第一章模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_第1頁(yè)
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課堂要求:必須到課。以隨機(jī)抽點(diǎn)方式考勤,3次以上不到者取消期末考試資格;作業(yè)必須按時(shí)、認(rèn)真、獨(dú)立完成。(必須抄題,用尺畫圖,否則返回重寫),缺作業(yè)3次以上者取消期末考試資格;課堂聽講;實(shí)驗(yàn)為6次,任缺1次者取消考試資格;期末總成績(jī)=期末卷面成績(jī)×80%+平時(shí)成績(jī)(10%)+實(shí)驗(yàn)成績(jī)(10%);其中平時(shí)成績(jī)包括考勤、作業(yè)、課堂表現(xiàn),實(shí)驗(yàn)成績(jī)包括實(shí)驗(yàn)報(bào)告及實(shí)驗(yàn)操作等。雙周三的上午交作業(yè),作業(yè)交到逸夫館104。Ch1半導(dǎo)體二極管及其基本電路Ch2雙極性三極管及其放大電路Ch4功率放大電路Ch5集成運(yùn)算放大器Ch6反饋放大電路Ch7集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用Ch8信號(hào)產(chǎn)生電路Ch9小功率直流穩(wěn)壓電源模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)Ch10數(shù)字邏輯基礎(chǔ)Ch11邏輯門電路基礎(chǔ)Ch12組合邏輯電路Ch13觸發(fā)器基礎(chǔ)Ch14時(shí)序邏輯電路Ch15脈沖波形的產(chǎn)生與整形1.1半導(dǎo)體的基本知識(shí)1.2PN結(jié)1.3半導(dǎo)體二極管1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.5特殊二極管第一章半導(dǎo)體二極管及其基本電路1.1半導(dǎo)體基本知識(shí)1.1.1本征半導(dǎo)體1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。1.1.1本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。什么是半導(dǎo)體?什么是本征半導(dǎo)體?典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge(元素半導(dǎo)體)以及砷化鎵GaAs(化合物半導(dǎo)體)等。

導(dǎo)體——鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素,其最外層電子在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng),形成電流。

絕緣體——惰性氣體、橡膠等,其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng),只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。

半導(dǎo)體——硅(Si)、鍺(Ge),均為四價(jià)元素,它們?cè)拥淖钔鈱与娮邮茉雍说氖`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。無(wú)雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。1.1.1本征半導(dǎo)體什么是半導(dǎo)體?什么是本征半導(dǎo)體?1.本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)2.電子空穴對(duì)3.空穴的移動(dòng)本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%,常稱為“九個(gè)9”。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。1.1.1本征半導(dǎo)體4.半導(dǎo)體的特性1.本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺是四價(jià)元素,在原子最外層軌道上的四個(gè)電子稱為價(jià)電子。

圖1.1硅原子空間排列及共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖

(a)硅晶體空間排列(b)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖(c)它們分別與周圍的四個(gè)原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵。共價(jià)鍵中的價(jià)電子為這些原子所共有,并為它們所束縛,在空間形成排列有序的晶體。1.1.1本征半導(dǎo)體2.電子空穴對(duì)

當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí),價(jià)電子能量增高,有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛,而參與導(dǎo)電,成為自由電子。

自由電子產(chǎn)生的同時(shí),在其原來(lái)的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位,原子的電中性被破壞,呈現(xiàn)出正電性,其正電量與電子的負(fù)電量相等,人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個(gè)空位為空穴。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā),也稱熱激發(fā)。

當(dāng)半導(dǎo)體處于熱力學(xué)溫度0K時(shí),半導(dǎo)體中沒有自由電子,本征半導(dǎo)體相當(dāng)于絕緣體。1.1.1本征半導(dǎo)體游離的部分自由電子也可能回到空穴中去,稱為復(fù)合。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會(huì)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。圖1.2本征激發(fā)和復(fù)合的過程可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的,稱為電子空穴對(duì)。1.1.1本征半導(dǎo)體3.載流子的移動(dòng)只不過空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來(lái)實(shí)現(xiàn)的。圖1.3空穴在晶格中的移動(dòng)自由電子的定向運(yùn)動(dòng)形成了電子電流,空穴的定向運(yùn)動(dòng)也可形成空穴電流,它們的方向相反。1.1.1本征半導(dǎo)體4.半導(dǎo)體的特性熱敏特性——當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí),載流子數(shù)目增加,導(dǎo)電能力增強(qiáng);金屬?zèng)]有熱敏特性。1.1.1本征半導(dǎo)體光敏特性——當(dāng)光照射半導(dǎo)體時(shí),載流子數(shù)目增加,導(dǎo)電能力增強(qiáng);金屬?zèng)]有光敏特性。熱敏特性和光敏特性使半導(dǎo)體可以用來(lái)制作熱敏和光敏器件,又是造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體1.N型半導(dǎo)體摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。2.P型半導(dǎo)體3.雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響4.雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì),可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。1.N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素,例如磷,可形成N型半導(dǎo)體,也稱電子型半導(dǎo)體。1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體自由電子多數(shù)載流子(多子),主要由雜質(zhì)原子提供??昭ㄉ贁?shù)載流子(少子),正離子施主雜質(zhì)N型半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)電,摻入雜質(zhì)越多,自由電子濃度越高,導(dǎo)電性越強(qiáng)。P多子由熱激發(fā)形成。2.P型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素,如硼、鎵、銦等形成了P型半導(dǎo)體,也稱為空穴型半導(dǎo)體。1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體由熱激發(fā)形成??昭ǘ鄶?shù)載流子(多子),主要由雜質(zhì)原子提供。少數(shù)載流子(少子),電子In多子負(fù)離子受主雜質(zhì)P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電,摻入雜質(zhì)越多,空穴濃度越高,導(dǎo)電性越強(qiáng)。3.雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響一些典型的數(shù)據(jù)如下:T=300K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度:

ni=pi

=1.4×1010/cm32本征硅的原子濃度:

4.96×1022/cm3

1以上三個(gè)濃度基本上依次相差106/cm3。4摻雜后N型半導(dǎo)體中的自由電子濃度:

ni=5×1016+1.4×1010≈5×1016/cm3比摻雜前載流子增加106,即一百萬(wàn)倍。摻入百萬(wàn)分之一的雜質(zhì)(1/106),即雜質(zhì)濃度為1022×(1/106)=1016數(shù)量級(jí):5×1016/cm331.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體結(jié)論:

不論P(yáng)型或N型半導(dǎo)體,摻雜濃度越大,多子數(shù)目就越多,多子濃度就越大,少子數(shù)目越少,其濃度也小。

在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多子濃度近似等于摻雜濃度,其值與溫度幾乎無(wú)關(guān),而少子濃度也將隨溫度升高而顯著增大,直到少子濃度增大與多子濃度相當(dāng)(不絕對(duì)相等),雜質(zhì)半導(dǎo)體又回復(fù)到類似的本征半導(dǎo)體。

摻雜后,多子濃度都將遠(yuǎn)大于少子濃度,且即使是少量摻雜,載流子都會(huì)有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的增加,表明其導(dǎo)電能力顯著增大。1.2PN結(jié)1.PN結(jié)的形成2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)的電流方程4.PN結(jié)的特性—伏安特性5.PN結(jié)的特性—溫度特性6.PN結(jié)的特性—電容特性

物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、固體均有之。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)。N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于P區(qū)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低,產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的繼續(xù)進(jìn)行。1.2PN結(jié)1.PN結(jié)的形成

因內(nèi)電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。

參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同,達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,就形成了PN結(jié)(耗盡層),電位差為Uho,擴(kuò)散電流和漂移電流大小相等,方向相反,所以對(duì)外電流為零。漂移運(yùn)動(dòng)

由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子,形成內(nèi)電場(chǎng),從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N區(qū)運(yùn)動(dòng)。1.2PN結(jié)1.PN結(jié)的形成由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移阻止多子擴(kuò)散濃度差多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)1.2PN結(jié)1.PN結(jié)的形成PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通:耗盡層變窄,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇,由于外電源的作用,形成擴(kuò)散電流,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止:耗盡層變寬,阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),有利于漂移運(yùn)動(dòng),形成漂移電流。由于電流很小,故可近似認(rèn)為其截止。1.2PN結(jié)2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦訮N結(jié)兩端的外電壓u與流過它的電流i之間的關(guān)系3.PN結(jié)的電流方程IS—反向飽和電流UT=kT/q—溫度電壓當(dāng)量,k為玻耳曼常數(shù)T為熱力學(xué)溫度q為電子電荷量T=300K時(shí),UT≈26mv1.2PN結(jié)A此時(shí)PN結(jié)導(dǎo)通,

u=0.7V,為導(dǎo)通電壓U。4.PN結(jié)的特性—伏安特性1.2PN結(jié)BC(1)u>>UT,即PN結(jié)正向偏置,i隨u的增加而呈指數(shù)上升。當(dāng)u>0.7V后,i的曲線很陡直,基本不隨u變化而變化。(2)當(dāng)

u<0,即PN結(jié)反向偏置時(shí),且當(dāng)|u|>>UT時(shí)4.PN結(jié)的特性—伏安特性1.2PN結(jié)B(3)當(dāng)u<0,且u

超過某一定值,如u<UBR時(shí),i則反向劇增,這種現(xiàn)象就叫擊穿。4.PN結(jié)的特性—伏安特性1.2PN結(jié)C雪崩擊穿與齊納擊穿(1)U(on)隨T↑而略↓,當(dāng)溫度進(jìn)一步增大到極端,本征激發(fā)占主要地位,雜質(zhì)半導(dǎo)體變得與本征半導(dǎo)體類似,PN結(jié)就不存在了。5.PN結(jié)的特性—溫度特性1.2PN結(jié)因此,PN結(jié)正常工作的最高溫度:

Si:150~200℃Ge:75~100℃正向區(qū):溫度升高,曲線左移(2)當(dāng)溫度T↑時(shí),PN結(jié)兩邊的熱平衡少子濃度相應(yīng)增加,從而導(dǎo)致PN結(jié)的反向飽和電流IS增大。5.PN結(jié)的特性—溫度特性1.2PN結(jié)正向區(qū):溫度升高,曲線左移反向區(qū):溫度升高,曲線下移實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:溫度再升高10℃,IS約增加一倍。(1)勢(shì)壘電容

PN結(jié)外加電壓變化時(shí),空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化,有電荷的積累和釋放的過程,與電容的充放電相同,其等效電容稱為勢(shì)壘電容Cb。6.PN結(jié)的特性—電容特性1.2PN結(jié)可制成變?nèi)荻O管(2)擴(kuò)散電容

PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí),在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化,也有電荷的積累和釋放的過程,其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。6.PN結(jié)的特性—電容特性1.2PN結(jié)結(jié)電容

Cj=Cb+Cd正偏時(shí)以Cd為主,其值為幾十~幾百pF;反偏時(shí)以Cb為主,其值為幾~幾十pF.結(jié)電容對(duì)低頻信號(hào)呈現(xiàn)很大的容抗,其作用可以忽略不計(jì),只有在信號(hào)頻率較高時(shí)才考慮結(jié)電容的作用。

結(jié)電容不是常量!若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度,則失去單向?qū)щ娦裕?.3半導(dǎo)體二極管1.3.1二極管的結(jié)構(gòu)1.3.2二極管的伏安特性1.3.3二極管的主要參數(shù)將PN結(jié)封裝,引出兩個(gè)電極,就構(gòu)成了二極管。點(diǎn)接觸型:結(jié)面積小,結(jié)電容小故不能通過較大電流最高工作頻率較高適用于高頻電路和小功率整流面接觸型:結(jié)面積大,結(jié)電容大故允許通過較大電流最高工作頻率較低僅作為整流管平面型:結(jié)面積可小、可大小的工作頻率高大的允許通過較大電流,用作大功率整流1.3.1二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片iDuD1.3.2二極管的伏安特性開啟電壓反向飽和電流擊穿電壓二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。iD/mAuD/ViD/mAuD/V

當(dāng)0<u<Uon時(shí),正向電流為零,Uon稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。

當(dāng)u>Uon時(shí),開始出現(xiàn)正向電流,并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。硅二極管的死區(qū)電壓Uon=0.5V左右,

鍺二極管的死區(qū)電壓Uon=0.1V左右。

硅二極管的正向?qū)妷篣=0.6~0.8V左右,

鍺二極管的正向?qū)妷篣=0.1~0.3V左右。

1.3.2二極管的伏安特性1.單向?qū)щ娦裕?)正向特性iD/mAuD/V

當(dāng)u≥UBR時(shí),反向電流急劇增加,UBR稱為反向擊穿電壓。1.2.2二極管的伏安特性1.單向?qū)щ娦裕?)反向特性

當(dāng)UBR<u<0時(shí),反向電流很小,且基本不隨反向電壓的變化而變化,此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。材料開啟電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V0.1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μAiD/mAuD/V在反向區(qū),硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。

硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡,反向飽和電流也很小,小于0.1μA;鍺二極管的反向擊穿特性比較軟,過渡比較圓滑,反向飽和電流較大,約幾十μA

。從擊穿的機(jī)理上看,硅二極管若|VBR|≥7V時(shí),主要是雪崩擊穿;若|VBR|≤4V時(shí),則主要是齊納擊穿。當(dāng)在4V~7V之間兩種擊穿都有,有可能獲得零溫度系數(shù)點(diǎn)。溫度每升高1℃,正向電壓減少2~2.5mV;1.3.2二極管的伏安特性2.溫度對(duì)二極管伏安特性的影響正向區(qū):溫度升高,曲線左移反向區(qū):溫度升高,曲線下移溫度每升高10℃,反向電流約增大一倍。+--+uIuRR-+IUD能夠模擬二極管特性的電路稱為二極管的等效電路。1.由伏安特性折線化得到的等效電路UIUR1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用理想模型恒壓降模型理想開關(guān)導(dǎo)通時(shí)UD=0截止時(shí)IS=0導(dǎo)通時(shí)UD=Uon截止時(shí)IS=0折線模型+--+uIuRR-+IUDUIUR1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路D215VAOD1解:多個(gè)二極管,電壓大的優(yōu)先導(dǎo)通。D1導(dǎo)通,短路D2截止,斷路UAO=0V試判斷二極管是導(dǎo)通還是截止,設(shè)二極管是理想的。[例1]電路如圖所示,并求出AO兩端電壓UAO,-15V0V××0V-12V×1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路理想二極管+-[例3]電路如圖所示,設(shè)ui=6sinωtV,試?yán)L出輸出電壓uo的波形,設(shè)D為理想二極管。+ui-3VRD1+uo-2VD2解:ui/V

ωto6ui

3VD1導(dǎo)通D2截止uo=3Vui-2VD1截止D2導(dǎo)通uo=-2Vui3V-2VD1截止D2截止uo=ui

uo/V

ωto33-2-2雙向限幅1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路(2)恒壓降模型等效電路:[例3]二極管開關(guān)電路如圖所示,VI1和VI2分別為0V和5V,求輸出電壓VO的值。設(shè)D為硅二極管,導(dǎo)通壓降為0.7V。D16VD2VI1VI2VCCVO解:D1導(dǎo)通,D2截止,VO=0.7+VI1

=0.7V+-0V5V×1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路其電流i與u成線性關(guān)系,(3)折線模型設(shè)二極管正向電壓u大于Uon后,等效電路:直線斜率為1/rD;反向截止時(shí)反向電流為零。1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路uio+-uiUonrDUon[例4]二極管開關(guān)電路如圖所示,VI1和VI2分別為0V和5V,求輸出電壓VO的值。設(shè)D為硅二極管,開啟電壓Von=0.5V,電阻rD=300Ω。D16VD2VI1VI2VCCVO解:D1導(dǎo)通,D2截止,0.5V300Ω0VVOVO=6-0.54700+300300=0.83V+0.56V1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.由伏安特性折線化得到的等效電路2.微變等效電路分析方法ui為正弦周期信號(hào)(小信號(hào)),二極管的工作情況?RuRuDuiRuRuDuiVRuRuDV直流通路交流通路+--+uIuRR-+IUD1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用2.微變等效電路分析方法Q越高,rd越小。

當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動(dòng)態(tài)信號(hào)作用時(shí),則可將二極管等效為一個(gè)電阻,稱為動(dòng)態(tài)電阻,也就是微變等效電路。ui=0時(shí)直流電源作用小信號(hào)作用靜態(tài)電流工程上要求|ΔU∣<5.2mV1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.V=2V、5V、10V時(shí)二極管中的直流電流各為多少?2.若輸入電壓的有效值為5mV,則上述各種情況下二極管中的交流電流各為多少?QIDV=5V時(shí),V=10V時(shí),uD=V-iR2.微變等效電路分析方法1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用V=2V時(shí),V=2V,ID=6.5mAV=5V,ID=21.5mAV=10V,ID≈50mA在伏安特性上,Q點(diǎn)越高,二極管的動(dòng)態(tài)電阻越?。?.微變等效電路分析方法1.4半導(dǎo)體二極管的模型及應(yīng)用1.5特殊二極管1.5.1穩(wěn)壓二極管1.5.2光電二極管1.5.3發(fā)光二極管+-ui

穩(wěn)壓二極管是一種硅材料制成的面接觸型晶體二極管,是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管。1.5.1穩(wěn)壓二極管1.穩(wěn)壓管的伏安特性D1表示穩(wěn)壓管加正向電壓及雖加反向電壓,但未擊穿的情況。D2、UZ、rd串聯(lián)支路表示擊穿后的等效電路。進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流2.穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)

(1)穩(wěn)定電壓UZ——

在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下,所對(duì)應(yīng)的反向擊穿電壓。1.5.1穩(wěn)壓二極管

(2)穩(wěn)定工作電流IZ(IZmin)——穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)的參考電流,若IZ<IZmin則不能穩(wěn)壓。超過Iz

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