GB/T 12965-2018硅單晶切割片和研磨片

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12965—2018

代替

GB/T12965—2005

硅單晶切割片和研磨片

Monocrystallinesiliconascutwafersandlappedwafers

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965—2018

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-61467

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T12965—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅單晶切割片和研磨片與相比除編輯性

GB/T12965—2005《》,GB/T12965—2005,

修改外主要技術(shù)內(nèi)容變化如下

:

范圍中將本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉懸浮區(qū)熔和中子嬗變摻雜硅單晶經(jīng)切割雙面研磨制備的圓

———“、、

形硅片改為本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直

”“、()

徑不大于的圓形硅單晶切割片和研磨片見(jiàn)第章年版的第章

200mm”(1,20051);

規(guī)范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964,GB/T1551、

見(jiàn)第章

GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28(2,2005

年版的第章

2);

刪除了具體術(shù)語(yǔ)內(nèi)容改為界定的術(shù)語(yǔ)及定義適用于本文件見(jiàn)第章

———,“GB/T14264”(3,2005

年版的第章

3);

刪除了按照硅單晶生長(zhǎng)方法進(jìn)行的分類(lèi)增加了硅片按表面取向分為常用的

———,“{100}、{111}、

三種見(jiàn)年版的

{110}”(4.2.2,20054.1);

將物理性能參數(shù)和晶體完整性合并改為理化性能見(jiàn)年版的

———“”“”“”(5.1,20055.1、5.3);

增加了電學(xué)性能見(jiàn)

———“”(5.2);

修訂了硅片的直徑允許偏差修訂了

———50.8mm、125mm、150mm,100mm、125mm、150mm

直徑切割片的厚度修訂了和直徑硅片的翹曲度要求見(jiàn)表年版的

,150mm200mm(1,2005

表

1);

增加了硅片彎曲度的要求見(jiàn)表

———(5.31);

增加了主參考面直徑和切口尺寸示意圖見(jiàn)圖

———(1);

修訂硅片的表面取向?yàn)楣杵谋砻嫒∠蛴谐Ｓ玫臑橐?jiàn)

———“{100}、{110}、{111},{100}、{111}”(

年版的

5.4.1,20055.4.1);

增加了未包含的其他晶向要求由供需雙方協(xié)商確定

———“,”(5.4.3);

刪除了硅片是否制作參考面由用戶決定和硅片主副參考面取向及位置應(yīng)符合表及

———“,”“、2

表的規(guī)定見(jiàn)年版的

1”(20055.4.3、5.4.4);

增加了直徑不大于硅片主副參考面位置的示意圖見(jiàn)圖

———150mm、(2);

修訂了邊緣輪廓的要求見(jiàn)年版的

———(5.6,20055.7);

刪除了硅片每個(gè)崩邊的周長(zhǎng)不大于的規(guī)定經(jīng)倒角的研磨片對(duì)崩邊的要求由

———2mm,“≤

修訂為無(wú)并將崩邊徑向延伸尺寸的要求單列為表見(jiàn)表年版的

0.3mm”“”,4(5.7.14,2005

5.6.1);

增加了電阻率厚度和總厚度變化翹曲度的另一種實(shí)驗(yàn)方法并明確了仲裁方法見(jiàn)

———、、,(6.2、6.5、

年版的

6.7,20056.2、6.11、6.12);

修訂了硅片主參考面直徑的測(cè)量方法見(jiàn)年版的

———(6.8,20056.7);

硅片切口尺寸的測(cè)量由供需雙方確定修訂為切口尺寸的測(cè)量按的規(guī)定進(jìn)行

———“”“GB/T26067”

見(jiàn)年版的

(6.9,20056.8);

修訂了檢驗(yàn)項(xiàng)目改為必檢項(xiàng)目和供需雙方協(xié)商檢驗(yàn)的項(xiàng)目見(jiàn)年版的

———,(7.3.1、7.3.2,20057.3);

刪除了破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的取樣規(guī)定見(jiàn)年版的

———(20057.4.2);

增加了訂貨單或合同內(nèi)容見(jiàn)第章

———()(9)。

Ⅰ

GB/T12965—2018

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司上海合晶硅材料有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕盧立延樓春蘭徐新華張海英張雪囡潘金平劉卓

:、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12965—1991、GB/T12965—1996、GB/T12965—2005。

Ⅱ

GB/T12965—2018

硅單晶切割片和研磨片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片和研磨片簡(jiǎn)稱(chēng)硅片的牌號(hào)及分類(lèi)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志

()、、、、、

包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于

、()200mm

的圓形硅單晶切割片和研磨片產(chǎn)品主要用于制作晶體管整流器件等或進(jìn)一步加工成拋光片

。、,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620