標準解讀
《GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法》與前一版《GB 1557-1983》相比,主要在以下幾個方面進行了調整和完善:
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標準性質的變化:從標準編號可見,《GB/T 1557-1989》由原來的強制性國家標準(GB)轉變?yōu)橥扑]性國家標準(GB/T),意味著該標準的應用不再是強制要求,而是推薦給行業(yè)和企業(yè)參考使用。
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技術內容更新:新版標準可能對硅晶體中間隙氧含量的測量原理、操作步驟、儀器設備要求等方面進行了細化或修訂,以適應技術進步和測量精度提升的需求。具體而言,可能包括了更精確的校準方法、更嚴格的樣品處理流程或是對測量環(huán)境條件的更詳細規(guī)定。
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檢測限與精度提升:隨著分析技術的發(fā)展,新標準很可能會設定更為嚴格的檢測限值,提高測量結果的準確性和重復性,以滿足高純度硅材料生產中的質量控制需求。
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術語和定義的明確:為了統(tǒng)一行業(yè)理解和應用,新標準可能對涉及的專業(yè)術語給出了更精確的定義,或者新增了一些與當時技術發(fā)展相匹配的概念解釋。
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試驗方法的優(yōu)化:考慮到實際操作中的可行性與效率,新標準可能對原有的試驗方法進行了優(yōu)化,簡化了某些復雜步驟,或者引入了新的測量技巧和數(shù)據(jù)處理方法。
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質量控制與驗證:增加了對測量過程的質量控制要求,如樣品準備、儀器校正、數(shù)據(jù)處理及結果驗證的具體指導,確保測試結果的可靠性和可比性。
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文檔簡介
UDC669.782:543.42H21中華人民共和國國家標準GB1557-89硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption1989-03-31發(fā)布1990-02-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準硅晶體中間隙氧含量的GB1557-89紅外吸收測量方法Themethodofdetermininginterstitial代竹GB1557-83oxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了用紅外吸收測定硅晶體中間隙氧含量的方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅晶體中氧含量的測量。量范圍為:的濃度從3.5×101at·cmr3至最大固溶度。2原理2.1本方法是用紅外光譜儀測定硅-氧鍵在1107cm-(9.03344m)處的紅外吸收系數(shù)來確定硅晶體中間隙氧的含量。凡是有該硅-氧鍵特征吸收帶的任何晶體均可適用。2.2本方法借助于硅單晶中氧含量與1107cm-處紅外吸收系數(shù)之間的關系。3測量儀器1雙光束紅外分光光度計或傅立葉變換紅外光譜儀。,儀器在1107cm3.1處的分辨率應小于5cm。3.22測量樣品架。3.3低溫測量裝置,能使試樣和參比樣品維持78K的溫度。3.4千分尺,精度0.01mm。3.5標準平面平晶。試樣制備4.1測量試樣的制備4.1.1切取的試樣經(jīng)雙面研磨,兩表面無刀痕、劃傷,試樣的厚度偏差應小于104m?!?1.2研磨后的試樣經(jīng)機械拋光或化學拋光(仲裁時應用機械拋光樣品),使兩表面均呈鏡面,在測量部位應無桔皮和小坑。4.1.3在試樣測量部位,兩表面的中整度均不大于2.2Pm.4.1.4在測量部位試樣的厚度差應不大于10Pm。氧含量大于或等于1×10!at·cm-3的試樣厚度約為2mm;4.1.5氧含量小于1×10"at·cm-3的試樣厚度約為10mm。4.2參比樣品的選取與制備“.2.1參比樣品用78K空氣參為法選?。ㄒ姼戒汚)。4.2.2參比樣品的制備同4.1.1~4.1.4條。4.2.3參比樣品與待測
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