標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 15876-2015 半導(dǎo)體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》相對(duì)于《GB/T 15876-1995 塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:

  1. 技術(shù)內(nèi)容的更新:新版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的最新發(fā)展,對(duì)引線框架的材料、尺寸、形狀、電鍍要求等方面進(jìn)行了修訂,以適應(yīng)更高性能、更小型化集成電路的需求。

  2. 測(cè)試方法的改進(jìn):詳細(xì)規(guī)定了更精確、更科學(xué)的檢測(cè)和試驗(yàn)方法,包括機(jī)械強(qiáng)度測(cè)試、鍍層厚度與均勻性檢測(cè)等,確保引線框架質(zhì)量控制的準(zhǔn)確性和可靠性。

  3. 新增要求:可能加入了針對(duì)環(huán)保、可回收性或特定應(yīng)用環(huán)境(如高溫、高濕)下的性能要求,反映了行業(yè)對(duì)可持續(xù)發(fā)展和產(chǎn)品適用性的重視。

  4. 術(shù)語(yǔ)和定義的完善:隨著技術(shù)進(jìn)步,標(biāo)準(zhǔn)對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了梳理和更新,使得定義更加清晰準(zhǔn)確,便于業(yè)界統(tǒng)一理解和應(yīng)用。

  5. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化:可能對(duì)原有標(biāo)準(zhǔn)的章節(jié)布局進(jìn)行了調(diào)整,使其邏輯更加清晰,便于使用者快速查找所需信息。

  6. 兼容性與國(guó)際接軌:考慮到全球貿(mào)易和技術(shù)交流的需要,新標(biāo)準(zhǔn)可能參考或采納了國(guó)際上先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范,增強(qiáng)了中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互認(rèn)性。


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....

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  • 2015-05-15 頒布
  • 2016-01-01 實(shí)施
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ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15876—2015

代替

GB/T15876—1995

半導(dǎo)體集成電路

塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

Specificationofleadframesforplasticquadflatpackage

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T15876—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

技術(shù)要求

4…………………1

引線框架的尺寸

4.1……………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………1

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強(qiáng)度

4.5………………3

銅剝離試驗(yàn)

4.6…………………………3

銀剝離試驗(yàn)

4.7…………………………3

檢驗(yàn)規(guī)則

5…………………4

檢驗(yàn)批的構(gòu)成

5.1………………………4

鑒定批準(zhǔn)程序

5.2………………………4

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存

7、、、……………………7

標(biāo)志包裝

7.1、……………7

運(yùn)輸貯存

7.2、……………7

附錄規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測(cè)量

A()………………8

GB/T15876—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范

GB/T15876—1995《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T15876—1995:

按照標(biāo)準(zhǔn)的使用范圍將原標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝

———,“

引線框架規(guī)范

”;

規(guī)范性引用文件增加引導(dǎo)語(yǔ)抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替增加引

———:;GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—87;

用文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

標(biāo)準(zhǔn)中的由設(shè)計(jì)改為引線框架尺寸并將原標(biāo)準(zhǔn)中引線鍵合區(qū)寬度精壓深度和金屬

———4.1“”“”,、

間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào)整到

4.2;

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的引線框架形狀和位置公差中相應(yīng)條款順序進(jìn)行了調(diào)整并增加了芯片粘接區(qū)

———“4.2”,

下陷的有關(guān)要求

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)卷曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于本標(biāo)準(zhǔn)

———“”(4.2.2):0.51mm,

根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)橫彎的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了引線數(shù)

———“”(4.2.3):52~100、132~164、196~

三個(gè)范圍內(nèi)的橫彎值本標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)大了引線數(shù)涵蓋的范圍

244,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)條帶扭曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲不超過(guò)

———“”(4.2.4):0.51mm,

本標(biāo)準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度分別進(jìn)行了規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)引線扭曲的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上

———“”(4.2.5):

的最大偏移量本標(biāo)準(zhǔn)刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)精壓深度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)未考慮精壓深度對(duì)精壓寬度的影響簡(jiǎn)

———“”(4.2.6):,

單的規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍本標(biāo)準(zhǔn)修改為在保證精壓寬度不小于引線寬度的條

。:90%

件下精壓深度不大于材料厚度的其參考值為

,30%,0.015mm~0.06mm;

將金屬間隙修改為絕緣間隙并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)絕緣間隙的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)

———“”“”,“”(4.2.7):

定金屬與金屬的間隙應(yīng)受金屬間隙的要求限制每邊最大精壓凸出不超過(guò)本標(biāo)

“,0.051mm”,

準(zhǔn)修改為相鄰兩精壓區(qū)端點(diǎn)間的間隔及精壓區(qū)端點(diǎn)與芯片粘接區(qū)間的間隔大于

“0.076mm”;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)精壓引線端共面性的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的公差范圍為

———“”(4.2.8):

本標(biāo)準(zhǔn)考慮到極限情況把負(fù)差改為

±0.15mm、±0.2mm,-0.1mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)芯片粘接區(qū)斜度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條

———“”(4.2.9):

件下的最大斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長(zhǎng)或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

,2.54mm0.05mm;

將芯片粘接區(qū)平整度改為芯片粘接區(qū)平面度并修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)芯片粘接區(qū)平面度的

———“”“”,“”

要求見(jiàn)取消了原標(biāo)準(zhǔn)中每芯片粘接區(qū)長(zhǎng)度的限制

(4.2.11):2.54mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)毛刺的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過(guò)

———“”(4.3.1):

本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)垂直毛刺和水平毛刺分別進(jìn)行了規(guī)定

0.025mm,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)凹坑壓痕和劃痕的要求見(jiàn)在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加劃痕的有關(guān)

———“、”(4.3.2):

要求

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)局部鍍銀層厚度的要求見(jiàn)原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度本

———“”(4.4.1):,

標(biāo)準(zhǔn)對(duì)局部鍍銀層厚度及任意點(diǎn)分別進(jìn)行了規(guī)定

;

增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見(jiàn)

———“”(4.6);

GB/T15876—2015

增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見(jiàn)

———“”(4.7);

對(duì)標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)規(guī)則中相應(yīng)條款進(jìn)行修改參照檢驗(yàn)規(guī)則并增加了鑒定

———“5”,GB/T14112—2015,

批準(zhǔn)程序和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的有關(guān)內(nèi)容

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)有鍍層的保存期為個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為個(gè)月

———“”:3,6

見(jiàn)

(7.2);

增加了規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測(cè)量

———A“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林桂賢陳仲賢洪玉云

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15876—1995。

GB/T15876—2015

半導(dǎo)體集成電路

塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架以下簡(jiǎn)稱引線框架的技術(shù)要求及

()

檢驗(yàn)規(guī)則

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架塑料四面引線扁平封裝刻

。

蝕引線框架也可參照使用

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)引出端及整體安

GB/T2423.60—20082:U:

裝件強(qiáng)度

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

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