- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-12-29 頒布
- 2018-07-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS2510070
J43..
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T3045—2017
代替
GB/T3045—2003
普通磨料碳化硅化學(xué)分析方法
Conventionalabrasive—Chemicalanalysisofsiliconcarbide
(ISO9286:1997,Abrasivegrainsandcrude—
Chemicalanalysisofsiliconcarbide,MOD)
2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T3045—2017
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
表面雜質(zhì)分析
3……………1
樣品制備
3.1……………1
二氧化硅的測(cè)定
3.2……………………1
游離硅的測(cè)定
3.3………………………4
游離碳的測(cè)定
3.4………………………8
酸處理失量的測(cè)定
3.5(LAT)…………11
碳化硅的測(cè)定
3.6………………………12
三氧化二鐵的測(cè)定
3.7…………………14
三氧化二鋁的測(cè)定
3.8…………………15
氧化鈣和氧化鎂的測(cè)定
3.9……………17
三氧化二鐵三氧化二鋁氧化鈣氧化鎂的電感耦合等離子體發(fā)射光譜測(cè)定
3.10、、、………………21
磨料及結(jié)晶塊中碳化硅含量的間接法測(cè)定
4……………23
原理
4.1…………………23
樣品制備
4.2……………23
總碳的測(cè)定
4.3…………………………23
游離碳的測(cè)定
4.4………………………26
試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理
4.5………………………26
允許誤差
4.6……………26
其他分析方法
5……………26
試驗(yàn)報(bào)告
6…………………26
附錄資料性附錄本標(biāo)準(zhǔn)與相比結(jié)構(gòu)變化情況
A()ISO9286:1997…………………27
Ⅰ
GB/T3045—2017
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替普通磨料碳化硅化學(xué)分析方法與相比主要
GB/T3045—2003《》,GB/T3045—2003
變化如下
:
修改了適用范圍見(jiàn)第章年版的第章
———(1,20031);
修改完善了試樣的制備方法見(jiàn)和年版的第章
———(3.14.2,20033);
修改完善了分光光度法測(cè)定二氧化硅的方法并增加了氟硅酸鉀容量法測(cè)定二氧化硅的方法
———,
見(jiàn)年版的第章
(3.2.2,20034);
修改完善了分光光度法測(cè)定硅的方法并增加了氣體容量法測(cè)定硅的方法見(jiàn)年
———,(3.3.2,2003
版的第章
5);
增加了紅外吸收法測(cè)定游離碳和總碳的方法見(jiàn)和
———(3.4.24.3.2);
增加了試樣酸處理失量的測(cè)定見(jiàn)
———(LAT)(3.5)。
增加了原子吸收光譜法測(cè)定三氧化二鐵三氧化二鋁的方法見(jiàn)和
———(AAS)、(3.7.23.8.2);
修改完善了原子吸收光譜法測(cè)定氧化鈣氧化鎂的方法見(jiàn)年版的第
———(AAS)、(3.9.2,200312
章
);
增加了電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定三氧化二鐵三氧化二鋁氧化鈣氧化
———(ICP-AES)、、、
鎂的方法見(jiàn)
(3.10)。
本標(biāo)準(zhǔn)使用重新起草法修改采用磨料和結(jié)晶塊碳化硅的化學(xué)分析
ISO9286:1997《》。
本標(biāo)準(zhǔn)與相比在結(jié)構(gòu)上有較多調(diào)整附錄中列出了本標(biāo)準(zhǔn)與的
ISO9286:1997,AISO9286:1997
章條編號(hào)對(duì)照一覽表
。
本標(biāo)準(zhǔn)與的技術(shù)性差異及其原因如下
ISO9286:1997:
關(guān)于規(guī)范性引用文件本標(biāo)準(zhǔn)做了具有技術(shù)性差異的調(diào)整以適應(yīng)我國(guó)的技術(shù)條件調(diào)整的情
———,,,
況集中反映在第章規(guī)范性引用文件中具體調(diào)整如下
2“”,:
用修改采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的代替
●GB/T4676ISO9138:1993;
中二氧化硅的測(cè)定采用氟硅酸鉀容量法硅的測(cè)定采用氣體容量法本標(biāo)準(zhǔn)
———ISO9286:1997,,;
除修改采用上述方法外還增加了分光光度法以適應(yīng)低含量試樣的檢測(cè)
,;
中游離碳和總碳的測(cè)定采用吸收重量法或庫(kù)侖法本標(biāo)準(zhǔn)除修改采用吸收重
———ISO9286:1997,;
量法外還增加了紅外吸收法和灼燒減量法測(cè)定游離碳的方法增加了紅外吸收法測(cè)定總碳的
,,
方法
;
本標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)碳化硅的測(cè)定增加了三酸處理重量法
———;
增加了電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測(cè)定三氧化二鐵三氧化二鋁氧化鈣氧化鎂含量的
———、、、
方法
;
增加了碳化硅結(jié)晶塊中其他化學(xué)成分的測(cè)定
———;
刪除了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的附錄因?yàn)槠鋬H指明了其他可使用的方法本標(biāo)準(zhǔn)已有部分在條文中進(jìn)行
———A,,
了規(guī)定
;
刪除了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的附錄其規(guī)定了碳化硅化學(xué)分析因測(cè)試技術(shù)變化的允許偏差本標(biāo)準(zhǔn)在條
———B,,
文中進(jìn)行了規(guī)定
。
本標(biāo)準(zhǔn)做了如下編輯性修改
:
將標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為普通磨料碳化硅化學(xué)分析方法
———《》。
Ⅲ
GB/T3045—2017
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)磨料磨具標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC139)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位鄭州磨料磨具磨削研究所有限公司平頂山易成新材料有限公司蘭州河橋硅電
:、、
資源有限公司
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳學(xué)彬駱苗地喬倩夏軍王文蘇燕李松祥達(dá)朝鴻包華
:、、、、、、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T3045—1989、GB/T3045—2003。
Ⅳ
GB/T3045—2017
普通磨料碳化硅化學(xué)分析方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅磨料及結(jié)晶塊中二氧化硅游離硅游離碳酸處理失量總碳碳化硅三氧化
、、、、、、
二鐵三氧化二鋁氧化鈣氧化鎂的測(cè)定方法
、、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅含量不小于的磨料及結(jié)晶塊的化學(xué)成分測(cè)定
95%。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
普通磨料取樣方法
GB/T4676(GB/T4676—2003,ISO9138:1993,MOD)
3表面雜質(zhì)分析
本章適用于磨料原始粒度狀態(tài)或結(jié)晶塊破碎至一定粒度后表面雜質(zhì)的分析
。
31樣品制備
.
311原始粒度狀態(tài)磨料
..
按照進(jìn)行取樣并縮分至于下的烘箱中干燥取出放入干
GB/T467650g~60g,(110±5)℃1h,,
燥器中冷卻備用
,。
312結(jié)晶塊
..
按照取具有統(tǒng)計(jì)代表性的結(jié)晶塊破碎至完全通過(guò)篩網(wǎng)混勻用四分法分至
GB/T4676,2mm,,
繼續(xù)用鋼研缽研細(xì)至全部通過(guò)篩網(wǎng)用吸力的磁鐵吸出粉碎中帶
50g~60g。355μm。9.8N~14.7N
入的鐵質(zhì)然后混勻裝入試樣袋于的烘箱中干燥取出放入干燥器中冷卻
。,
溫馨提示
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