標準解讀

《GB/T 15909-2009 電子工業(yè)用氣體 硅烷(SiH4)》相比于《GB/T 15909-1995 電子工業(yè)用氣體 硅烷(SiH4)》,主要在以下幾個方面進行了更新和調(diào)整:

  1. 范圍與適用性:2009版標準可能對硅烷氣體的應用領(lǐng)域或適用條件進行了細化或擴展,以適應電子工業(yè)技術(shù)的發(fā)展需求。

  2. 技術(shù)要求:新標準對硅烷氣體的純度、雜質(zhì)含量等關(guān)鍵指標提出了更嚴格或更具體的要求,以保證電子元件制造過程中的高質(zhì)量和高可靠性。這包括對特定雜質(zhì)元素的檢測限值設(shè)定和分析方法的改進。

  3. 試驗方法:2009版標準引入了新的或改進的測試方法來測定硅烷氣體的純度和雜質(zhì)含量,這些方法可能更加準確、快速或便捷,符合當代實驗室技術(shù)水平。

  4. 檢驗規(guī)則與包裝、標志、運輸、儲存:標準在產(chǎn)品的檢驗程序、包裝要求、標識信息、安全運輸及儲存條件等方面可能做出了更為詳細的規(guī)定,以確保硅烷氣體在流通和使用過程中的安全性和穩(wěn)定性。

  5. 規(guī)范性引用文件:新標準更新了引用的國家標準、行業(yè)標準或國際標準清單,確保了技術(shù)要求與國際接軌,提升了標準的先進性和通用性。

  6. 術(shù)語和定義:為適應技術(shù)進步和行業(yè)實踐的變化,2009版標準可能新增或修訂了一些專業(yè)術(shù)語和定義,以增強標準的清晰度和一致性。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替,建議下載現(xiàn)行標準GB/T 15909-2017
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-05-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 15909-2009電子工業(yè)用氣體硅烷(SiH4)_第1頁
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文檔簡介

犐犆犛71.100.20

犌86

中華人民共和國國家標準

犌犅/犜15909—2009

代替GB/T15909—1995

電子工業(yè)用氣體硅烷(犛犻犎4)

犌犪狊犳狅狉犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮犻狀犱狌狊狋狉狔—犛犻犾犪狀犲

20091030發(fā)布20100501實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

犌犅/犜15909—2009

前言

本標準代替GB/T15909—1995《電子工業(yè)用氣體硅烷》。

本標準與GB/T15909—1995相比主要變化如下:

———修改規(guī)范性引用文件(GB/T15909—1995的第2章,本版的第2章);

———修改技術(shù)指標內(nèi)容:增加一類產(chǎn)品純度和雜質(zhì)含量,用Cl-表示氯化物總量(GB/T15909—

1995的3.1,本版的3.1);

———修改電性能規(guī)格(GB/T15909—1995的3.2,本版的3.3);

———增加硅烷的采樣安全要求(見4.1.2);

———增加對硅烷尾氣處理的要求(見4.3);

———修改一氧化碳、二氧化碳、氧和氮含量的測定(GB/T15909—1995的4.2、4.6,本版的4.4);

———修改測定氯化物含量所用試劑和溶液的內(nèi)容(GB/T15909—1995的4.3.4,本版的4.5.4);

———修改測定氯化物含量結(jié)果處理公式(GB/T15909—1995的4.3.6,本版的4.5.6);

———增加其他方法測定氯化物含量(見4.5.7);

———修改烴(C1~C3)含量的測定(GB/T15909—1995的4.4,本版的4.6);

———增加其他方法測定氫含量(見4.7.6);

———增加其他方法測定水含量(見4.8);

———增加微量甲硅醚,乙硅烷和甲基硅烷含量的測定(見4.9);

———增加金屬離子含量的測定(見4.10);

———修改標志、包裝、貯運及安全(GB/T15909—1995的第5章,本版的第5章)。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會氣體分會歸口。

本標準起草單位:浙江大學材化學院半導體材料研究所、西南化工研究設(shè)計院。

本標準主要起草人:余京松、周鵬云。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T15909—1995。

犌犅/犜15909—2009

電子工業(yè)用氣體硅烷(犛犻犎4)

1范圍

本標準規(guī)定了硅烷氣體的技術(shù)要求、試驗方法以及包裝、標志、貯運及安全。

本標準適用于電子工業(yè)中多晶硅和單晶硅外延淀積、二氧化硅的低溫化學汽相淀積、非晶硅薄膜淀

積等。

分子式:SiH4。

相對分子質(zhì)量:32.117(按2005年國際相對原子質(zhì)量)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準。

GB190—2009危險貨物包裝標志

GB/T3723工業(yè)用化學產(chǎn)品采樣安全通則

GB5099鋼質(zhì)無縫氣瓶

GB/T5832.1氣體中濕度的測定電解法

GB7144氣瓶顏色標志

GB/T8984氣體中一氧化碳、二氧化碳和碳氫化合物的測定氣相色譜法

GB11640鋁合金無縫氣瓶

GB14193液化氣體氣瓶充裝規(guī)定

氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程

壓力容器安全技術(shù)監(jiān)察規(guī)程

3技術(shù)要求

3.1技術(shù)指標

硅烷的質(zhì)量應符合表1的要求。重金屬含量符合表2的要求。

表1技術(shù)指標

項目指標

-2

硅烷(SiH4)純度(摩爾分數(shù))/10≥99.99499.95

-6

一氧化碳(CO)和二氧化碳(CO2)總含量(摩爾分數(shù))/10<0.25

氯化物總量(摩爾分數(shù))(包括氯硅烷,HCl等可離子化的氯化物,

15

用Cl-表示)/10-6<

-6

烴(C1~C3)含量(摩爾分數(shù))/10<0.210

-6

氫(H2)含量(摩爾分數(shù))/10<50400

-6

氮(N2)含量(摩爾分數(shù))/10<15

氧(氬)含量(摩爾分數(shù))/10-6

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