標準解讀
《GB/T 15713-1995 鍺單晶片》是中國的一項國家標準,發(fā)布于1995年,旨在規(guī)定鍺單晶片的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存要求。此標準適用于半導體器件制造中使用的鍺單晶片。以下是該標準的主要內(nèi)容概覽:
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范圍:明確了標準適用的鍺單晶片類型,主要用于半導體工業(yè)中的各種器件制造,規(guī)定了其基本參數(shù)和質(zhì)量要求。
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引用標準:列出了實施本標準時所依據(jù)或參考的其他相關(guān)國家標準和行業(yè)標準,確保各項測試和評估有據(jù)可依。
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定義:對鍺單晶片相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進行了界定,如晶向、晶片直徑、厚度、平整度等,為后續(xù)技術(shù)要求的闡述提供清晰的概念基礎(chǔ)。
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技術(shù)要求:
- 材料:規(guī)定了鍺單晶應滿足的純度等級,以及可能存在的雜質(zhì)元素的最大允許含量。
- 幾何尺寸:詳細說明了晶片的直徑、厚度及其公差范圍,確保晶片的尺寸一致性。
- 表面質(zhì)量:包括表面平整度、潔凈度、缺陷(如劃痕、凹坑)的要求,以保證晶片表面適合后續(xù)的微細加工。
- 電學性能:規(guī)定了電阻率、載流子濃度等電學參數(shù)的范圍,這些對于半導體器件的功能至關(guān)重要。
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試驗方法:介紹了如何通過物理和化學手段檢測鍺單晶片的各項指標,包括但不限于尺寸測量、表面檢查、電學性能測試等,確保測試結(jié)果的準確性和可重復性。
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檢驗規(guī)則:明確了晶片的抽樣方案、合格判定準則及不合格品的處理方式,確保產(chǎn)品質(zhì)量控制的嚴格性。
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標志、包裝、運輸和儲存:
- 標志:要求在產(chǎn)品或包裝上明確標注產(chǎn)品信息,如標準號、制造商、批號、規(guī)格等。
- 包裝:規(guī)定了保護晶片免受物理損傷和化學污染的包裝要求。
- 運輸:提出在運輸過程中避免極端溫度、劇烈震動的措施,以保護晶片的完整性。
- 儲存:描述了適宜的儲存環(huán)境條件,如溫度、濕度,以防晶片性能劣化。
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文檔簡介
ICS29.040.20H81中華人民共和國國家標準GB/T15713—1995錯單晶片Monocrystallinegermaniumslices1995-10-17發(fā)布1996-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準GB/T15713-1995錯單晶Monocrystallinegermaniumslices1主題內(nèi)客與適用范圖本標準規(guī)定了錯單晶切割片、研磨片和腐蝕片(簡稱錯片)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸和心存。本標準適用于各種牌號的錯單晶經(jīng)切割、雙面研磨、分割、腐蝕制備的圓形、方形和長方形錯片。產(chǎn)品用于制作品體管和紅外器件。2引用標準GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB/T5238錯單晶3產(chǎn)品分類3.1分類錯片按導電類型分為n型和P型,按生產(chǎn)方法分為切割片、研磨片和腐蝕片三種3.2牌號3.2.1錯片的牌號表示為:口8口PL心其中:-表示錯單晶的生產(chǎn)方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法。2--Ge表示錯單晶。表示錯片的品種,分別用相應英文單詞的第一個字母組合的大寫形式表示,當英文取兩個字母時,第二個字母應小寫,其中:CW表示切割片;BLW表示雙面研磨片;c.EtW表示腐蝕片。-用或p表示導電類型,括號內(nèi)的元素符號表示摻雜劑。國家
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