GB/T 15877-2013半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T15877—2013

代替

GB/T15877—1995

半導體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching

2013-12-31發(fā)布2014-08-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T15877—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范與相比主

GB/T15877—1995《》。GB/T15877—1995

要技術(shù)變化如下

:

關(guān)于第章規(guī)范性引用文件抽樣標準由代替

———2:GB/T2828.1—2012SJ/Z9007—1987,

改為增加引用文件

GB/T14112—1993GB/T14112—2015;GB/T2423.60—2008、SJ20129;

第章增加了標稱長度側(cè)蝕表面腐蝕芯片粘接區(qū)下陷的術(shù)語和定義

———3、、、;

引線框架尺寸中刪除了引線鍵合區(qū)的最小面積金屬間的間隔的有關(guān)內(nèi)容

———4.1,、;

引線框架形狀和位置公差中刪除了精壓區(qū)共面性精壓區(qū)深度的有關(guān)內(nèi)容增加了絕緣

———4.2,、,

間隙芯片粘接區(qū)下陷引線框架內(nèi)部位置公差的有關(guān)要求

、、;

修改了側(cè)彎的要求原標準根據(jù)標稱長度進行規(guī)定本標準規(guī)定側(cè)彎不超過

———“”:,0.051mm;

修改了卷曲的要求原標準中僅規(guī)定了卷曲變形小于標稱條長的本標準根據(jù)材料的

———“”:0.3%,

厚度進行規(guī)定

;

修改了橫彎的要求原標準根據(jù)引線數(shù)及條寬數(shù)進行規(guī)定本標準根據(jù)標稱長度進行規(guī)定

———“”:,;

修改了條帶扭曲的要求原標準中僅規(guī)定了框架扭曲小于本標準將框架扭曲修改

———“”:0.5mm,

為條帶扭曲并根據(jù)材料的厚度進行規(guī)定

,;

修改了引線扭曲的要求原標準中僅規(guī)定了引線扭曲不大于本標準規(guī)定引線扭曲

———“”:0.01mm,

不超過

3°30';

修改了芯片粘接區(qū)斜度的要求原標準中分別規(guī)定了受壓和不受壓情況下的斜度本標準統(tǒng)

———“”:,

一規(guī)定為在長或?qū)捗砍叽缱畲髢A斜

2.54mm0.05mm;

修改了芯片粘接區(qū)平整度的要求本標準將芯片粘接區(qū)平面度修改為芯片粘接區(qū)平整度原

———“”:,

標準根據(jù)引線數(shù)來規(guī)定本標準統(tǒng)一規(guī)定為離每邊處平整度不大于

,0.127mm,0.005mm;

對引線框架外觀中相應(yīng)條款進行了調(diào)整增加了毛刺凹坑壓痕劃痕側(cè)蝕和表面腐蝕

———4.3,、、、、

的有關(guān)要求

;

修改了局部鍍金的要求原標準中規(guī)定鍍金層厚度不小于本標準修改為不小于

———“”:1.0μm,

0.7μm;

修改了局部鍍銀的要求原標準中規(guī)定鍍銀層厚度不小于本標準修改為不小于

———“”:3.8μm,

3μm;

修改了鍍層外觀的要求在原標準的基礎(chǔ)上增加了對鍍層外觀的相關(guān)要求

———“”:,;

增加了銅剝離試驗的有關(guān)要求

———“”;

增加了銀剝離試驗的有關(guān)要求

———“”;

增加了鑒定批準程序的有關(guān)要求

———“”;

修改了檢驗要求的要求原標準采用一次性檢驗方法本標準修改質(zhì)量一致性檢驗為由

———“”:,

組組組檢驗項目組成修改了檢驗要求中的抽樣方案

A、B、C;“”;

修改了貯存的有關(guān)要求原標準鍍銀引線框架保存期為三個月本標準規(guī)定為六個月

———“”:,。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

Ⅰ

GB/T15877—2013

本標準起草單位寧波東盛集成電路元件有限公司

:。

本標準起草人任忠平尹國欽

:、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T15877—1995。

Ⅱ

GB/T15877—2013

半導體集成電路

蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架以下簡稱引線框架的技術(shù)要求和試驗方

()

法及檢驗規(guī)則

。

本標準適用于半導體集成電路蝕刻型雙列封裝引線框架鍍金及鍍銀單列蝕刻型引線框

(DIP)(),

架亦可參照使用

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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