GB/T 17008-1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號

5s.31.080.30K46中華人民共和國國家標準GB/T17008--1997絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號TerminologyandlettersymbolsForinsulated-gatebipolartransistor1997-10-05發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17008-1997本標準主要依據(jù)下列國際標準或標準草案而制訂：IEC/TC47（CO)1339絕緣柵雙極型品體管的概念I(lǐng)EC/TC47（Sec）1251地緣柵雙極型品體管的新概念和文字符號IEC/TC47（See)1282絕緣柵雙極型品體管的額定值、特性和測試方法IEC747-8第Ⅱ章場效應(yīng)品體管的術(shù)語和文字符號凡上述標準中被本標準采納的術(shù)語和文字符號在技術(shù)內(nèi)容上等效。本標準編寫規(guī)則按等效采用了國際導(dǎo)則的GB/T1.1一1993《標準化工作導(dǎo)則第1單元:標準的起草與表述規(guī)則第1部分：標準編寫的基本規(guī)定》。這樣，通過使我國標準內(nèi)容和編寫規(guī)則盡可能與國際-：一致或等同,以盡快適應(yīng)國際貿(mào)易、技術(shù)和經(jīng)濟交流以及采用國際標準飛躍發(fā)展的需要。本標準由機械工業(yè)部提出。本標準由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會歸口本標準由機械部西安電力電子技術(shù)研究所負責起草本標準主要起草人：秦賢滿

中華人民共和國國家標準絕緣柵雙極型晶體管的詞匯及文字符號GB/T17008--1997Terminologyandlettersymbolsforinsulated-gatebipolartransistor1范圍本標準規(guī)定了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT)的類型、結(jié)構(gòu)、額定值和特性的術(shù)語及通用文字符號.本標準適用于制訂標準、編訂技術(shù)文件、編寫和翻譯專業(yè)手冊、教材及書刊。一般術(shù)語2.1源區(qū)sourceregion多數(shù)載流子流入溝道的起始區(qū)域2.2漏區(qū)drainrcgion接收從溝道流出的多數(shù)載流子的區(qū)域。2.3漏注人區(qū)draininjectorregion位于場效應(yīng)結(jié)構(gòu)的漏區(qū)和漏極間并與漏區(qū)極性相反的半導(dǎo)體界面區(qū)。1當主電流流動時，漏注人區(qū)注入漏區(qū)的附加少數(shù)載流子使漏區(qū)電導(dǎo)增強22在實際器件制作中，IGBT的襯底起溫注人區(qū)的作用。2.4柵區(qū)gatercgion與柵電極連接的，柵極控制電壓產(chǎn)生的電場能起作用的區(qū)域2.5溝道channel在源區(qū)和漏區(qū)之間的半導(dǎo)體薄層·流經(jīng)該海層的電流受柵極電位控制。2.6亞溝道區(qū)subchannelregion源區(qū)和滿區(qū)之間的區(qū)域。?。阂话?，亞溝道區(qū)由兩個不同摻雜部分組成.即形成溝道的輕接雜部分和流過雙極品體管結(jié)構(gòu)的集電極電流的重穆雜部分。2.7漏極drain附于漏注人區(qū)上的電板、2.8集電極端collectorterminal連接漏極的端。2.9源極source附于源區(qū)和部分亞溝道區(qū)上的電極，該部分亞溝道區(qū)流過雙極品體管結(jié)構(gòu)的集電極電流2.10發(fā)射極端emitter