GB/T 32814-2016硅基MEMS制造技術(shù)基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforcriterionoftheSOIwaferbasedMEMSprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32814—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片清洗

4.2……………2

掩膜制備

4.3……………2

干法刻蝕

4.4……………4

結(jié)構(gòu)釋放

4.5……………5

硅片去掩膜

4.6…………………………7

工藝加工能力

5……………7

工藝能力要求

5.1………………………7

工藝穩(wěn)定性要求

5.2……………………8

工藝保障條件要求

6………………………8

人員要求

6.1……………8

環(huán)境要求

6.2……………8

設(shè)備要求

6.3……………8

原材料及輔助材料要求

7…………………9

安全與環(huán)境操作要求

8……………………9

安全

8.1…………………9

化學試劑

8.2……………10

排放

8.3…………………10

檢驗

9………………………10

總則

9.1…………………10

關(guān)鍵工藝檢驗

9.2………………………10

最終檢驗

9.3……………11

GB/T32814—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位西北工業(yè)大學中機生產(chǎn)力促進中心

:、。

本標準主要起草人苑偉政謝建兵李海斌喬大勇馬志波常洪龍劉偉

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了采用硅片進行器件加工時應遵循的工藝要求和質(zhì)量檢驗要求

SOIMEMS。

本標準適用于硅基制造技術(shù)中基于硅片的器件的加工和質(zhì)量檢驗

MEMSSOIMEMS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

31

.

絕緣體上硅silicon-on-insulatorSOI

;

在兩層硅中間引入一層氧化層形成一種硅二氧化硅硅的三明治結(jié)構(gòu)的技術(shù)其中頂層硅稱

,“--”。

為器件層底層硅稱為襯底層二氧化硅層稱為埋層

(devicelayer),(handlelayer),(buriedlayer)。

注目前制備硅片的技術(shù)包括注氧隔離技術(shù)硅片鍵合和背面減薄

:SOI(separationbyimplantedoxygen,SIMOX)、

技術(shù)和將鍵合與注入相結(jié)合的智能剝離技術(shù)

(bondingSOI,BSOI)(smartcut)。

32

.

釋放releasing

使結(jié)構(gòu)中的可動部分與其余部分分離使其可動的過程

MEMS,。

33

.

深反應離子刻蝕deepreactivelonetchingDRIE

;

一種具有高深寬比的反應離子刻蝕方法通常采用感應耦合等離子體