標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 17711-1999 釔鋇銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度Tc的直流電阻試驗(yàn)方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了測量釔鋇銅氧(YBa2Cu3O7-x,簡稱為YBCO)超導(dǎo)薄膜材料臨界溫度Tc時所采用的直流電阻測試的具體步驟、設(shè)備要求、樣品制備及測試環(huán)境條件。然而,您提供的對比項(xiàng)似乎不完整,沒有明確指出要與哪個具體的標(biāo)準(zhǔn)或前一版標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較。但基于該標(biāo)準(zhǔn)本身的內(nèi)容,可以概述其關(guān)鍵要點(diǎn)和可能相對于早期實(shí)踐或指導(dǎo)原則的變化趨勢:
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測試精確度提升:該標(biāo)準(zhǔn)可能對測量精度提出了更嚴(yán)格的要求,以適應(yīng)科研及工業(yè)應(yīng)用中對超導(dǎo)材料性能評估的高準(zhǔn)確性需求。這包括對測試儀器分辨率、穩(wěn)定性以及校準(zhǔn)程序的明確規(guī)定。
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樣品制備規(guī)范:明確了樣品的尺寸、形狀、表面處理及沉積工藝要求,確保測試結(jié)果的可比性和重復(fù)性。這反映了從材料制備到測試流程標(biāo)準(zhǔn)化的進(jìn)步。
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測試環(huán)境控制:強(qiáng)調(diào)了測試過程中對磁場強(qiáng)度、氣體環(huán)境(如氧氣壓強(qiáng))、溫度控制的精確度要求,這些因素都直接影響超導(dǎo)薄膜的臨界溫度測量結(jié)果。
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數(shù)據(jù)分析方法:規(guī)定了如何通過直流電阻的變化來準(zhǔn)確確定超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc,可能引入了更為先進(jìn)的數(shù)據(jù)處理算法或統(tǒng)計(jì)分析方法,以提高結(jié)果的可靠性。
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安全與操作規(guī)范:包含了操作高真空設(shè)備、低溫系統(tǒng)及處理潛在有害材料時的安全指南,體現(xiàn)了對實(shí)驗(yàn)室安全標(biāo)準(zhǔn)的升級。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1999-03-13 頒布
- 1999-10-01 實(shí)施
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GB/T 17711-1999釔鋇銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度Tc的直流電阻試驗(yàn)方法-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS31.030L90中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17711-1999鋇銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度T。的直流電阻試驗(yàn)方法TheDCelectricresistancetestmethodforthecriticaltemperatureTcofaYBaCu3O75superconductingthinfilm1999-03-13發(fā)布1999-10-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)名領(lǐng)銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度T。的直流電阻試驗(yàn)方法GB/T17711-1999中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼:100045電話:63787337、637874471999年8月第一版2005年1月電子版制作書號:155066·1-16022版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話:(010)68533533
GB/T17711-1999本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC/TC90國際標(biāo)準(zhǔn)草案"Nb-Ti復(fù)合超導(dǎo)體剩余電阻比試驗(yàn)方法(RRRWD-1Ver.2)"的制定方法和有關(guān)內(nèi)容。按該國際標(biāo)準(zhǔn)的制定方法,標(biāo)準(zhǔn)的不確定度由循環(huán)測試(RRT)的變化系數(shù)(COV)確定。由國家超導(dǎo)技術(shù)聯(lián)合研究開發(fā)中心組織和資助中國科學(xué)院物理研究所、北京大學(xué)、南京大學(xué)和中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)的有關(guān)實(shí)驗(yàn)室對標(biāo)準(zhǔn)樣品和大量實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行了近兩年的循環(huán)測試,在可靠的實(shí)驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上起草了本標(biāo)準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由國家超導(dǎo)技術(shù)聯(lián)合研究開發(fā)中心歸口本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)資起草單位:中國科學(xué)院物理研究所超導(dǎo)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:鄧廷璋、尹湖、戴遠(yuǎn)東、王世光、程其恒、汪成友參加本標(biāo)準(zhǔn)的循環(huán)測試的還有:楊乾聲、劉宜平、肖玲、王瑞蘭、王煥華、周岳亮、胡曉東、熊光成、連貴君、王繼純、張?jiān)啤钌?、王華兵、周贛東、曹烈兆和阮可青。
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)鈍鋇銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度T。的直流電阻試驗(yàn)方法GB/T17711-1999TheDCelectricresistancetestmethodforthecriticaltemperatureTeofaYBaCugO,ssuperconductingthinfilm1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了億鋇銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜臨界溫度T、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變寬度T、零電阻溫度T的直流電阻試驗(yàn)方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于膜厚為(100~500)nm的艦銅氧(123相)超導(dǎo)薄膜的臨界溫度7e、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變寬度八T,零電阻溫度了。的測定。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于多相和半導(dǎo)體型的視銅氧超導(dǎo)薄膜上述參數(shù)的測定。2定義2.1臨界溫度7。當(dāng)電流、磁場為零時,超導(dǎo)薄膜在某一溫度以下呈現(xiàn)超導(dǎo)電性,此特定溫度規(guī)定為臨界溫度了2.2轉(zhuǎn)變寬度AT超導(dǎo)薄膜由正常態(tài)向超導(dǎo)態(tài)過渡的溫度范圍2.3零電阻溫度7e超導(dǎo)薄膜保持直流電阻為零的最高溫度3Tc.AT和Tco的實(shí)驗(yàn)確定在直流電阻試驗(yàn)方法中,首先應(yīng)測出超導(dǎo)薄膜的直流電阻尺隨溫度了變化的關(guān)系曲線(R-T曲線)·然后,用以下方法確定上述定義的各參數(shù)。3.1Te的確定在直流電阻試驗(yàn)方法中.規(guī)定超導(dǎo)轉(zhuǎn)變部分中點(diǎn)所對應(yīng)的溫度為臨界溫度7。在超導(dǎo)薄膜電阻隨溫度變化的曲線(R-了曲線)上·將遠(yuǎn)離電阻發(fā)生急劇變化的高溫端數(shù)據(jù)作線性擬合.求得一直線A;將超導(dǎo)轉(zhuǎn)變部分中間的數(shù)據(jù)作線性擬合,求得另一直線B.上述二直線的交點(diǎn)所對應(yīng)的電阻值規(guī)定為正常態(tài)電阻尺。.如圖1所示。二分之一R。所對應(yīng)的溫度值規(guī)定為T。值·即Te=T(0.5R.)3.2轉(zhuǎn)變寬度T的確定25%的K。與75%的K。所對應(yīng)的溫度范圍規(guī)定為T,即:AT=T(0.75R)一T(0.25R,)3.3To的確定設(shè)定所用數(shù)字電壓表的噪聲電壓<0.5V,將電壓V。=0.5V作為本方法中超導(dǎo)薄膜失超的判據(jù)。若薄膜
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