(jìn)展計(jì)算。至于物理Bank，大家可以依據(jù)以上介紹的原理計(jì)算出來(lái)，在這里我就不多說(shuō)了。另外我們常說(shuō)Bank4Bank2路穿插。很多資料介紹的以內(nèi)存條的單面或雙面來(lái)打算穿插是錯(cuò)誤的，實(shí)際上就是混淆了物理BankBank的區(qū)分。Bank傳統(tǒng)內(nèi)存系統(tǒng)為了保證傳統(tǒng)內(nèi)存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作，必需一次傳輸完CPU在一個(gè)傳輸周期內(nèi)所需要的數(shù)據(jù)。而CPU在一個(gè)傳輸周期能接收的數(shù)據(jù)容量就是CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，單位是bit〔位〕CPU之間的數(shù)據(jù)交換通過(guò)主板上的北橋芯片進(jìn)展，內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)位寬等同于CPUBan〔PhysicalBankk的位寬。以目前主流的DDR系統(tǒng)為例，CPU與內(nèi)存之間的接口位寬是64bit，也就意味著CPU在64bit64bit的數(shù)據(jù)集合就是一個(gè)內(nèi)存條Bank。目前絕大多數(shù)的芯片組都只能支持一條內(nèi)存包含兩個(gè)物理Bank。不過(guò)以Bank是由面數(shù)打算的：即單面內(nèi)存條則包含一個(gè)物理Bank，雙面內(nèi)存則包含兩個(gè)。其實(shí)這個(gè)看法是錯(cuò)誤的!Bank是由所承受的內(nèi)存顆粒的位寬打算的，各個(gè)芯片位寬之和為64bit就是單物理Bank128bit就是雙物理Bank。讀到這里，大家也應(yīng)當(dāng)知道，我量來(lái)增加BankBankBank已經(jīng)不能滿足容量的需要。所以，目前一代芯片組可以支持Bank4Bank。對(duì)于像Inteli845D這種支持4個(gè)BankBank選購(gòu)雙Bank的內(nèi)存，這意味著在Inteli845D芯片組上我們最多只能使用兩條這樣的內(nèi)存來(lái)選購(gòu)內(nèi)存，假設(shè)主板只供給了兩個(gè)內(nèi)存插槽，那就不必為內(nèi)存是單Bank還是雙Bank而4個(gè)內(nèi)存插槽〔同一種規(guī)格〕，那么應(yīng)當(dāng)盡量購(gòu)置單Bank或大容量雙Bank的內(nèi)存，以免給日后升級(jí)留下不必要的麻煩。注：注：SDRAMDDRBankRDRAMBank被通道〔Channel〕取代。內(nèi)存條的物理Bank內(nèi)存掌握器的位寬必需與內(nèi)存條的位寬相等，這樣才能在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸全部數(shù)據(jù)，這個(gè)位寬就Bank〔64bit〕，Bank，Bank。Bank理Bank也是允許的，但內(nèi)存掌握器所能允許的最大Bank數(shù)存在上限，常見(jiàn)的是雙物理Bank設(shè)計(jì)，只有特別Bank事實(shí)上顯卡上也存在雙物理Bank設(shè)計(jì)，目的就是為了實(shí)現(xiàn)超大顯存容量，比方1GB的9800GT，正反兩1616M×32bitGDDR3512bit，256bit，這樣就是雙Bank。GPUSDRAMTNT2PC166SDR內(nèi)存滿足不了顯卡的需求，顯存應(yīng)運(yùn)而生SDRDDRDDR的DDRGPU，顯存顆粒與內(nèi)存顆粒開(kāi)頭分道揚(yáng)鑣，這其中包括了幾方面的因素：GPUCPUGPUCPUGPU遠(yuǎn)比CPU頻繁，而且大多都是突發(fā)性的數(shù)據(jù)流，因此GPU比CPU更加渴望得到更高的顯存帶寬支持。位寬×頻率=帶寬，因此提高帶寬的方法就是增加位寬和提高頻率，但GPU對(duì)于位寬和頻率的需求還有其它的因素。顯卡需要高位寬的顯存。顯卡PCB空間是有限的，在有限的空間內(nèi)如何合理的安排顯存顆粒，無(wú)論高中低端顯卡都面臨這個(gè)問(wèn)題。從布線、本錢(qián)、性能等多種角度來(lái)看，顯存都需要到達(dá)更高的位寬。16bit32bit，將來(lái)甚至還會(huì)有更高的規(guī)格消滅。而內(nèi)存則沒(méi)64bit，所以單顆內(nèi)存顆粒沒(méi)必要設(shè)計(jì)成高位寬，只要提高容量就行了，所以〔內(nèi)存芯片顆粒的〕4/8bit。GPU一般都經(jīng)過(guò)特地的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，而不像內(nèi)存那樣有太多顧忌。GPUCPUPCB進(jìn)展優(yōu)化，因此顯存一般都能到達(dá)更高的頻率。PCBCPU限制很難沖擊高頻率由此算來(lái)，顯存與內(nèi)存“分家”既是意料之外，又是情理之中的事情了。為了更好地滿足顯卡GPU的RateDRAM”，GDDR。GDDR——顯存和內(nèi)存正式分家GDDR作為第一代專用的顯存芯片，其實(shí)在技術(shù)方面與DDR沒(méi)有任何區(qū)分，同樣承受了2bit預(yù)取技術(shù)，GDDRDDR高多少。不過(guò)后期改進(jìn)工藝的GDDRPCBGDDR900MHz，DDR600MHz，顯存和內(nèi)存的差距從今漸漸拉開(kāi)。TSOPGDDR16bit：128M×16Bit4.0nsTSOPIIGDDR，16MB，500MHz9550、FX5700128Bit8128BitDDR“GDDR”與“DDR”是可以“劃等號(hào)”的。其實(shí)兩者還是有些差異：GDDR4K32msDDR8K64msGDDR為了追求頻率在延遲方面放的更寬一些，到底GPU對(duì)延遲不太敏感；GDDR128Mbit×16Bit(16MB)的規(guī)格，而DDR16Bit8Bit4Bit，32MB64MB。為了實(shí)現(xiàn)更大的位寬，并進(jìn)一步提升GDDR的性能，后期很多廠商改用了電氣性能更好的MBGA封裝，MBGAMBGAGDDR32bit：128Mbit×32Bit2.2nsMBGAGDDR，16MB，900MHz8128MB256BitGDDR132Bit，GDDRDDR32BitGDDR2/3/4/5MBGATSOPGDDR32Bit16BitGDDR2第一版：短命的早產(chǎn)兒高壓高發(fā)熱GDDR2源于DDR2技術(shù)，也就是承受了4Bit預(yù)取，相比DDR1代可以將頻率翻倍。雖然技術(shù)原理一樣，但GDDR2DDR2DDR2915P2022GDDR2FX5800Ultra2022NVIDIANV30128Bit為了提高帶寬必需使用高頻顯存，700MHzGDDR2GDDR2DDR/GDDR2.5V1GHz，但功耗發(fā)熱格外的大。MBGA144BallGDDR2，16MB，1000MHzGDDR22.2ns2.0nsGDDR2第一版只在FX5800/Ultra和FX5600Ultra這三款顯卡上消滅過(guò)〔也包括對(duì)應(yīng)的專業(yè)卡及個(gè)別非公版顯卡〕，ATI9800ProGDDR2。高電壓、高發(fā)熱、高功耗、高本錢(qián)給人的印象格外差。FX5900GDDR256Bit，GDDR2FX5800UltraGDDR2NVIDIAGeForceFX256Bit850-900MHzGDDR2)，F(xiàn)X5950Ultra9800XTGDDR2GDDR2PCBGDDR更加簡(jiǎn)潔，這個(gè)特性被后來(lái)的gDDR2和GDDR3繼承。gDDR2其次版：統(tǒng)一低端顯卡永久的配角由于第一代GDDR2的失敗，高端顯卡的顯存是直接從GDDR跳至GDDR3的，但GDDR2并未消亡，而是開(kāi)頭DRAMGDDR2〔DDR2〕，由此gDDR2，時(shí)至今日照舊活潑在低端顯卡之上。gDDR22.5V1.8V，功耗發(fā)熱大降；制造工藝有所進(jìn)步，功耗發(fā)熱進(jìn)一步下降，本錢(qián)降低，同時(shí)良率和容量有所提升；32Bit16Bit，只適合低端顯卡使用；144BallMBGA84BallFBGA，外觀上來(lái)看從正方形變成長(zhǎng)方形或者長(zhǎng)條形； gDDR2gDDR21.8V1000MHz1200MHz，趕超了GDDR2的記錄。承受gDDR2顯存的經(jīng)典顯卡有：7300GT、7600GS、X1600Pro、8500GT??一大堆低端顯卡。留意三星官方網(wǎng)站對(duì)于顯存的分類信任很多朋友也留意到了，本頁(yè)gDDR2的第一個(gè)字母為小寫(xiě)，幾大DRAM廠商在其官方網(wǎng)站和PDF中就都是這么寫(xiě)的，以示區(qū)分。我們可以這么認(rèn)為：G32bit；而小寫(xiě)g表示為顯卡優(yōu)化，16bit事實(shí)上，GDDR3gDDR3GDDRDDR，GDDR2DDR2，而GDDR3DDR3于是很多人認(rèn)為GDDR3就是顯存版的DDR3，這可是個(gè)天大的誤區(qū)。GDDR3：GDDR3DDR2無(wú)論GDDR還是GDDR2，由于在技術(shù)方面與DDR/DDR2并無(wú)太大差異，因此最終在頻率方面GDDR并不比DDRGDDR2NVIDIA和ATI對(duì)JEDECGPUNVIDIA和ATIJEDEC雙方全都認(rèn)為，顯存與內(nèi)存在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用方面完全不同，在內(nèi)存核心頻率(電容刷頻率)無(wú)法提升的狀況下，單純提高I/O頻率來(lái)獲得高帶寬很不現(xiàn)實(shí)。因此，必需要有一種針對(duì)高速點(diǎn)對(duì)點(diǎn)環(huán)境而重I/OGDDR3，這是GPUGDDR3GDDR2/DDR24BitGDDR3GDDR2并提升傳輸效率來(lái)緩解高延遲的負(fù)面影響。點(diǎn)對(duì)點(diǎn)DQS，讀寫(xiě)無(wú)需等待〔DQS〕GDDR3DQS，而且是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)設(shè)計(jì)。這樣做的好處在于，在讀取之后假設(shè)馬上進(jìn)展寫(xiě)入時(shí)，不必再等DQS的方向轉(zhuǎn)變，由此實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作的快速切換。寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，GDDR3GDDR2Bank，并不存在“全雙工”一說(shuō)，但GDDR3的這項(xiàng)改進(jìn)讓挨次讀寫(xiě)成為可能。GPU本身緩存很小，與顯存之間的數(shù)據(jù)交換極其頻繁，讀寫(xiě)操作GDDR3DQSCPUGPU那么頻繁，而且CPU擁有大容量的二三級(jí)緩存，所以GDDR3這種設(shè)計(jì)并不能極大的提升內(nèi)存帶寬，也沒(méi)有引DDR3改進(jìn)I/O接口，簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)處理，掌握功耗GDDR2〔PushPull〕”接收器，而將其改為虛擬開(kāi)極規(guī)律方式〔PseudoOpenDrainLogic〕，并且通過(guò)將全部的三相數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)移到本位電路上，來(lái)簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)處理，將DCLOW從而很好的掌握了功耗和發(fā)熱。GDDR3的頻率能到達(dá)現(xiàn)在這么高，其實(shí)并沒(méi)有什么訣竅，憑借的就是不斷改進(jìn)的工藝制程，來(lái)暴力拉升頻GDDR320226600GT1GHz，并不比GDDR2，5GDDR31GHz2GHz2.5GHz，生命力得到了連續(xù)。明白了GDDR3的原理技術(shù)后，再來(lái)看看實(shí)物。GDDR3和GDDR1類似，也有兩種封裝形式：144BallMBGAGDDRGDDR2GDDR3144BallMBGAGDDRGDDR2GDDR3GPUGDDRPCB2.0ns256M×32BitGDDR3256M×32Bit8256MB256Bit4128MB128Bit5700UltraGDDR3GDDR2。最高頻率止步于1400MHz7800GTX/GT6800GS6600GTX850/X800/X700144BallPCBGDDR3136BallFBGA136BallFBGA2022GDDR3136BallFBGA，并統(tǒng)一使用無(wú)鉛封裝工藝。PCBGDDR30.8nsGDDR3512M×32Bit136BallGDDR3規(guī)格不再局限8M×32Bit16M×32Bit32M×32Bit2.0V1.8V，但一些高頻顆?？蛇m當(dāng)加壓；1.4ns1.2ns1.1ns1.0ns0.8ns0.7nsGPU當(dāng)GDDR3的頻率首次到達(dá)2022MHz時(shí)，很多人都認(rèn)為離極限不遠(yuǎn)了，于是未雨綢繆的抓緊制定GDDR4DRAMGDDR30.8ns0.7ns32M×32Bit當(dāng)前速度最快0.77nsGDDR3顯存顆粒，理論頻率可達(dá)2600MHz2.2nsGDDR900MHzI/O450MHz5GDDR3I/ODDR38bitGDDR4GDDR4是在GDDR3的根底上進(jìn)展而來(lái)的，它繼承了GDDR3的兩大技術(shù)特性，但內(nèi)核改用DDR3的8bit預(yù)取技術(shù)，并參加了一些的技術(shù)來(lái)提升頻率。GDDR4DDR38bit，以較低的核心頻率到達(dá)更高帶寬，但延遲增加；BusInversion，下文做具體介紹〕，提高數(shù)據(jù)精度，降低功耗；GDDR3GDDR3〔BurstLimitATIon〕，從連續(xù)地址讀取少量數(shù)據(jù)時(shí)的性能大幅提升；1.8V1.5V；75%，2400MHzGDDR42022MHzGDDR3136BallFBGA32Bit，GDDR3；GDDR4由于承受了8bit預(yù)取技術(shù)，因此在一樣頻率下GDDR4的核心頻率〔即電容刷頻率〕只有GDDR3的一半，理論上來(lái)講GDDR4GDDR38bit半，GDDR4GDDR3I/OGDDR4I/O率。由于制造工藝和技術(shù)水平的限制，雖然三星官方宣稱早已生產(chǎn)出3GHz以上的GDDR4，但實(shí)際出貨的GDDR3GDDR4GDDR3然功耗發(fā)熱低，但延遲大性能稍弱，再加上本錢(qián)高產(chǎn)量小，GDDR4導(dǎo)致GDDR4失敗的非技術(shù)方面緣由GDDR3NVIDIA和ATI參與JEDECGDDR4DDR24bitI/OATIDDR38bitATI獲勝〔ATIJEDEC〕，而NVIDIAGDDR4GDDR4ATINVIDIA支持的話，GDDR46DRAM最終只有三星一家生產(chǎn)了少量的GDDR4顯存，其他家都在觀望。固然其他DRAM廠商都沒(méi)閑著，它們把GDDR3GDDR3GDDR4AGDDR4只有ATI生產(chǎn)過(guò)搭載GDDR4X1950XTXHD2600XTHD3870包括對(duì)應(yīng)的專業(yè)卡)——與當(dāng)年NVIDIA使用GDDR2的顯卡數(shù)量相等。NVIDIA在患病滑鐵盧后堅(jiān)決放棄了GDDR2ATI對(duì)于GDDR4GDDR4的失敗并不是技術(shù)緣由，和當(dāng)年的GDDR2相比它要成熟很多，沒(méi)推起來(lái)的緣由主要是對(duì)手太強(qiáng)：ATI的對(duì)手NVIDIA很強(qiáng)大，另外GDDR4GDDR3即便使用了8bitGDDR4GDDR3拉開(kāi)頻率差距，I/OGDDR5GDDR5：恐懼的頻率是如何達(dá)成的GDDR4GDDR5DDR38bit，核心頻率明顯不是瓶頸I/OGDDR5I/ODQ。GDDR5DQGDDR5GDDR3/4136Ball170Ball，GPU器也需要重設(shè)計(jì)。GDDR5顯存擁有多達(dá)16個(gè)物理Bank，這些Bank被分為四組，雙DQ總線穿插掌握四組Bank，到達(dá)了實(shí)時(shí)讀寫(xiě)操作4GHz以往GDDR1/2/3/4和DDR1/2/3的數(shù)據(jù)總線都是DDR技術(shù)(通過(guò)差分時(shí)鐘在上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù))，X2，也就是通常我們所說(shuō)的等效頻率GDDR5條數(shù)據(jù)總線，相當(dāng)于Rambus的QDR技術(shù)，所以官方標(biāo)稱頻率X4才是數(shù)據(jù)傳輸率。比方HD4870官方顯存頻900MHz3600MHz。失敗乃成功之母，冒險(xiǎn)使用GDDR5RV770GTX200GDDR4ATIGDDR4GDDR5I/O技術(shù)方面的問(wèn)題不難解決，最難的是時(shí)間和進(jìn)度。ATI在R600上面冒險(xiǎn)使用512Bit顯存掌握器來(lái)提RV670256Bit，GDDR4GDDR3GDDR5GPURV770256Bit，急需高頻顯存的支持。NVIDIAGDDR3，GTX200核心使用了512BitR600NVIDIA從256Bit384Bit512Bit一步一個(gè)腳印走出來(lái)的穿插總線明顯更加成熟。256Bit512Bit，ATIGDDR5GDDR5ATI已經(jīng)在緊鑼密鼓的測(cè)試性能，并催促DRAM廠投產(chǎn)?？梢哉f(shuō)GDDR5和GDDR2/4一樣也是個(gè)早產(chǎn)兒，但失敗乃成功之母，有了完善的技術(shù)規(guī)格和制造工藝的支持，GDDR5GDDR5HD4870256Bit448BitGTX260NVIDIA通過(guò)降128BitHD4770256Bit9600GT9800GT。之前我們分析過(guò)，TSOPGDDR1gDDR2DDR1/2，高位寬(16bitDDR3DDR2，于DDR3DDR2gDDR2。gDDR3：把內(nèi)存顆粒改裝成顯存用gDDR2GDDR3gDDR2釘釘?shù)氖隆MDDDR3DRAMGraphicsDDR3SDRAMgDDR3，DDR3SDRAMDDR24bit32bit，定位中高端顯卡?？梢钥闯?，GDDR5GDDR3，gDDR3gDDR2，中端則會(huì)消滅三代共存的局面。雖然gDDR3單顆位寬只有GDDR3的一半，但存儲(chǔ)密度卻是GDDR3的兩倍，而且在一樣頻率2022MHz)，gDDR3GDDR3，因此功耗發(fā)熱要低很多。對(duì)于位寬不高的中低端顯卡來(lái)說(shuō)，gDDR3上圖就是現(xiàn)代官方網(wǎng)站列出的gDDR3和GDDR3兩種顯存的規(guī)格參數(shù)表，留意它們的全稱，是否有“G“，真的是差之毫厘謬以千里。gDDR316bitFBGA96BallDDR34/8bit，封裝是78/82Ball。也有少數(shù)DDR316bitFBGA96BallSDR+DDR1/2/3GDDR1/2/3/4/5顯存引領(lǐng)DRAM進(jìn)展，將來(lái)內(nèi)存將以顯存為藍(lán)本開(kāi)發(fā)縱觀近年來(lái)內(nèi)存與顯存的進(jìn)展，就會(huì)覺(jué)察顯存的進(jìn)展速度已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了內(nèi)存，顯存帶寬幾乎到達(dá)了內(nèi)存帶寬的10倍之多，而且這個(gè)差距還在不斷的加大。目前三通道DDR3已經(jīng)足夠桌面CPU用好一陣子了，而GPU/附屬GDDR2提前DDR2GDDR4提前DDR3一年多，雖然都以失敗而告終，GDDR5在內(nèi)存領(lǐng)域，如今DDR3才剛剛站穩(wěn)腳跟，至少將統(tǒng)治PC兩至三年，但DDR4的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)在樂(lè)觀制定當(dāng)GDDR5DDR38bitI/O中緣由信任認(rèn)真閱讀了本文的朋友們應(yīng)當(dāng)知道吧。【3C16840nmAMDDirectX11RadeonHD5000GDDR5GDDR5RadeonHD4770GDDR5顯存就成為了AMD端顯卡的標(biāo)配，如今，AMDRadeonHD5700/4700系列也開(kāi)頭承受GDDR5NVIDIAGeForceGT240GDDR5GDDR5GDDR3AIC/AIBGDDR5GDDR5EAH5870/2DIS/1GD5、華碩EAH5850/2DIS/1GD5、華碩EAH5770/2DIS/1GD5、華碩EAH5750/2DIS/1GD5、華碩EAH4750F1/DI/512MD5ENGT240/DI/512MD5GDDR5GDDR3上面這張圖清楚的反響了帶寬與顯存頻率位寬之間的關(guān)系！假設(shè)有一批貨物〔數(shù)據(jù)〕要從倉(cāng)庫(kù)〔顯存〕運(yùn)到工廠〔GPU〕處理，怎么樣才能更快的完成這件工作？我們有兩種方式：第一，在只有驢車(chē)運(yùn)輸?shù)臓顩r下，可行的方法拓寬工廠與倉(cāng)庫(kù)之間的車(chē)道數(shù)，這樣一次可以樣可以更快的完成任務(wù)。64Bit已經(jīng)進(jìn)展512Bit500MHz進(jìn)展到GDDR32600MHz〔GDDR5以前〕，但是增加顯存位寬這條路徑已經(jīng)消滅了瓶頸，512BitGPU的極限，且不管失敗的RadeonHD2900XT，即使是看起來(lái)風(fēng)光無(wú)限的GT200GT200系列無(wú)論功耗還是發(fā)熱量都NVIDIA已經(jīng)打算在GT300384BitAMDRadeonHD3870256Bit就只有將驢車(chē)換成法拉利跑車(chē)了！將驢車(chē)換成法拉利跑車(chē)需要幾步？答：三步！GDDR400MHz，900MHz，GDDR2GDDR2和電壓?jiǎn)栴}，并不成功。其次步是GDDR3顯存顆粒，這也是近幾年顯卡承受最普遍的顯存顆粒，在這期間GDDR22.5V1.8VGDDR31000MHz0.77ns2600MHz，此時(shí)可以視為將驢車(chē)換成了寶馬，速度提升了格外明顯，但是這看要和誰(shuí)比！由于和GDDR5相比，GDDR3能夠到達(dá)GDDR5GDDR5GDDR4是要說(shuō)的是，GDDR4確實(shí)也是格外優(yōu)秀的產(chǎn)品，不過(guò)其致命點(diǎn)是雖然頻率夠高，最高可達(dá)3000MHzGDDR3GDDR42400MHz2022MHzGDDR3耗等方面仍有優(yōu)勢(shì)，NVIDIAGDDR3沒(méi)有大面積普及。GDDR5AMDNVIDIA3600MHz4800MHz6000MHzGDDR5在這個(gè)話題之前我們要先明白顯存的的三個(gè)頻率：核心頻率、I/O頻率、等效頻率。核心頻率是內(nèi)部電容的刷頻率，它是內(nèi)存的真實(shí)運(yùn)行頻率；時(shí)鐘頻率即I/O〔輸入/輸出緩沖〕的傳輸頻率；而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率就是指數(shù)據(jù)傳送的頻率〔即等效頻率〕。其中顯存的核心頻率現(xiàn)在很少被人提起，I/O〔也就是官方標(biāo)稱的頻率〕及等效頻率，RadeonHD58704800MHz1200MHz，其中4800MHz1200MHzI/O150MHz150MHz先/提前存取數(shù)據(jù)，GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4/GDDR5分別承受了2Bit/4Bit/4Bit/8bit/8it數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，也就是說(shuō)I/O掌握器在發(fā)出懇求之前，它們會(huì)分別預(yù)備好2Bit/4Bit/4Bit/8bit/8it那么我們可以得出一個(gè)結(jié)論，那就是假設(shè)核心頻率同為200MHz的話，那么GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4/GDDR5的I/O頻率分別是400Mz/800MHz/800MHz/1600MHz/1600MHz800MHz/1600MHz/1600MHz/3200MHz/3200MHzI/OGDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4GDDR53200MHz，6400MHz。這又是為什么呢？顯存規(guī)格顯存類型核心頻率I/O頻率等效頻率由于GDDR/GDDR2/GDDR3/GDDR4的數(shù)據(jù)總線都是DDR沿各傳輸一次數(shù)據(jù))，I/OX2就是等效頻率，而GDDR5兩條并行的DQRambusQDRI/O顯存規(guī)格顯存類型核心頻率I/O頻率等效頻率GDDRGDDR2GDDR3GDDR4GDDR5200M200MH200MH200MH200MHHzzzzz400M800MH800MH1600M1600MHzzzHzHz800M1600M1600M3200M6400MHzHzHzHzHz顯存規(guī)格顯存類型顯存規(guī)格顯存類型GDDRGDDR GDDR2 GDDR4 GDDR5核心頻率I/O頻率等效頻率200M200M3200M200MH200MHHzHzHzzz200M400MH400M800MH400MHHzzHzzz400M800MH800M1600M3200MHzzHzHzHz使用內(nèi)存計(jì)算方法的結(jié)論？？？？GDDR54800MHz150MHzGDDR51.5VGDDR317%的電量，更低的電壓意味著更低的功耗和發(fā)熱量，對(duì)于顯卡工作的穩(wěn)定至關(guān)重要。有了GDDR5＝顯存位寬×顯存工作頻率/8128Bit的華碩EAH5770/2DIS/1GD5，通過(guò)4800MHz4800MHz×128bit/8=76.8GB/s256BitGeForceGTS2502200MHz×256Bit/8=70.4GB/sGeForceGT240GDDR3GDDR510%以上，足見(jiàn)GDDR5大的發(fā)揮空間！GDDR5等效頻率=物理頻率×8〔GDDR58bit預(yù)讀取〕×4〔雙總線上下延傳輸〕由于，標(biāo)稱頻率=物理頻率×8〔GDDR58bit預(yù)讀取〕GDDR5等效頻率也等于標(biāo)稱頻率×4。GDDR5顯存GDDR32600MHz，相比之下，目前GDDR55000MHz。不過(guò)這照舊不是終點(diǎn)，GDDR5最高數(shù)據(jù)6000MHzGDDR顯存一樣，GDDR5也是建立在多倍數(shù)據(jù)預(yù)GDDR12bit數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，GDDR2、GDDR3GDDR44bit數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，GDDR58bit數(shù)據(jù)取技術(shù)的產(chǎn)物，到達(dá)了令人驚異的高性能。優(yōu)秀的雙總線設(shè)計(jì)—高速傳輸無(wú)憂GDDR34bit預(yù)取數(shù)據(jù)而言，GDDR5的優(yōu)勢(shì)在于將預(yù)取數(shù)據(jù)增加到了8bit，因此GDDR5就能夠在同樣的物理時(shí)鐘頻率下到達(dá)更高的數(shù)據(jù)傳輸速度。不僅如此，GDDR5顯存承受了雙數(shù)據(jù)總線，能夠同時(shí)在數(shù)據(jù)總線的上升和下降階段傳輸數(shù)據(jù)。同時(shí)，每條總線都獨(dú)立配備了完整的DBI，可以獨(dú)立傳輸、校驗(yàn)數(shù)據(jù)，是完整的雙總線規(guī)格。以往單GDDR2、GDDR31/2〔比方標(biāo)稱頻率為900MHzGDDR31800MHz〕，GDDR5顯存由于雙總線技術(shù)的存在，每條總線都可以在上升和下降階段傳輸數(shù)據(jù)，因此標(biāo)稱頻率是等效工作頻率的1/4。4000MHzGDDR51000MHz。由于承受了8bit的預(yù)取技術(shù)125MHz。GDDR顯存幾種頻率的差異物理運(yùn)行頻率：是指GDDR實(shí)際測(cè)得。在通常的使用中，物理運(yùn)行頻率是極少被提及的。標(biāo)稱頻率：GDDR顯存的標(biāo)稱頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于物理運(yùn)行頻率。以GDDR3為例，它承受4bit預(yù)取，因此250MHzGDDR3顯存，1000MHzGPU-Z、Rivatuner等軟件的截圖中，看到的顯存頻率就是標(biāo)稱頻率。等效工作頻率：等效工作頻率是GDDR顯存衡量實(shí)際傳輸數(shù)據(jù)力量的頻率。一般GDDR2、GDDR3、GDDR42倍。而GDDR5承受了4倍。我們常?？吹綇S商和大局部媒體宣傳的顯存頻率實(shí)際就是等效工作頻率，這也是大家使用最廣泛、認(rèn)知度最高的GDDR顯存頻率。另外，等效工作頻率可以直接和顯存位寬相乘進(jìn)展計(jì)算。比方等效工作頻率為2000MHzGDDR3128bit2022MHz×128bit÷8=32GB/s。穩(wěn)定+節(jié)能，其實(shí)很簡(jiǎn)潔—Dataeyeoptimization數(shù)據(jù)核心優(yōu)化對(duì)于數(shù)據(jù)的優(yōu)化是存儲(chǔ)器最為重要的方面，GDDR5重點(diǎn)承受了四項(xiàng)技術(shù)來(lái)保證數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性和安全性。Data/addressbitinversio