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文檔簡介
第四章材料的力學(xué)性能
材料的力學(xué)性能是結(jié)構(gòu)材料應(yīng)用的主要方面。彈性模量、密度、熱容量等對材料內(nèi)部缺陷不敏感,是非結(jié)構(gòu)敏感性能。
強度、韌性等力學(xué)性能是結(jié)構(gòu)敏感性能。
同一材料,也會因其缺陷程度上的差異而具有不同的強度和韌性?!?.1彈性
所有固體材料在外加應(yīng)力的作用下都會發(fā)生形狀的改變,當(dāng)應(yīng)力不夠大時,應(yīng)力和應(yīng)變滿足虎克定律:σij=Cijklεkl
σij、εkl為二階對稱張量
σij=σjiεkl
=εlk
σi
=
Cijεj
Cij:彈性剛度系數(shù),簡稱為彈性系數(shù)。
ε12為(001)面的切變,C44與(001)面內(nèi)的形變有關(guān),如果晶體的成鍵方向在(001)面內(nèi),晶體的彈性系數(shù)就高,使晶體發(fā)生切變所要求的應(yīng)力也就越高。在只有ε11≠0其余εij=0條件下
C12
表征與正應(yīng)力垂直方向的正應(yīng)變難易的一個彈性系數(shù)。
對稱性高的立方晶體,在只有ε11≠0,作坐標(biāo)軸繞Z軸旋轉(zhuǎn)450,彈性系數(shù)非零的獨立分量C11、C12、C44作以下矩陣變換
√2
√2
0
2
2[T]=-√2
√20
2
2001由張量的定義可知ε
?12
=a11a21
ε11+a12a21
ε21
+a13a
21ε31
+a11a
22ε12+
a12a22
ε22
+
a13a22
ε32
+a11a23
ε13
+
a12a23
ε23
+a13a23
ε33ε
?12
=a11a21
ε11=-1/2ε11各向同性介質(zhì)的立方晶體的3個彈性系數(shù)滿足下面的關(guān)系式:
A稱各向異性的量度。A=1時,晶體是各向同性的;A≠1時,各向異性晶體,偏離1越大,各向異性也越大。σ′12=(C11-C12)ε′12同理:σ
?12=-1/2
σ11+1/2σ22=-1/2c11ε11+1/2c12ε11
σ
?12=2c44ε
?12=-c44ε11體心立方金屬
[111]方向鍵成直線排列,[111]方向的彈性最強。
[100]方向,相鄰鍵成Z形排列,沿[100]方向拉伸時,鍵在拉長的同時發(fā)生旋轉(zhuǎn),使[100]方向的彈性系數(shù)要比[111]方向小。
[110]方向相鄰鍵也成Z形排列。但[110]方向上相鄰鍵之間的夾角大于[001]方向上相鄰鍵之間的夾角,[100]方向上原子結(jié)合力強,[110]方向上的彈性系數(shù)小于[100]方向上的彈性系數(shù),各向異性因子A>1。
面心立方金屬在所有(110)方向上相鄰原子組成線性鍵,拉伸引起鍵的變化,可能會比[100]方向拉伸更困難一些,各向異性因子A>1。
離子化合物相鄰鍵在【100】方向排成直線,【100】方向上彈性系數(shù)大,【110】方向上的彈性系數(shù)小,A通常小于1bac【110】【010】
金剛石、閃鋅礦、螢石結(jié)構(gòu)中,沿<111>方向成鍵,組成不連續(xù)的鍵,沿[111]方向拉伸合涉及到鍵的彎曲和拉伸,使得A=1。
硅酸鹽材料中含SiO4四面體,硅、氧原子可以形成不同的單體,也可由硅氧四面體連接各種不同類型的結(jié)構(gòu)。硅氮四面體采用共頂點聯(lián)結(jié),可以形成包含SiO3單鍵(輝石)、SiO11雙鍵(閃石)、SiO5雙鍵、Si205雙鍵、Si6019雙鍵。由Si3O9、Si6018組成的環(huán)或?qū)訝罟杷猁},
鏈狀硅酸鹽中,平行于鏈的方向上成鍵較強,此方向的彈性模量也較大,垂直于鏈的方向的模量相對較弱。由硅氧四面體共頂點,可以組成多種不同的環(huán),在環(huán)所在的平面內(nèi)彈性系數(shù)較大,垂直于環(huán)的方向上則彈性系數(shù)較小。
如果硅氧環(huán)彼此聯(lián)結(jié),形成硅氧四面體層,便構(gòu)成層狀硅酸鹽,彈性各向異性和解理就變得十分明顯,晶體很容易沿平行于四面體層所在的面解理,典型例于就是云母,白云母Al[A1Si3010]OH8的四面體。如果硅氧四面體組成三維網(wǎng)絡(luò),便形成骨架狀硅酸鹽,如石英。由于成鍵接近于各向同性,因此硬度和彈性系數(shù)的各向異性很小,也不存在解理面。多晶材料的彈性
單晶材料的彈性由原子間的結(jié)合特性、晶體的對稱性等因數(shù)所決定,同類完整晶體有相類似的彈性,保持了同一性。
多晶材料由大量晶粒組成,除了晶界結(jié)構(gòu)對材料性能的影響之外,材料中每個晶粒的應(yīng)變不僅受該晶粒本身的取向影響,也受到相鄰晶粒取向的制約。形變中每個晶粒必須與周圍晶粒協(xié)調(diào)一致,從面使多晶材料的彈性性能成為每個單晶性能的某種平均,可以用近似方法求解。在極端情況下得到多晶材料的彈性:
§4.2硬度
硬度:材料抵抗局部外來機械作用,定量判斷材料的硬度,普遍采用壓痕測試法,將特定材料、特定形狀的壓頭在一定載荷下壓入待測試祥,測定。布氏硬度120HBS10/1000/30表示直徑為10mm的鋼球在1000kgf(9.807kN)載荷作用下保持30s測得的布氏硬度值為120洛氏硬度h1-h0洛氏硬度測試示意圖洛氏硬度計
維氏硬度超硬材料
晶體的硬度由組成原子間的結(jié)合強度所決定。結(jié)合鍵越強,硬度也就越高。共價鍵晶體有固定的鍵長和鍵角,鍵的強度很高,因此,共價鍵晶體的硬度很高。金剛石是典型的純共價鏈晶體,每個鏈有相同的強度,結(jié)構(gòu)中沒有薄弱環(huán)節(jié),因此十分堅硬。碳化物、硼化物、氯化物具有強烈的共價鍵性質(zhì),立方氮化硼、碳化硼和碳化硅硬度都很高。
除了低的離子性、高配位數(shù)的影響外,硬度與鍵長的3.5次方成反比,是影響硬度的一個主要因素。強共價晶體存在于B—C—N體系,因此,超硬材料只存在子B—C—N體系中。由于金剛石具有超硬材料的典型特征,因此把其他超硬材料又叫做類金剛石材料。
同一晶體,不同晶面上的原子密度和排列方式不同,硬度也不相同,一般說來,原子密度高的面,硬度也高,金剛石八面體的晶面{111}上碳原子密度大,每個表面原于由3個鍵所固定,因而硬度最高,{110
}面次之。
通常將維氏硬度超過40GPa的材料叫做超硬材料。超硬材料:金剛石、立方氮化硼、C3N4等。結(jié)構(gòu)特點:強共價鍵、離子性低;熔點、熔合能高;配位數(shù)高、原子密度高。性能特征:高體模量、高楊氏模量,低泊松比,高導(dǎo)熱系數(shù),低膨脹系數(shù),高熔點等優(yōu)點。
金剛石是天然材料中最硬,原子密度、熱導(dǎo)率、楊氏模量最高的材料。金剛石對紅外到紫外光都是透明的,電子在金剛石中導(dǎo)帶的能量高于真空中電子的能量,電子在很小以至不加電場的情況下就可離開金剛石表面,因此,金剛石是非常好的冷陰極材料。
石墨在結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變中,六角環(huán)上的部分原子朝一個方向移動,形成“船形”結(jié)構(gòu),石墨就轉(zhuǎn)變成了六角金剛石(纖鋅礦型),六角金剛石與石墨間存在下列取向關(guān)系:§4.3位錯對材料力學(xué)性能的影響
位錯引起晶體局部原子的排列發(fā)生畸變,在晶體中產(chǎn)生應(yīng)力場。這種應(yīng)力場與位錯類型、位錯線的形狀等因素有關(guān)。位錯應(yīng)力場與其他因素產(chǎn)生的應(yīng)力場,比如溶質(zhì)原子、其他位錯、雜質(zhì)原子或原子集團等產(chǎn)生的應(yīng)力場相互作用,對材料的力學(xué)性能產(chǎn)生作用。位錯與溶質(zhì)原子的相互作用
溶質(zhì)原子直徑比溶劑原子小得多的話,溶質(zhì)原子占據(jù)間隙位置而不產(chǎn)生較大的點陣畸變,形成間隙式因溶體。相差很小,它們形成替代式因溶體。由于溶質(zhì)、溶劑原子大小的不同,當(dāng)晶體中存在缺陷時,它們與缺陷的相互作用引起合金的強化。
正刃型位錯使晶體上半部相對于下半部多出半個原子面,如果令位錯位于x—z平面上,多余的半原子面為y—o—z平面,則刃型位錯的應(yīng)力場由下列方程:
挖取一個體積為V0溶劑原子的球,再填人V溶質(zhì)原子。由于兩者體積差△v,為了保持介質(zhì)的連續(xù)性,必須克服位錯的應(yīng)力場作功,溶質(zhì)原子與位錯的交互作用能在數(shù)值上等子位錯應(yīng)力場作功的負(fù)值。溶質(zhì)原子呈球形對稱時,只有正應(yīng)力分量作功。?U=-(σxx+σyy+σzz)?V/3=Asinθ/r*?Vρ
∝1/dσ=σ0+αμbρ-1/2
霍爾-皮奇關(guān)系合金強化機理
(1)固溶強化金屬中加入其他元素,通過形成固溶體來提高合金的強度溶質(zhì)原子聚集在靜止位錯附近,對位錯釘扎和位錯運動的摩擦力阻止位錯運動,引起明顯的抵抗材料屈服。這種釘扎作用除科垂耳氣團、斯諾克氣團外,還存在鈴木氣團、靜電作用。鈴木氣團
合金的層錯能較低時,位錯將分解成層錯和不全位錯。溶質(zhì)原子在層錯、基體兩部分的濃度不同,改變了局部成分,改變層錯的寬度,溶質(zhì)原子的這種不均勻分布也阻礙位錯的運動,稱作化學(xué)釘扎,溶質(zhì)原子與層錯的這種組態(tài)又叫做鈴木氣團。鈴木氣團與溫度關(guān),在高溫下,其作用更加明顯,對材料的蠕變性能有較大的影響。靜電作用
刃型位錯附近產(chǎn)生晶格畸變,引起費米能改變,導(dǎo)致電子從受壓縮區(qū)流向膨脹區(qū),在多余半原子面方向上產(chǎn)生電偶極現(xiàn)象。電子重新分布產(chǎn)生一電勢,使電子勢能發(fā)生改變,以抵消費米能的改變,使晶體各處的費米能恢復(fù)一致,位錯的電荷也達(dá)到平衡,使膨脹了的位錯核心帶負(fù)
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