GB/T 4937.12-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：掃頻振動(dòng)

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493712—2018/IEC60749-122002

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第12部分掃頻振動(dòng)

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part12Vibrationvariablefreuenc

:,qy

(IEC60749-12:2002,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493712—2018/IEC60749-122002

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493712—2018/IEC60749-122002

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:;

第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493712。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-12:2002《12:

掃頻振動(dòng)

》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人遲雷彭浩岳振鵬李樹杰崔波高金環(huán)裴選張艷杰

:、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493712—2018/IEC60749-122002

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第12部分掃頻振動(dòng)

:

1范圍

的本部分的目的是測(cè)定在規(guī)定頻率范圍內(nèi)振動(dòng)對(duì)器件的影響本試驗(yàn)是破壞性試

GB/T4937,。

驗(yàn)通常用于有空腔的器件

,。

本試驗(yàn)與基本一致但鑒于半導(dǎo)體器件的特殊要求采用本部分的條款

GB/T2423.10—2008,,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)振動(dòng)正弦

GB/T2423.10—20082:Fc:()

(IEC60068-2-6:1995,IDT)

3試驗(yàn)設(shè)備

本試驗(yàn)所需設(shè)備包括能在規(guī)定條件下進(jìn)行掃頻振動(dòng)的振動(dòng)裝置以及試驗(yàn)后進(jìn)行測(cè)量所必需的光

,

學(xué)和電氣設(shè)備

。

4試驗(yàn)程序

樣品應(yīng)剛性地安裝在振動(dòng)臺(tái)上引出端和電纜也應(yīng)安全固定以避免引入額外的引線共振應(yīng)使樣

,,。

品做簡諧振動(dòng)其振幅兩倍幅值為峰峰值或其峰值加速度為2取較小者振動(dòng)頻

,1.5mm(-),200m/s,。

率在范圍內(nèi)近似對(duì)數(shù)變化從再回到的整個(gè)頻率范圍的振

20Hz~2000Hz。20Hz~2000Hz20Hz

動(dòng)時(shí)間不應(yīng)少于在XY和Z個(gè)方向上各進(jìn)行次這樣的循環(huán)共次