標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 36705-2018 氮化鎵襯底片載流子濃度的測試 拉曼光譜法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),專門針對氮化鎵(GaN)材料中載流子濃度的測定方法進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)采用拉曼光譜技術(shù)作為主要手段來實(shí)現(xiàn)對氮化鎵襯底片內(nèi)載流子濃度的非接觸式測量。

在具體應(yīng)用過程中,首先需要準(zhǔn)備符合要求的氮化鎵樣品,并確保其表面清潔無污染。接下來使用適當(dāng)?shù)募す夤庠醇ぐl(fā)樣品產(chǎn)生散射光,通過收集并分析這些散射光中的拉曼信號來獲取關(guān)于樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)及載流子狀態(tài)的信息。由于不同載流子濃度條件下,氮化鎵材料的晶格振動模式會發(fā)生變化,從而導(dǎo)致拉曼峰位移、強(qiáng)度等參數(shù)有所不同,因此可以通過對比實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與已知標(biāo)準(zhǔn)曲線或理論模型來進(jìn)行定量分析。

本標(biāo)準(zhǔn)還詳細(xì)描述了實(shí)驗(yàn)條件的選擇原則,包括但不限于激光波長、功率密度以及探測器靈敏度等因素如何影響最終結(jié)果準(zhǔn)確性;同時(shí)給出了數(shù)據(jù)處理流程建議,如背景扣除方法、峰值擬合算法等關(guān)鍵步驟的具體操作指南。此外,《GB/T 36705-2018》還強(qiáng)調(diào)了重復(fù)性和再現(xiàn)性測試的重要性,為保證不同實(shí)驗(yàn)室之間獲得一致可靠的測量結(jié)果提供了指導(dǎo)。

該標(biāo)準(zhǔn)適用于科研機(jī)構(gòu)、高校及相關(guān)企業(yè),在進(jìn)行新型半導(dǎo)體材料研發(fā)時(shí)作為參考依據(jù)之一,特別是對于那些致力于提高氮化鎵基器件性能的研究者來說尤為重要。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的測試程序和技術(shù)要求,可以有效地評估和控制氮化鎵材料的質(zhì)量特性,進(jìn)而促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展。


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  • 2018-09-17 頒布
  • 2019-06-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36705—2018

氮化鎵襯底片載流子濃度的測試

拉曼光譜法

Testmethodforcarrierconcentrationofgalliumnitridesubstrates—

Ramanspectrummethod

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36705—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司中關(guān)村天

:、、

合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司中國電子

、、、

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人鄭樹楠張育民石林邱永鑫王建峰徐科付雪濤楊素心丁曉民陸敏

:、、、、、、、、、、

楊建

GB/T36705—2018

氮化鎵襯底片載流子濃度的測試

拉曼光譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用拉曼光譜測試型氮化鎵襯底片載流子濃度的方法

N。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在藍(lán)寶石碳化硅硅氮化鎵材料上生長的型氮化鎵襯底片載流子濃度的測試

、、、N。

測試范圍17-320-3

:1×10cm~1×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

在一定溫度下物質(zhì)晶格中的原子各自在其平衡位置附近作微振動晶格振動晶格振動的能量用

,(),

聲子表示氮化鎵材料中一定濃度的載流子與晶格振動相互作用可以形成縱光學(xué)聲子與載流子的耦

。,

合模簡稱該耦合??梢栽诶庾V上出現(xiàn)低頻支高頻

(LOphonon-plasmoncoupledmode,LOPC),、

支常標(biāo)記為和的特征峰該特征峰的峰位隨載流

(lowerandupperfrequencybranches,LPP-LPP+)。

子濃度的變化而改變通過峰位的變化可計(jì)算出載流子濃度本方法通過拉曼光譜可實(shí)現(xiàn)對型氮化

,。N

鎵襯底片載流子濃度的微區(qū)測試測量直徑為

,0.7μm~2μm。

5干擾因素

51拉曼光譜常用來檢測薄膜材料中的應(yīng)力因此需要在測試時(shí)考慮應(yīng)力引入的影響當(dāng)載流子濃度

.,。

較低時(shí)約17-3以極化聲子模的峰位對載流子濃度進(jìn)行計(jì)算為了消除應(yīng)力對極

(<3×10cm),A1(LO),

化聲子模峰位產(chǎn)生的影響可采用氮化鎵材料拉曼光譜中H峰位來標(biāo)定樣品的應(yīng)力狀態(tài)根

A1(LO),E2,

據(jù)式推得極化聲子模峰位因受應(yīng)力影響而產(chǎn)生的移動

(1)A1(LO):

.×(ω)

ω'=ω-08E-568

AA………………(1)

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