GB/T 26066-2010硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26066—2010

硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

Practiceforshallowetchpitdetectiononsilicon

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

GB/T26066—2010

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街號(hào)

16

郵政編碼

:100045

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

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年月第一版

20116

*

書號(hào)

:155066·1-42668

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T26066—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位洛陽單晶硅有限責(zé)任公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人田素霞張靜雯王文衛(wèi)周濤

:、、、。

Ⅰ

GB/T26066—2010

硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢

測(cè)方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)或晶向的型或型拋光片或外延片電阻率大于

<111><100>pn,0.001Ω·cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

拋光片或外延片的某些缺陷經(jīng)過熱氧化和擇優(yōu)腐蝕后通過顯微鏡觀察顯示出淺腐蝕坑并用圖表

,

確定和記錄腐蝕坑的程度

。

5意義和用途

51高密度腐蝕坑4個(gè)2表明硅晶片上有金屬沾污其對(duì)半導(dǎo)體器件加工過程是有害的

.(>10/cm),。

52本測(cè)試方法的目的是用于來料驗(yàn)收和過程控制

.。

6干擾因素

61腐蝕過程中產(chǎn)生的氣泡和腐蝕前不適當(dāng)?shù)那逑幢砻鏁?huì)影響觀測(cè)結(jié)果

.。

62腐蝕液使用量不夠會(huì)影響觀測(cè)效果

.。

63擇優(yōu)腐蝕過程中嚴(yán)重的硅片沾污可阻止型硅淺腐蝕坑的形成或使其模糊

.p(<0.2Ω·cm)。

64氧化環(huán)境沾污嚴(yán)重會(huì)增加淺腐蝕坑的密度

.。

7儀器設(shè)備

71高強(qiáng)度窄束光源照度大于的鎢燈絲距光源位置光束直徑

.:16klx(1500fc),100mm20mm~

40mm。

72氫氟酸防護(hù)裝備氟塑料聚乙烯或聚丙烯燒杯量筒鑷子眼罩圍裙手套和防護(hù)套袖