標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測(cè)量方法》相比于其前版《GB/T 11068-1989 砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新：2006版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)近二十年來(lái)砷化鎵材料及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的發(fā)展，對(duì)電容-電壓（C-V）測(cè)量的理論基礎(chǔ)、測(cè)量設(shè)備要求、以及數(shù)據(jù)處理方法等方面進(jìn)行了修訂，以適應(yīng)更精確、更高效的測(cè)量需求。

  2. 測(cè)量精度提升：新標(biāo)準(zhǔn)可能引入了更嚴(yán)格的誤差控制標(biāo)準(zhǔn)和更先進(jìn)的校準(zhǔn)方法，旨在提高測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性，從而更好地滿足現(xiàn)代微電子和光電子器件對(duì)砷化鎵外延層高質(zhì)量的要求。

  3. 測(cè)試程序優(yōu)化：針對(duì)電容-電壓測(cè)量的具體操作步驟，2006版標(biāo)準(zhǔn)可能提供了更加詳細(xì)和規(guī)范的操作流程，包括樣品制備、測(cè)試環(huán)境控制、以及測(cè)試參數(shù)的選擇等，以確保測(cè)試過(guò)程的一致性和可靠性。

  4. 儀器設(shè)備要求：考慮到科技進(jìn)步，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)用于測(cè)量的電容-電壓測(cè)試儀、溫度控制系統(tǒng)等設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)提出新的或更高的要求，以符合現(xiàn)代測(cè)量技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。

  5. 適用范圍調(diào)整：雖然兩版標(biāo)準(zhǔn)均聚焦于砷化鎵外延層載流子濃度的測(cè)量，但2006版可能根據(jù)新材料、新結(jié)構(gòu)的應(yīng)用擴(kuò)展了標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍，或?qū)μ囟愋偷纳榛壨庋訉樱ㄈ绮煌瑩诫s類型、不同厚度或特定應(yīng)用領(lǐng)域的外延層）的測(cè)量給出了特別指導(dǎo)。

  6. 術(shù)語(yǔ)和定義更新：為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)接軌并反映行業(yè)最新進(jìn)展，2006版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂或增補(bǔ)，以增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的通用性和理解度。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)化引用文件：新版標(biāo)準(zhǔn)會(huì)更新引用的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)清單，確保所采用的方法和要求與當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)化體系保持一致，提升了標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)威性和兼容性。


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  • 2006-11-01 實(shí)施
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GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法_第1頁(yè)
GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11068-2006代替GB/T11068—1989砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法Galliumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentrationvoltage-capacitancemethod2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11068-2006本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T11068—1989《砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)在原標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上.參考DIN50439《電容-電壓法和汞探針測(cè)定半導(dǎo)體單品材料摻雜劑的濃度部面分布》編制的。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要變動(dòng)如下：-原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,在制作高阻襯底樣品的歐姆電極時(shí)，要在氮?dú)獗Ｗo(hù)及400℃下合金化5min,而經(jīng)驗(yàn)表明,在350℃～450℃的溫度下合金化.都可得到好的歐姆接觸電極·故將此項(xiàng)要求改為在350C～400℃及氮?dú)獗Ｗo(hù)下.合金化5min～10min；取消了原標(biāo)準(zhǔn)對(duì)環(huán)境的要求，因?yàn)樵谕ǔ５膶?shí)驗(yàn)室條件下.所用儀器和測(cè)試方法本身對(duì)環(huán)境溫度和濕度并不十分敏感.特別是成套儀器。但由于載流子濃度與溫度有關(guān).故應(yīng)在測(cè)量報(bào)告中標(biāo)明測(cè)量時(shí)的環(huán)境溫度；簡(jiǎn)化了原標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于電容儀校準(zhǔn)的文字表述本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T11068—1989.本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王彤涵。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：-GB/T11068-1989。

GB/T11068-2006砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鏢外延層載流子濃度電容-電壓測(cè)量方法.適用于砷化家外延層基體材料中載流子濃度的測(cè)量。測(cè)量范圍：1×10.cm-a～5×10！cm-a2術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)2擊穿電壓breakdownvoltage當(dāng)反向偏壓增加到某一值時(shí),肖特基結(jié)就失去阻擋作用,反向電流迅速增大時(shí)的電壓值22接觸面積Contactarca汞探針與試樣表面的有效接觸面積。23剪壘電容barriercapacitance半導(dǎo)體內(nèi)垂直于接觸面的空間電荷區(qū)的電容。勢(shì)壘寬度barrierwvidth起勢(shì)全作用的空間電荷區(qū)的線性寬度。2.5載流子濃度縱向分布o(jì)ngitudinaldistributionofcarrierconcentration自半導(dǎo)體表面向體內(nèi)垂直方向上載流子濃度與深度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。3原理汞探針與砷化鏢表面接觸形成肖特基勢(shì)壘.當(dāng)反向偏壓增大時(shí),勢(shì)壘區(qū)向砷化家內(nèi)部擴(kuò)展。用高頻小訊號(hào)測(cè)量某一反向偏壓下的勢(shì)全電容C(F)及由反向偏壓增量V(V)引起的勢(shì)壘電容增量C（F).根據(jù)公式(1)和公式(2)可計(jì)算出勢(shì)壘擴(kuò)展深度（X)和其相應(yīng)的載流子濃度N（X）N（X）=ceoeA式中：

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