GB/T 13179-2008硅(鋰)X射線探測(cè)器系統(tǒng)

犐犆犛：２７．１２０

犉８８

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１３１７９—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１３１７９—１９９１

硅（鋰）犡射線探測(cè)器系統(tǒng)

犛犻（犔犻）犡狉犪狔犱犲狋犲犮狋狅狉狊狔狊狋犲犿

２００８０７０２發(fā)布２００９０４０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜１３１７９—２００８

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅰ

１范圍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２規(guī)范性引用文件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３術(shù)語(yǔ)和定義以及符號(hào)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

４產(chǎn)品分類!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

５技術(shù)要求!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

６試驗(yàn)方法!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

７檢驗(yàn)規(guī)則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１５

８標(biāo)識(shí)、包裝、運(yùn)輸、貯存!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

附錄Ａ（資料性附錄）從Ｘ能量分辨率計(jì)算電噪聲近似值的方法!!!!!!!!!!!!!!１８

參考文獻(xiàn)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１９

圖１端帽尺寸圖!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!４

圖２總體外型結(jié)構(gòu)圖!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

圖３被測(cè)特性的基本測(cè)量系統(tǒng)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

圖４典型的噪聲測(cè)量脈沖幅度譜!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

圖５用示波器和均方根電壓表測(cè)噪聲的測(cè)量系統(tǒng)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

圖６線性的測(cè)量和表示!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１３

圖７溫度效應(yīng)的測(cè)量系統(tǒng)（以能譜儀為例）!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１４

表１硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)產(chǎn)品規(guī)格表!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!４

表２（真空）冷室及端帽分類!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

表３不同靈敏面積探測(cè)器的峰谷比要求!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

表４參考條件和標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

表５測(cè)量常用放射源!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１０

表６檢驗(yàn)項(xiàng)目分類及要求!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

表７抽樣方案表!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１６

書

犌犅／犜１３１７９—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)參照了ＩＥＣ６０７５９：１９８３《半導(dǎo)體Ｘ射線能譜儀標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序》。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１３１７９—１９９１《硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１３１７９—１９９１相比主要差異如下：

———增加了“硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)”和“峰谷比”等１９個(gè)術(shù)語(yǔ)以及“犆ｃ”等１２個(gè)符號(hào)（見本標(biāo)準(zhǔn)

第３章）；

———產(chǎn)品的特征代號(hào)增加了兩位表示靈敏體直徑（見本標(biāo)準(zhǔn)的４．１）；

———在表１“硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)產(chǎn)品規(guī)格表”中，增加了一欄靈敏直徑的條目（見本標(biāo)準(zhǔn)的

４．２）；

———表１中的能量分辨率每檔均降低５ｅＶ（見本標(biāo)準(zhǔn)的４．２）；

———充實(shí)了試驗(yàn)方法的內(nèi)容（見本標(biāo)準(zhǔn)第６章）。

本標(biāo)準(zhǔn)附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)核工業(yè)集團(tuán)公司提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中核（北京）核儀器廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：殷國(guó)利。

本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：ＧＢ／Ｔ１３１７９—１９９１。

Ⅰ

犌犅／犜１３１７９—２００８

硅（鋰）犡射線探測(cè)器系統(tǒng)

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢測(cè)規(guī)則等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于帶有液氮貯存容器的室內(nèi)用硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)，但不適用于掃描電鏡的、便攜

式或非液氮冷卻硅（鋰）Ｘ射線探測(cè)器系統(tǒng)。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ４９６０．６核科學(xué)技術(shù)術(shù)語(yǔ)核儀器儀表

ＧＢ／Ｔ１０２５７—２００１核儀器和核輻射探測(cè)器質(zhì)量檢驗(yàn)規(guī)則

３術(shù)語(yǔ)和定義以及符號(hào)

３．１術(shù)語(yǔ)和定義

ＧＢ／Ｔ４９６０．６確立的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１．１

硅（鋰）探測(cè)器犛犻（犔犻）犱犲狋犲犮狋狅狉

通常利用核輻射在半導(dǎo)體中產(chǎn)生的過剩自由電荷載流子的運(yùn)動(dòng)來探測(cè)入射輻射的探測(cè)器。

注：本標(biāo)準(zhǔn)中