GB/T 14112-2015半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14112—2015

代替

GB/T14112—1993

半導(dǎo)體集成電路

塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP

2015-05-15發(fā)布2016-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14112—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

技術(shù)要求

4…………………1

引線框架尺寸

4.1………………………1

引線框架形狀和位置公差

4.2…………2

引線框架外觀

4.3………………………3

引線框架鍍層

4.4………………………3

引線框架外引線強(qiáng)度

4.5………………4

銅剝離試驗(yàn)

4.6…………………………4

銀剝離試驗(yàn)

4.7…………………………4

檢驗(yàn)規(guī)則

5…………………4

檢驗(yàn)批的構(gòu)成

5.1………………………4

鑒定批準(zhǔn)程序

5.2………………………4

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

5.3……………………4

訂貨資料

6…………………7

標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存

7、、、……………………7

標(biāo)志包裝

7.1、……………7

運(yùn)輸貯存

7.2、……………7

附錄規(guī)范性附錄引線框架機(jī)械測量

A()………………8

附錄規(guī)范性附錄引線框架高溫和機(jī)械試驗(yàn)

B()………16

附錄資料性附錄批允許不合格率抽樣方案

C()(LTPD)……………18

Ⅰ

GB/T14112—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半導(dǎo)體集成電路塑封雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

GB/T14112—1993《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要變化如下

GB/T14112—1993:

關(guān)于規(guī)范性引用文件增加引導(dǎo)語抽樣標(biāo)準(zhǔn)由代替增加引用

———:;GB/T2828.1—2012IEC410;

文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

增加術(shù)語和定義并增加了標(biāo)稱長度精壓區(qū)共面性芯片粘接區(qū)下陷的定義

———,、、;

標(biāo)準(zhǔn)引線框架形狀和位置公差中增加了芯片粘接區(qū)平面度引線框架內(nèi)部位置公差的

———“4.2”,、

有關(guān)要求

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對側(cè)彎的要求見原標(biāo)準(zhǔn)僅規(guī)定了側(cè)彎小于本標(biāo)

———“”(4.2.1):0.05mm/150mm,

準(zhǔn)在整個(gè)標(biāo)稱長度上進(jìn)行規(guī)定

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對卷曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了卷曲變形小于

———“”(4.2.2):0.5mm/150mm,

本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)材料的厚度進(jìn)行規(guī)定

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對條帶扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中僅規(guī)定了框架扭曲小于本標(biāo)

———“”(4.2.4):0.5mm,

準(zhǔn)將框架扭曲修改為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度進(jìn)行規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對引線扭曲的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線扭曲的角度及其內(nèi)引線端

———“”(4.2.5):

點(diǎn)的最大扭曲值本標(biāo)準(zhǔn)刪除了內(nèi)引線端點(diǎn)最大扭曲值的規(guī)定

,;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對精壓深度的要求見在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了最大精壓深度與最

———“”(4.2.6):,

小引線間距的相關(guān)要求

;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對絕緣間隙的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的絕緣間隙為本標(biāo)準(zhǔn)

———“”(4.2.7):0.15mm,

修改為

0.1mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對精壓區(qū)共面性的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了引線框架條寬大于

———“”(4.2.8):

精壓區(qū)共面性為本標(biāo)準(zhǔn)修改為

50.8mm,±0.25mm,±0.2mm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對芯片粘接區(qū)斜度的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中分別規(guī)定了受壓和不受壓情況

———“”(4.2.9):

下的斜度本標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

,2.54mm0.05mm;

對標(biāo)準(zhǔn)的引線框架外觀中相應(yīng)條款進(jìn)行了調(diào)整原標(biāo)準(zhǔn)對引線框架外觀要求按功能

———“4.3”,“

區(qū)其他區(qū)域分別表示本標(biāo)準(zhǔn)按毛刺凹坑壓痕和劃痕分別描述并對原標(biāo)準(zhǔn)中劃痕的

、”;“,、”,“”

要求適當(dāng)加嚴(yán)即在任何區(qū)域內(nèi)劃痕均不得超過個(gè)

,“”1;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對局部鍍銀的要求見原標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定鍍銀層厚度不小于平

———“”(4.4.1.2):3.5μm(

均值本標(biāo)準(zhǔn)修改為不小于

),3μm;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對鍍層外觀的要求見在原標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上增加了對鍍層外觀的相關(guān)

———“”(4.4.2):,

要求

;

增加了銅剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見

———“”(4.6);

增加了銀剝離試驗(yàn)的有關(guān)要求見

———“”(4.7);

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對檢驗(yàn)要求的要求修改了原標(biāo)準(zhǔn)中分組的檢測水平及

———“”:A1a、A1b、A2AQL,

并對分組進(jìn)行合并原標(biāo)準(zhǔn)中組采用抽樣方案本標(biāo)準(zhǔn)將

A1a、A1b,B2a、B2b;BLTPD,B1、

修改為抽樣方案并增加檢驗(yàn)的抽樣要求

B2、B3AQL,C3、C4;

修改了標(biāo)準(zhǔn)中對貯存的有關(guān)要求原標(biāo)準(zhǔn)鍍銀引線框架保存期為三個(gè)月本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為個(gè)

———“”:,6

月見

(7.2)。

Ⅲ

GB/T14112—2015

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位廈門永紅科技有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人林桂賢王鋒濤洪玉云

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14112—1993。

Ⅳ

GB/T14112—2015

半導(dǎo)體集成電路

塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架以下簡稱引線框架的技術(shù)要求及檢

()

驗(yàn)規(guī)則

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于雙列沖制型引線框架單列沖制型引線框架亦可參照使用

(DIP)。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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