GB/T 15861-2012離子束蝕刻機(jī)通用規(guī)范

ICS31-550

L97

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15861—2012

代替

GB/T15861—1995

離子束蝕刻機(jī)通用規(guī)范

Generalspecificationofionbeametchingsystem

2012-11-05發(fā)布2013-02-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T15861—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替離子束蝕刻機(jī)通用技術(shù)條件

GB/T15861—1995《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T15861—1995:

由代替由代替

———GBn193—1983GB/T13384—1992,SJ2573—1985SJ/T10674—1995;

環(huán)境溫度調(diào)整為見

———20℃±10℃[5.1a)];

束能量范圍調(diào)整為可調(diào)見

———0~2000eV,(5.4.1);

表中束流密度2調(diào)整為22調(diào)整為2見表

———10.5mA/cm≥0.3mA/cm,1mA/cm0.8mA/cm(1);

增加束能量為時(shí)束流密度2見表

2000eV≥1mA/cm(1);

有效束徑規(guī)格增加了?和?兩種去掉了?見

———50100,60(5.4.4);

中和方式增加了電子源中和器見

———“”(5.4);

對(duì)束流密度檢測(cè)方法進(jìn)行了更清楚的表述見

———(6.4.2);

膜厚均勻性為的蝕刻樣片改為膜厚均勻性優(yōu)于厚度制備了掩膜圖案的

———“±5%”“±2%、2μm、

蝕刻樣片見

”(6.4.10);

檢驗(yàn)規(guī)則去掉例行檢驗(yàn)項(xiàng)見

———(7);

增加包裝前檢查的條款見

———(8.2.1)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳特超周大良

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15861—1995。

Ⅰ

GB/T15861—2012

離子束蝕刻機(jī)通用規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了離子束蝕刻機(jī)的術(shù)語(yǔ)產(chǎn)品分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及包裝運(yùn)輸

、、、、、、

貯存

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于物理濺射腐蝕作用的通用離子束蝕刻機(jī)其他專用離子束蝕刻機(jī)亦可參照?qǐng)?zhí)行

。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

包裝運(yùn)輸包裝件基本試驗(yàn)第部分正弦定頻振動(dòng)試驗(yàn)方法

GB/T4857.7—20057:

設(shè)備可靠性試驗(yàn)恒定失效率假設(shè)下的失效率與平均無(wú)故障時(shí)間的驗(yàn)證試

GB/T5080.7—1986

驗(yàn)方案

運(yùn)輸包裝收發(fā)貨標(biāo)志

GB/T6388—1986

機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T13384—1992

電子工業(yè)專用設(shè)備通用規(guī)范

SJ/T142

金屬鍍層和化學(xué)處理層質(zhì)量檢驗(yàn)技術(shù)要求

SJ/T1276

涂料涂覆通用技術(shù)條件

SJ/T10674

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

束能量beamenergy

表征離子束中離子的動(dòng)能

。

注單位為電子伏特

:(eV)。

32

.

束流密度beamcurrentdensity

離子束某一指定截面上單位面積所通過(guò)的電流強(qiáng)度

。

33

.

有效束徑effectivebeamdiameter

打到靶上的束流密度均勻性在要求值不低于以內(nèi)的束直徑范圍

(±5%)