標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11297.12-2012 光學(xué)晶體消光比的測量方法》相比于其前版《GB/T 11297.12-1989》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和修訂：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新：新版標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)近年來光學(xué)晶體技術(shù)和測試手段的發(fā)展，對(duì)消光比測量的理論基礎(chǔ)、實(shí)驗(yàn)條件、儀器設(shè)備要求等方面進(jìn)行了修訂，以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前技術(shù)水平和測量需求。

  2. 測量方法的優(yōu)化：詳細(xì)規(guī)定了更為精確和高效的測量步驟，可能包括對(duì)光源、探測器的選擇和校準(zhǔn)方法的改進(jìn)，以及數(shù)據(jù)處理流程的標(biāo)準(zhǔn)化，旨在提高測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  3. 術(shù)語和定義的明確：對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了重新定義或補(bǔ)充，確保了標(biāo)準(zhǔn)中所有術(shù)語的準(zhǔn)確性和一致性，便于讀者理解和執(zhí)行。

  4. 試驗(yàn)條件的細(xì)化：對(duì)測量環(huán)境（如溫度、濕度控制）、樣品制備及處理方法給出了更具體的要求，以減少外界因素對(duì)測量結(jié)果的影響。

  5. 質(zhì)量控制與驗(yàn)證：增加了對(duì)測量過程中質(zhì)量控制措施的說明，包括儀器校驗(yàn)、數(shù)據(jù)有效性判斷及誤差分析等，確保測量結(jié)果的可靠性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的調(diào)整：根據(jù)光學(xué)晶體材料和技術(shù)的進(jìn)步，可能對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍進(jìn)行了擴(kuò)展或限定，以覆蓋更多種類的光學(xué)晶體或特定應(yīng)用領(lǐng)域。

  7. 參考文獻(xiàn)的更新：引用了最新的科研成果和國際標(biāo)準(zhǔn)，為標(biāo)準(zhǔn)提供了更堅(jiān)實(shí)的理論和實(shí)踐支撐。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-12-31 頒布
  • 2013-06-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 11297.12-2012光學(xué)晶體消光比的測量方法_第1頁
GB/T 11297.12-2012光學(xué)晶體消光比的測量方法_第2頁
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文檔簡介

ICS31140

L21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1129712—2012

代替.

GB/T11297.12—1989

光學(xué)晶體消光比的測量方法

Testmethodforextinctionratioofopticalcrystal

2012-12-31發(fā)布2013-06-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1129712—2012

.

前言

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替電光晶體鈮酸鋰磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比的測量方

GB/T11297.12—1989《、

法

》。

本部分與相比主要有如下變動(dòng)

GB/T11297.12—1989,:

對(duì)原部分的名稱進(jìn)行了修改原部分名稱電光晶體鈮酸鋰磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比

———?！?、

的測量方法改為光學(xué)晶體消光比的測量方法本部分還將標(biāo)準(zhǔn)適用范圍擴(kuò)展到采用其他

”“”。

波長測量的單軸和等軸光學(xué)晶體

;

對(duì)原部分測量系統(tǒng)消光比指標(biāo)進(jìn)行了修改原部分測量系統(tǒng)指標(biāo)為需配備輸出功

———,100000∶1,

率較高的氦氖激光器現(xiàn)部分測量系統(tǒng)指標(biāo)修訂為采用輸出功率大

(P≥15mW)。50000∶1,

于的氦氖激光器

2mW;

原部分消光比指標(biāo)表示方法只有本部分增加了分貝表示方法

———×××××∶1。;

本部分增加了將被測晶體置于正交偏光系統(tǒng)中時(shí)透射光強(qiáng)取最大值

———;

本部分增加了測量系統(tǒng)應(yīng)采用必要的光屏蔽措施的要求

———;

本部分增加了測量環(huán)境條件要求

———;

本部分增加了被測晶體兩通光端面的粗糙度要求

———;

本部分增加了測試系統(tǒng)的通光孔徑為的規(guī)定供需雙方還可根據(jù)樣品尺寸協(xié)商確定通

———5mm,、

光孔徑的大小

;

本部分增加了光束直徑為被測樣品直徑的的規(guī)定供需雙方還可根據(jù)樣品尺寸協(xié)商確

———90%,、

定光束直徑的大小

。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口

。

本部分由中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所負(fù)責(zé)起草

。

本部分主要起草人謝克誠金中洪楊潔張曉梅

:、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11297.12—1989。

Ⅰ

GB/T1129712—2012

.

光學(xué)晶體消光比的測量方法

1范圍

的本部分規(guī)定了采用波長為的光波沿單軸光學(xué)晶體光軸方向消光比的測

GB/T11297632.8nm

量方法

。

本部分適用于采用波長為的光波對(duì)單軸和

632.8nm、1064nm、830nm、514nm、488nm、458nm

等軸光學(xué)晶體的消光比測量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

固體激光材料名詞術(shù)語

GB/T11293—1989

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T11293—1989。

4測量原理

波長為的一束光波沿被測晶體光軸方向透過一個(gè)置于正交偏光系統(tǒng)中的被測晶體時(shí)

632.8nm,

以光軸為軸旋轉(zhuǎn)晶體測量出透射光強(qiáng)最大值然后轉(zhuǎn)動(dòng)檢偏器成平行偏光系統(tǒng)測量出透射光強(qiáng)值通

,,,,

過式計(jì)算消光比E

(1)(X):

E=II

X‖/⊥…………(1)

式中

:

E被測晶體的消光比

X———;

I平行偏光系統(tǒng)中透射光強(qiáng)值單位為毫伏

‖———,(mV);

I正交偏光系統(tǒng)中透射光強(qiáng)最大值單位為毫伏

⊥———,(mV)。

也可用式表示

(2):

E′=×II

X10lg(‖/⊥)…………………(2)

式中消光比E的單位為分貝

X′(dB)。

5測量系統(tǒng)

消光比測量系統(tǒng)示意圖如圖所示采用波長為

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