標準解讀
GB/T 15450-1995 是一項中華人民共和國國家標準,全稱為《硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規(guī)范》。該標準主要規(guī)定了硅雙柵場效應晶體管(Silicon Double Gate Field Effect Transistor)的技術要求、測試方法以及質量評定規(guī)則,旨在為該類器件的設計、生產(chǎn)、檢驗及應用提供統(tǒng)一的標準依據(jù)。
標準內容概覽
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范圍:明確了本標準適用的硅雙柵場效應晶體管類型,包括其基本結構、工作原理及預期使用環(huán)境。
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引用標準:列出了實施本標準時需要參考的其他相關國家標準或國際標準,確保各項技術指標和測試方法的一致性和準確性。
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術語和定義:對標準中涉及的專業(yè)術語進行了解釋和定義,幫助讀者準確理解標準內容。
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分類與命名:根據(jù)硅雙柵場效應晶體管的不同特性(如溝道類型、極性、封裝形式等)進行分類,并規(guī)定了相應的命名規(guī)則。
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技術要求:
- 電氣參數(shù):規(guī)定了諸如開啟電壓、漏源飽和電流、跨導、輸入輸出特性曲線等關鍵電氣性能指標及其允許的偏差范圍。
- 機械與物理特性:包括封裝尺寸、引腳排列、耐壓強度、溫度特性等要求。
- 可靠性要求:設定了器件在特定條件下的壽命、穩(wěn)定性及抗干擾能力等標準。
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試驗方法:詳細描述了如何進行各項性能測試,確保測試結果的可重復性和準確性。包括測試環(huán)境、測試儀器、測試步驟等。
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檢驗規(guī)則:規(guī)定了產(chǎn)品檢驗的程序、抽樣方案、合格判定準則等,確保出廠產(chǎn)品的質量符合標準要求。
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標志、包裝、運輸和貯存:對產(chǎn)品的標識信息、包裝要求、在運輸和貯存過程中的保護措施進行了規(guī)定,以防止損壞并便于追溯。
實施意義
該標準的制定和實施有助于提升硅雙柵場效應晶體管的產(chǎn)品質量,促進產(chǎn)業(yè)標準化進程,方便國內外貿易交流,同時為用戶提供可靠的質量評估依據(jù),保障電子設備的穩(wěn)定運行和長期可靠性。
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- 廢止
- 已被廢除、停止使用,并不再更新
- 1995-01-05 頒布
- 1995-08-01 實施



文檔簡介
UDC.621.382.33L44中華人民共和國國家標準CB/T15450-1995硅雙柵場效應晶體管空白詳細規(guī)范Blankdetailspecificationforsilicondual-gatefield-effecttransistors1995-01-05發(fā)布1995-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號中華人民共和國國家標準硅雙柵場效應晶體管空白詳細規(guī)范GB/T15450-1995中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼:10XX45電話:63787337、637874471995年7月第一版2004年12月電子版制作書號:155066·1-11559版權專有侵權必究舉報電話:(010)68533533
中華人民共和國國家標準硅雙柵場效應晶體管cB/T15450-1995空Blankdetailspecificationforstlicondual-gatefield-effecttransistors本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制訂硅雙柵場效應品體管詳細規(guī)范的基本原則,制訂該范圍內的所有詳細規(guī)范應與本空白詳細規(guī)范一致。本空白詳細規(guī)范是半導體器件空白詳細規(guī)范系列中的一個,并應與下列規(guī)范一起使用:GB4589.1《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》,GB12560《半導體器件分立器件分規(guī)范》要求資料:本頁及下頁括號內所示的數(shù)字,對應于以下要求資料的項目,并列入規(guī)定的欄目中。詳細規(guī)范的識別:(1)批準發(fā)布本詳細規(guī)范的組織:國家標準機構的名稱(2)詳細規(guī)范的IECQ號。(3)總規(guī)范號,分規(guī)范號和版本號。(4)詳細規(guī)范號,發(fā)布日期及國家體系要求的任何更多的資料。器件的識別:(5)器件類型的簡單說明。(6)典型結構和應用的資料.如果設計一種器件滿足若干應用,則應在詳細規(guī)范中指出。對于這些應用特性、極限值及檢驗要求均應滿足。對靜電敏感器件,應寫上警告說明,(7)外形圖和(或)引用有關的外形文件,(8)質量評定類別。(9)能在器件類型之
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