標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30869-2014 太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化 測試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了用于太陽能電池生產(chǎn)的硅片厚度及其總厚度變化的測量方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅和多晶硅材料制成的硅片。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，硅片厚度指的是從硅片一個表面到另一個表面之間的垂直距離；而總厚度變化（TTV）則是指在同一硅片上測得的最大厚度與最小厚度之差。這些參數(shù)對于確保太陽能電池性能的一致性和可靠性至關(guān)重要。

標(biāo)準(zhǔn)中推薦了幾種不同的測量技術(shù)來確定硅片厚度和TTV值，包括但不限于接觸式探針法、非接觸式光學(xué)干涉法等。每種方法都有其適用范圍和技術(shù)要求，比如在使用接觸式探針進(jìn)行測量時，需要特別注意探針的壓力大小以避免損壞樣品；而非接觸式的光學(xué)干涉法則可以提供更高精度的測量結(jié)果但可能成本相對較高。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實(shí)施
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GB/T 30869-2014太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30869—2014

太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化

測試方法

Testmethodforthicknessandtotalthickness

variationofsiliconwafersforsolarcell

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30869—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位東方電氣集團(tuán)峨嵋半導(dǎo)體材料有限公司有研半導(dǎo)體材料股份有限公司樂山新

:、、

天源太陽能科技有限公司青洋電子材料有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何紫軍馮地直程宇黎陽陳琳荊旭華劉卓

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30869—2014

太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化

測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能電池用硅片以下簡稱硅片厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測量方法

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合規(guī)定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測量分立

GB/T26071、GB/T29055,

式測量方法適用于接觸式及非接觸式測量掃描式測量方法只適用于非接觸式測量在測量儀器準(zhǔn)許

,。

的情況下本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度及總厚度變化的測量

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

太陽能電池用硅單晶切割片

GB/T26071

太陽電池用多晶硅片

GB/T29055

3方法提要

31分立點(diǎn)式測量

.

在硅片對角線交點(diǎn)和對角線上距兩邊的個對稱位置點(diǎn)測量硅片厚度見圖硅片中

15mm4(1)。

心點(diǎn)厚度作為硅片的標(biāo)稱厚度個厚度測量值中的最大厚度與最小厚度的差值稱作硅片的總厚度

。5

變化

。

圖1分立點(diǎn)式測量的測量點(diǎn)位置

32掃描式測量

.

硅片置于平臺上在硅片中心點(diǎn)進(jìn)行厚度測量測量值為硅片的標(biāo)稱厚度然后從點(diǎn)開始按

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