GB/T 20228-2021砷化鎵單晶

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標準

GB/T20228—2021

代替GB/T20228—2006

砷化鎵單晶

Galliumarsenidesinglecrystal

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T20228—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替砷化鎵單晶與相比除結構調(diào)整和編輯性

GB/T20228—2006《》,GB/T20228—2006,

改動外主要技術變化如下

,:

更改了標準的適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見第章

b)GB/T13388(2);

刪除了術語和定義中的單晶晶錠的定義見年版的第章

c)“”、(20063);

刪除了按生長方法的分類見年版的增加了按直徑的分類見

d)(20064.1.2),(4.2.2);

刪除了單晶錠的表示方法見年版的

e)(20064.3);

原文件中的單晶單晶錠統(tǒng)一為砷化鎵單晶見第章年版的第章

f)“”“”“”(5,20065);

更改了尺寸的要求見年版的

g)(5.1,20065.3.2);

更改了表面質(zhì)量的要求見年版的

h)(5.2,20065.3.3);

更改了參考面的要求見年版的并增加了試驗方法檢驗規(guī)則中相應的內(nèi)容

i)(5.3,20065.3.1),、

見第章

(6.3、7);

增加了晶向偏離度的要求見

j)(5.4);

更改了非摻半絕緣砷化鎵單晶的霍爾遷移率電阻率的要求見年版的

k)、(5.5,20065.1.2);

增加了截面電阻率不均勻性的要求見及其計算方法見

l)(5.5)(6.5);

增加了摻半絕緣砷化鎵單晶的電學性能要求見

m)C(5.5);

更改了位錯密度的要求見年版的

n)(5.6,20065.2);

更改了組批檢驗項目取樣檢驗結果判定的內(nèi)容見年版的

o)、、、(7.2~7.4,20067.3~7.5);

更改了隨行文件的內(nèi)容見年版的

p)(8.5,20068.3);

增加了訂貨單內(nèi)容見第章

q)“”(9)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位云南中科鑫圓晶體材料有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有色金屬技

:、、

術經(jīng)濟研究院有限責任公司廣東先導先進材料股份有限公司有研光電新材料有限責任公司義烏力

、、、

邁新材料有限公司

。

本文件主要起草人惠峰林作亮普世坤李素青尹國文陳維迪周鐵軍董汝昆羅愛斌林泉

:、、、、、、、、、、

馬英俊賓啟雄皮坤林

、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

Ⅰ

GB/T20228—2021

砷化鎵單晶

1范圍

本文件規(guī)定了砷化鎵單晶的技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存隨行文件及訂

、、、、、、、

貨單內(nèi)容

。

本文件適用于液封直拉法垂直梯度凝固法垂直布里奇曼法生長的用于制備

(LEC)、(VGF)、(VB),

光電子微電子等器件的砷化鎵單晶不適用于水平布里奇曼法生長的砷化鎵單晶

、,(HB)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

GB/T8760

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

半絕緣砷化鎵電阻率霍爾系數(shù)和遷移率測試方法

SJ/T11488、

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件