GB/T 13389-2014摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T13389—2014

代替

GB/T13389—1992

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與

摻雜劑濃度換算規(guī)程

Practiceforconversionbetweenresistivitanddoantdensitforboron-doed

ypyp,

hoshorus-doedandarsenic-doedsilicon

ppp,p

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T13389—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程參照

GB/T13389—1992《》,SEMI

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程對(duì)進(jìn)行修訂

MF723-0307《》GB/T13389—1992。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有以下變化

GB/T13389—1992,:

增加了公式即砷的摻雜劑濃度換算電阻率摻硼硅單晶電阻率換算空穴濃度和

———(5)、(6)、(7),、

摻磷硅單晶電阻率換算電子濃度的公式以及相應(yīng)的適用范圍

;

由于所有公式都是經(jīng)驗(yàn)公式或是試驗(yàn)結(jié)果因此本標(biāo)準(zhǔn)中給出了公式的試驗(yàn)依據(jù)以便于使用

———,

者更好地了解和使用這些換算規(guī)程

;

增加干擾因素見(jiàn)第章

———(6);

增加了附錄和參考文獻(xiàn)

———。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司中國(guó)計(jì)量科學(xué)

:、、

研究院浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心杭州海納半導(dǎo)體有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司西安隆

、、、、

基硅材料股份有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕梁洪高英樓春蘭張靜王飛堯曹孜何良恩張海英張群社

:、、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T13389—1992。

Ⅰ

GB/T13389—2014

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與

摻雜劑濃度換算規(guī)程

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關(guān)系該換算關(guān)系也適用于

、、,

摻銻硅單晶還可擴(kuò)展至硅中激活能與硼磷相似的其他摻雜劑

,、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻硼濃度14-320-3摻磷濃度13-320-3摻砷濃

10cm~1×10cm,3×10cm~1×10cm,

度19-320-3對(duì)摻硼摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴(kuò)展到12-3

10cm~6×10cm。、10cm。

本標(biāo)準(zhǔn)也可用于在下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算但不包括對(duì)砷摻雜劑的載流子濃

23℃,

度換算或任何其他載流子濃度的換算

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

自相容性誤差theself-consistencyerrors

電阻率與摻雜劑濃度之間的換算公式或表格是以其中一個(gè)為變量擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)推導(dǎo)出另一個(gè)變

,,

量當(dāng)使用不同的變量時(shí)會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)互為補(bǔ)充的公式例如公式和公式和由于這些公

,,(1)(2),(3)(4)。

式在數(shù)學(xué)上并不完全等價(jià)因此在使用由此推導(dǎo)出來(lái)的公式或表格時(shí)將產(chǎn)生微小的差異該差異稱為自

,,

相容性誤差

。

4方法提要

電阻率與摻雜劑濃度之間的相互換算是基于摻硼摻磷硅單晶中兩者間的綜合經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的并

、,

將其擴(kuò)展到硅中具有相似激活能的其他摻雜劑根據(jù)相同的方法也給出了電阻率與載流子濃度的換算

,

關(guān)系本標(biāo)準(zhǔn)中將該換算關(guān)系表示為公式曲線以及表格的形式應(yīng)用時(shí)請(qǐng)?zhí)貏e注意不同公式的適用范

。、