GB/T 4937.27-2023半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第27部分：靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試機(jī)器模型(MM)

ICS3108001

CCSL.40.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第27部分靜電放電ESD敏感度測(cè)試

:()

機(jī)器模型MM

()

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part27ElectrostaticdischareESDsensitivittestin—

:g()yg

MachinemodelMM

()

IEC60749-272012IDT

(:,)

2023-05-23發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法的第部分已經(jīng)發(fā)布了

GB/T4937《》27。GB/T4937

以下部分

:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分靜電放電敏感度測(cè)試人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度測(cè)試機(jī)器模型

———27:(ESD)(MM);

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分溫濕度貯存

———42:。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電

IEC60749-27:2012《27:

敏感度測(cè)試機(jī)器模型

(ESD)(MM)》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

將圖中的電氣圖形符號(hào)改為符合所有部分規(guī)定的電氣圖形符號(hào)

a)4.2.41GB/T4728();

第章表中的等級(jí)電壓后面增加了電壓符號(hào)U

b)51“”“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

Ⅰ

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所河北北芯半導(dǎo)體科技有限公司安徽高芯

:、、

眾科半導(dǎo)體有限公司武漢格物芯科技有限公司河北中電科航檢測(cè)技術(shù)服務(wù)有限公司佛山市川東磁

、、、

電股份有限公司廣東省中紹宣標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院有限公司

、。

本文件主要起草人遲雷高金環(huán)高蕾辛長(zhǎng)林彭浩張瑞霞黃杰何黎趙鵬魏兵劉洪剛

:、、、、、、、、、、、

顏天寶王介

、。

Ⅱ

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

引言

半導(dǎo)體器件是電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的通用基礎(chǔ)產(chǎn)品為電子系統(tǒng)中的最基本單元半導(dǎo)

,,GB/T4937《

體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法是半導(dǎo)體器件進(jìn)行試驗(yàn)的基礎(chǔ)性和通用性標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于評(píng)價(jià)和考核半導(dǎo)體

》,

器件的質(zhì)量和可靠性起著重要作用擬由個(gè)部分構(gòu)成

,44。

第部分總則目的在于規(guī)定半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法的通用準(zhǔn)則

———1:。。

第部分低氣壓目的在于檢測(cè)元器件和材料避免電擊穿失效的能力

———2:。。

第部分外部目檢目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件的材料設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)標(biāo)志和工藝質(zhì)量是否符合

———3:。、、、

采購(gòu)文件的要求

。

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)?zāi)康脑谟谝?guī)定強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)以檢

———4:(HAST)。(HAST),

測(cè)非氣密封裝半導(dǎo)體器件在潮濕環(huán)境下的可靠性

。

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)?zāi)康脑谟谝?guī)定穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)以檢測(cè)非氣密

———5:。,

封裝半導(dǎo)體器件在潮濕環(huán)境下的可靠性

。

第部分高溫貯存目的在于在不施加電應(yīng)力條件下檢測(cè)高溫貯存對(duì)半導(dǎo)體器件的影響

———6:。,。

第部分內(nèi)部水汽測(cè)量和其他殘余氣體分析目的在于檢測(cè)封裝過(guò)程的質(zhì)量并提供有關(guān)氣

———7:。,

體在管殼內(nèi)的長(zhǎng)期化學(xué)穩(wěn)定性的信息

。

第部分密封目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件的漏率

———8:。。

第部分標(biāo)志耐久性目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件上的標(biāo)志耐久性

———9:。。

第部分機(jī)械沖擊目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件和印制板組件承受中等嚴(yán)酷程度沖擊的適應(yīng)

———10:。

能力

。

第部分快速溫度變化雙液槽法目的在于規(guī)定半導(dǎo)體器件的快速溫度變化雙液槽法

———11:。()

的試驗(yàn)程序失效判據(jù)等內(nèi)容

、。

第部分掃頻振動(dòng)目的在于檢測(cè)在規(guī)定頻率范圍內(nèi)振動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體器件的影響

———12:。,。

第部分鹽霧目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件耐腐蝕的能力

———13:。。

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件引線封裝界面和引線的牢

———14:()。/

固性

。

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱目的在于檢測(cè)通孔安裝的固態(tài)封裝半導(dǎo)體器件承受波

———15:。

峰焊或烙鐵焊接引線產(chǎn)生的熱應(yīng)力的能力

。

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)目的在于規(guī)定空腔器件內(nèi)存在自由粒子的檢測(cè)方法

———16:(PIND)。。

第部分中子輻照目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性

———17:。。

第部分電離輻射總劑量目的在于規(guī)定評(píng)估低劑量率電離輻射對(duì)半導(dǎo)體器件作用的加

———18:()。

速退火試驗(yàn)方法

。

第部分芯片剪切強(qiáng)度目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體芯片安裝在管座或基板上所使用的材料和工

———19:。

藝步驟的完整性

。

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響目的在于通過(guò)模擬貯存在倉(cāng)庫(kù)或干

———20:。

燥包裝環(huán)境中塑封表面安裝半導(dǎo)體器件吸收的潮氣進(jìn)而對(duì)其進(jìn)行耐焊接熱性能的評(píng)價(jià)

,。

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸目的

———20-1:、、。

在于規(guī)定對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的塑封表面安裝半導(dǎo)體器件操作包裝運(yùn)輸和使用的

、、

方法

。

第部分可焊性目的在于規(guī)定采用鉛錫焊料或無(wú)鉛焊料進(jìn)行焊接的元器件封裝引出端的

———21:。

可焊性試驗(yàn)程序

。

第部分鍵合強(qiáng)度目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件鍵合強(qiáng)度

———22:。。

Ⅲ

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

第部分高溫工作壽命目的在于規(guī)定隨時(shí)間的推移偏置條件和溫度對(duì)固態(tài)器件影響的

———23:。,

試驗(yàn)方法

。

第部分加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)?zāi)康脑谟跈z測(cè)非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)

———24:。

境下的可靠性

。

第部分溫度循環(huán)目的在于檢測(cè)半導(dǎo)體器件元件及電路板組件承受由極限高溫和極限

———25:。、

低溫交變作用引發(fā)機(jī)械應(yīng)力的能力

。

第部分靜電放電敏感度測(cè)試人體模型目的在于規(guī)定可靠可重復(fù)的

———26:(ESD)(HBM)。、

測(cè)試方法

HBMESD。

第部分靜電放電敏感度測(cè)試機(jī)器模型目的在于規(guī)定可靠可重復(fù)的

———27:(ESD)(MM)。、MM

測(cè)試方法

ESD。

第部分靜電放電敏感度測(cè)試帶電器件模型器件級(jí)目的在于規(guī)定可靠可

———28:(ESD)(CDM)。、

重復(fù)的測(cè)試方法

CDMESD。

第部分閂鎖試驗(yàn)?zāi)康脑谟谝?guī)定檢測(cè)集成電路閂鎖特性的方法和閂鎖的失效判據(jù)

———29:。。

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理目的在于規(guī)定非密封表面安裝器

———30:。

件在可靠性試驗(yàn)前預(yù)處理的標(biāo)準(zhǔn)程序

。

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的目的在于檢測(cè)塑封器件是否由于過(guò)負(fù)荷引起內(nèi)

———31:()。

部發(fā)熱而燃燒

。

第部分塑封器件的易燃性外部引起的目的在于檢測(cè)塑封器件是否由于外部發(fā)熱造成

———32:()。

燃燒

。

第部分加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸煮目的在于確認(rèn)半導(dǎo)體器件封裝內(nèi)部失效機(jī)理

———33:。。

第部分功率循環(huán)目的在于通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件內(nèi)部芯片和連接器施加循環(huán)功率損耗來(lái)檢

———34:。

測(cè)半導(dǎo)體器件耐熱和機(jī)械應(yīng)力能力

。

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)顯微鏡檢查目的在于規(guī)定聲學(xué)顯微鏡對(duì)塑封電子元器件

———35:。

進(jìn)行缺陷分層裂紋空洞等檢測(cè)的方法

(、、)。

第部分穩(wěn)態(tài)加速度目的在于規(guī)定空腔半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)加速度的試驗(yàn)方法以檢測(cè)其結(jié)

———36:。,

構(gòu)和機(jī)械類型的缺陷

。

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)

———37:。

方法對(duì)表面安裝器件跌落試驗(yàn)可重復(fù)檢測(cè)同時(shí)復(fù)現(xiàn)產(chǎn)品級(jí)試驗(yàn)期間常見(jiàn)的失效模式

,,。

第部分帶存儲(chǔ)的半導(dǎo)體器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定帶存儲(chǔ)的半導(dǎo)體器件工作

———38:。

在高能粒子環(huán)境下如阿爾法輻射的軟錯(cuò)誤敏感性的試驗(yàn)方法

()。

第部分半導(dǎo)體器件用有機(jī)材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解度測(cè)量目的在于規(guī)定應(yīng)用于半導(dǎo)

———39:。

體器件封裝用有機(jī)材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解度的測(cè)量方法

。

第部分采用應(yīng)變儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定采用應(yīng)變儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方

———40:。

法對(duì)表面安裝器件跌落試驗(yàn)可重復(fù)檢測(cè)同時(shí)復(fù)現(xiàn)產(chǎn)品級(jí)試驗(yàn)期間常見(jiàn)的失效模式

,,。

第部分非易失性存儲(chǔ)器可靠性試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定非易失性存儲(chǔ)器有效耐久性數(shù)

———41:。、

據(jù)保持和溫度循環(huán)試驗(yàn)的要求

。

第部分溫濕度貯存目的在于規(guī)定檢測(cè)半導(dǎo)體器件耐高溫高濕環(huán)境能力的試驗(yàn)方法

———42:。。

第部分半導(dǎo)體器件的中子輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定檢測(cè)高密度集

———44:(SEE)。

成電路單粒子效應(yīng)的試驗(yàn)方法

(SEE)。

所有部分均為一一對(duì)應(yīng)采用所有部分以保證半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法與國(guó)

GB/T4937()IEC60749(),

際標(biāo)準(zhǔn)一致實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件檢驗(yàn)方法可靠性評(píng)價(jià)質(zhì)量水平與國(guó)際接軌通過(guò)制定該系列標(biāo)準(zhǔn)確定

,、、。,

統(tǒng)一的試驗(yàn)方法及應(yīng)力同時(shí)完善半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)體系

,。

Ⅳ

GB/T493727—2023/IEC60749-272012

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第27部分靜電放電ESD敏感度測(cè)試

:()

機(jī)器模型MM

()

1范圍

本文件依據(jù)半導(dǎo)體器件對(duì)規(guī)定的機(jī)器模型靜電放電所造成損傷或退化的敏感度建

(MM)(ESD),

立了半導(dǎo)體器件測(cè)試和分級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)程序本文件相對(duì)于人體模型用作一種可選的測(cè)試方

ESD。ESD,

法目的是提供可靠可重復(fù)的測(cè)試結(jié)果以此進(jìn)行準(zhǔn)確分級(jí)

,、ESD,。

本文件適用于半導(dǎo)體器件屬于破壞性試驗(yàn)

,。

半導(dǎo)體器件的測(cè)試從本文件人體模型見(jiàn)或