GB/T 42709.5-2023半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件第5部分：射頻MEMS開關(guān)

ICS31200

CCSL.40

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件

第5部分射頻MEMS開關(guān)

:

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part5RFMEMSswitches

:

IEC62047-52011IDT

(:,)

2023-05-23發(fā)布2023-09-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

開關(guān)操作術(shù)語

3.1………………………2

開關(guān)結(jié)構(gòu)術(shù)語

3.2………………………2

驅(qū)動(dòng)方式術(shù)語

3.3………………………2

開關(guān)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)術(shù)語

3.4…………………2

可靠性術(shù)語

3.5…………………………3

電特性術(shù)語

3.6…………………………3

基本額定值和特性

4………………………5

標(biāo)識(shí)和類型說明

4.1……………………5

應(yīng)用和規(guī)格說明

4.2……………………5

極限值和工作條件

4.3…………………5

直流和射頻特性

4.4……………………6

機(jī)械和環(huán)境特征

4.5……………………6

附加信息

4.6……………6

測(cè)試方法

5…………………6

通則

5.1…………………6

直流特性

5.2……………7

射頻特性

5.3……………10

開關(guān)特性

5.4……………14

可靠性

6……………………14

通則

6.1…………………14

壽命周期

6.2……………15

溫度循環(huán)

6.3……………16

高溫高濕試驗(yàn)

6.4………………………16

沖擊試驗(yàn)

6.5……………17

振動(dòng)試驗(yàn)

6.6……………17

靜電放電敏感度試驗(yàn)

6.7………………17

附錄資料性射頻開關(guān)的一般說明

A()MEMS………18

附錄資料性射頻開關(guān)的幾何結(jié)構(gòu)

B()MEMS………19

Ⅰ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

附錄資料性射頻開關(guān)的封裝

C()MEMS……………22

附錄資料性射頻開關(guān)的失效機(jī)制

D()MEMS………23

附錄資料性射頻開關(guān)的應(yīng)用

E()MEMS……………24

附錄資料性射頻開關(guān)的測(cè)試程序

F()MEMS………25

附錄資料性本文件與章條編號(hào)對(duì)照

NA()IEC62047-5:2011………26

Ⅱ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件的第部分已經(jīng)發(fā)布了以

GB/T42709《》5。GB/T42709

下部分

:

第部分射頻開關(guān)

———5:MEMS;

第部分用于射頻控制和選擇的體聲波濾波器和雙工器

———7:MEMS;

第部分電子羅盤

———19:。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件第部分射頻

IEC62047-5:2011《5:MEMS

開關(guān)

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

納入了勘誤表內(nèi)容所涉及的條款的外側(cè)頁邊空白位置用垂直

———IEC62047-5:2011/Cor1:2012

雙線進(jìn)行了標(biāo)示

(‖)。

增加了附錄資料性

———NA()。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出并歸口

。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司北京大學(xué)北京必

:、、、

創(chuàng)科技股份有限公司河北美泰電子科技有限公司

、。

本文件主要起草人劉若冰李博張威陳得民崔波翟曉飛

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

引言

本文件適用于射頻開關(guān)明確了射頻開關(guān)的基本額定值和特性的術(shù)語定義

MEMS,MEMS、、

符號(hào)和參數(shù)測(cè)試方法等有利于更好地指導(dǎo)相關(guān)行業(yè)從業(yè)人員進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)測(cè)試使用等工作

,、、。

半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件擬由以下部分組成

GB/T42709《》:

第部分薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定薄膜材料的拉伸試驗(yàn)方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸試驗(yàn)用的薄膜標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)片目的在于規(guī)定薄膜材料拉伸試驗(yàn)用試驗(yàn)片

———3:。MEMS

的相關(guān)要求

。

第部分射頻開關(guān)目的在于規(guī)定射頻開關(guān)的術(shù)語定義特性要求測(cè)試方

———5:MEMS。MEMS、、

法等

。

第部分薄膜材料軸向疲勞試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定薄膜材料的軸向疲勞試驗(yàn)

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射頻控制和選擇的體聲波濾波器和雙工器目的在于規(guī)定體

———7:MEMS。MEMS

聲波諧振器濾波器和雙工器的術(shù)語定義特性要求測(cè)試方法等

、、、。

第部分薄膜拉伸特性測(cè)量的帶材彎曲試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定用于測(cè)量薄膜拉伸特性的

———8:。

帶材彎曲試驗(yàn)方法

。

第部分晶圓鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定晶圓的鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)方法

———9:MEMS。MEMS。

第部分懸空材料的線性熱膨脹系數(shù)測(cè)試方法目的在于規(guī)定懸空材料的

———11:MEMS。MEMS

線性熱膨脹系數(shù)測(cè)試方法

。

第部分采用結(jié)構(gòu)諧振法的薄膜材料撓曲疲勞試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料撓曲疲勞試驗(yàn)方法

。

第部分結(jié)構(gòu)粘附強(qiáng)度試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定結(jié)構(gòu)的粘附強(qiáng)度試驗(yàn)

———13:MEMS。MEMS

方法

。

第部分薄膜殘余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定

———16:MEMS。

薄膜殘余應(yīng)力的晶圓曲率和懸臂梁撓度兩種試驗(yàn)方法

MEMS。

第部分電子羅盤目的在于規(guī)定電子羅盤的術(shù)語定義特性要求測(cè)試方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比測(cè)試方法目的在于規(guī)定薄膜材料的泊松比測(cè)試

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性襯底導(dǎo)電薄膜的機(jī)電拉伸測(cè)試方法目的在于規(guī)定導(dǎo)電薄膜材料的

———22:。MEMS

機(jī)電性能拉伸試驗(yàn)方法

。

第部分微溝槽和針結(jié)構(gòu)的描述和試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定微溝槽和針結(jié)構(gòu)的描

———26:。MEMS

述和試驗(yàn)方法

。

第部分玻璃熔結(jié)結(jié)構(gòu)的粘結(jié)強(qiáng)度試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定玻璃熔結(jié)結(jié)構(gòu)的粘結(jié)強(qiáng)

———27:MCT。

度的試驗(yàn)方法

MCT。

第部分室溫下懸空導(dǎo)電薄膜的機(jī)電松弛試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定器件的懸空導(dǎo)

———29:。MEMS

電薄膜在室溫下的機(jī)電松弛試驗(yàn)方法

。

第部分諧振器非線性振動(dòng)測(cè)試方法目的在于規(guī)定諧振器的非線性振動(dòng)

———32:MEMS。MEMS

性能測(cè)試方法

。

第部分柔性機(jī)電器件彎曲變形電特性測(cè)試方法目的在于規(guī)定柔性機(jī)電器件的彎曲變形

———35:。

狀態(tài)電特性測(cè)試方法

。

Ⅳ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

第部分壓電薄膜的環(huán)境及介電耐受試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定壓電薄膜的

———36:MEMS。MEMS

環(huán)境及介電耐受性能試驗(yàn)方法

。

第部分互連中金屬粉末膏體粘附強(qiáng)度試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定互連中金

———38:MEMS。MEMS

屬粉末膏體粘附強(qiáng)度的試驗(yàn)方法

。

第部分慣性沖擊開關(guān)閾值測(cè)試方法目的在于規(guī)定慣性沖擊開關(guān)的閾值

———40:MEMS。MEMS

測(cè)試方法

。

Ⅴ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

半導(dǎo)體器件微電子機(jī)械器件

第5部分射頻MEMS開關(guān)

:

1范圍

本文件界定了用于評(píng)估和確定射頻開關(guān)的基本額定值和特性的術(shù)語定義和符號(hào)描述了

MEMS、,

參數(shù)測(cè)試方法

。

本文件適用于各種類型的射頻開關(guān)射頻開關(guān)的一般說明見附錄按接觸方式

MEMS,MEMSA。

分類包括直流觸點(diǎn)型開關(guān)和電容觸點(diǎn)型開關(guān)按結(jié)構(gòu)分類包括串聯(lián)開關(guān)和并聯(lián)開關(guān)射頻開

,;,,MEMS

關(guān)的幾何結(jié)構(gòu)說明見附錄按開關(guān)網(wǎng)絡(luò)分類包括單刀單擲開關(guān)單刀雙擲開關(guān)和雙刀雙擲開關(guān)等按

B;,、;

驅(qū)動(dòng)方式分類包括靜電驅(qū)動(dòng)開關(guān)熱電驅(qū)動(dòng)開關(guān)電磁驅(qū)動(dòng)開關(guān)和壓電驅(qū)動(dòng)開關(guān)等射頻開關(guān)

,、、。MEMS

在多頻帶或多模式移動(dòng)電話智能雷達(dá)系統(tǒng)可重構(gòu)射頻器件和系統(tǒng)軟件無線電電話測(cè)試設(shè)

、、、SDR()、

備可調(diào)諧器件和系統(tǒng)衛(wèi)星等方面應(yīng)用廣泛射頻開關(guān)的應(yīng)用說明見附錄

、、,MEMSE。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分掃頻振動(dòng)

GB/T4937.12—201812:(IEC60749-12:

2002,IDT)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度

GB/T4937.27—2023