選好顆粒自己超頻DDR31333超1600實(shí)戰(zhàn)指導(dǎo)

::.word版本可編輯..1選好顆粒，自己超頻！DDR31333超1600實(shí)戰(zhàn)指導(dǎo)(局部一)100DDR316002001600？DDR31333DDR31600DDR31333DDR31333DDR31600DDR31333目前，DDR313331600DDR313334GB100200DDR31333IntelSNBIvyBridgeAMD/APU理器，都允許用戶自由超頻。假設(shè)內(nèi)存頻率跟不上處理器，處理器超頻很可能失敗。即便你不打算超頻處理器，DDR313332GB/4GBDDR31600，200利而無一害的好事。DDR32023，系統(tǒng)性能前后比照〔i7860〕PCMarkV/3DMarkV/PWinRAR3.92SuperPI〔小〕25選對顆粒，DDR31333DDR32300DDR31333DDR31600DDR3DDR3DDR31333DDR31600DDR31800APUDDR31333DDR32300！2GB/4GBDDR31333顆粒，就能買到超頻強(qiáng)悍的內(nèi)存。小貼士：內(nèi)存顆粒PCB看到內(nèi)存顆粒是其他品牌。內(nèi)存廠商常常會選購各種不同品牌的內(nèi)存顆粒，因此金士頓內(nèi)存上有時是三星顆粒，有時是爾必達(dá)顆粒。而打算內(nèi)存超頻性能的，主要是內(nèi)存顆粒，因此咱們在選擇超頻內(nèi)存時，主要看顆粒型號。三星HCH9常見于：三星2GB單條；三星4GB單條〔窄版〕；三星4GB單條〔金條〕；創(chuàng)見4GB單條；DDR32133，但是不能調(diào)整任何延遲參數(shù)，否則可能無DDR31800爾必達(dá)BCSE常見于：金士頓4GB單條〔寬版〕；1.8VDDR3DDR3都上不去。這種顆粒目前已經(jīng)比較少了，據(jù)傳其本身有肯定的缺陷，無法到達(dá)設(shè)計要求。爾必達(dá)BDBG常見于：宇瞻黑豹金品系列；金士頓HyperX系列；超頻力量淺析：1.6V下跑1600，1.65VDDR318001.7V~1.8V1800~2023MHz。但這種顆粒的體質(zhì)差異較大，因此在高端內(nèi)存上可以看到，在低端內(nèi)存中也能找到。但即便是使用這種顆粒的低端內(nèi)存，上DDR31600爾必達(dá)BABG常見于：金士頓2GB單條；1.65VDDR31800，目前使用較少，并且多見于低端內(nèi)存上。Spectek常見于：威剛4GB單條〔萬紫千紅〕；金泰克2GB單條超頻力量淺析：spectek2G4GDDR31500也無法超到更高。鎂光D9LGK常見于：創(chuàng)見4GB單條；DDR31500DDR31600?，F(xiàn)代H9c常見于：威剛2G單條〔萬紫千紅〕超頻力量淺析：這種顆粒各種檔次的內(nèi)存都在用。局部體質(zhì)較好的用在高端內(nèi)存上，常常被標(biāo)到DDR316001800也很多。力晶常見于：各種中高端內(nèi)存；宇瞻、金士頓、威剛的ETT內(nèi)存；超頻力量淺析：可能是市面上最為奇特的顆粒，遍布中高端內(nèi)存市場，各種品牌、各種檔次的內(nèi)存都會使用這種顆粒。但是大局部力晶顆粒都被打磨上內(nèi)存廠商自己的LOGO，金士頓、威剛等品牌的低端內(nèi)存都大量使用這種顆粒，因此我們很難觀察其“真身”。力晶顆粒的超頻性能也是一個謎，以往其A3G系列顆粒依據(jù)后綴字母的不同，超頻性能還可以明哪種差一些。DDR31600DDR31800推舉指數(shù)：★★★☆小貼士：ETTETT就LOGO；UTT就是完全不測的顆粒，好不好看天命，靠內(nèi)存廠商自己挑；DowngradeMajorETTMajorETTUTTDowngrade■各種顆粒超頻性能一覽表顆粒最正確超頻電壓最正確超頻頻率備注HCH91.6VDDR318661.7V2133，但幾率較小爾必達(dá)BCSE1.7V左右DDR31600市面承受這種顆粒的內(nèi)存較少，據(jù)傳設(shè)計有缺陷，不建議購置1866求1800存超頻性能都好D9LGK1.5VDDR31333現(xiàn)代H9C1.6V左右DDR31600承受這種顆粒的內(nèi)存較多，普遍超頻性能較好，建議購置1.6VETT經(jīng)典系列Intel在SandyBridge平臺上想超內(nèi)存必需使用主板BIOIS中固定的分頻選項，目前大多數(shù)P67主板已內(nèi)存的體質(zhì)因素，不能盲目的提升內(nèi)存頻率，否則極有可能消滅黑屏等超頻失敗的結(jié)果。頻率設(shè)定：SNB理器，從最低端的G6202600K，100MHz，13.33，那么1600。通過更改這里的設(shè)置，我們就能自由設(shè)定內(nèi)存頻率。延遲設(shè)置：在設(shè)定完頻率后，我們再來進(jìn)展內(nèi)存的延遲設(shè)置。事實(shí)上，絕大多數(shù)用戶超頻內(nèi)存失敗，都是由于延遲沒有設(shè)置好。先來看一張DDR3SPD調(diào)得越高，否則內(nèi)存無法在高頻率下穩(wěn)定運(yùn)行?！裨O(shè)定內(nèi)存延遲參數(shù)CPU-ZCAS#”“RAS#Precharge”“tRAS”4DDR3133316007-7-7-208-8-8-22。超頻電壓設(shè)置：CPU-ZDDR31.5V，0.2V，1.7V●設(shè)定內(nèi)存工作電壓頻率，但在超頻同時仍舊需要留意幾個問題。1、內(nèi)存時序和電壓。IntelAMD法和遵循的規(guī)章同樣一樣，用戶可參考前面Intel平臺的介紹來做設(shè)置?！馎MD2、DRAMDriveS