GB/T 5252-1985鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法

UDC669.783621.315.592620.193中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB5252—85錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity1985-07-22發(fā)布1986-07-01實(shí)施：標(biāo)國(guó)家批準(zhǔn)

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)UDC669.783：621.315.592錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度：620.193GB5252-85測(cè)量方法Germaniummonocrystal-nspectlonordislocationetchpitdenslty本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度0～100.000cm～的N型和P型鉻單晶棒或片的位錯(cuò)密度或其他缺陷的測(cè)量。觀察面為（111）、（100）和（113）面。1定義1.1位錯(cuò)單晶中,部分原子受應(yīng)力的作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯(cuò)線，簡(jiǎn)稱位錯(cuò)。1.2位錯(cuò)密度單單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度稱為位錯(cuò)密度（cm/cm'）。本標(biāo)準(zhǔn)指單位表面上位錯(cuò)腹蝕坑的數(shù)目（個(gè)/cm）。1.3位錯(cuò)堆某區(qū)域的位錯(cuò)密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯(cuò)密度五倍以上，且其面積大于視場(chǎng)面積五倍以上，則稱此區(qū)域?yàn)槲诲e(cuò)堆（圖1）。1.4平底坑，這里稱平底坑。單晶經(jīng)化學(xué)腐蝕后，除位錯(cuò)腐蝕坑外，還有一些淺坑，它可能是由于空位或晶體的夾雜（如SiO.）等因素所致（圖2)。1.5小角度晶界單晶中取向差很小的小晶粒的交界面稱為小角度晶界。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上，且長(zhǎng)度在1.5mm以上。（1I1）面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)一系列以角頂著底邊的排列形式（圖3）。1.6滑移線（位錯(cuò)排）由于沿著滑移面滑移，在晶體表面形成的線稱滑移線或位錯(cuò)排。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上，且長(zhǎng)度在1.5mm以上。（111）面的滑移線，位錯(cuò)腐蝕坑按（110〉方向排列成行，每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上（圖4）。1.7星形結(jié)構(gòu)由許多位錯(cuò)腐蝕坑在宏觀上排列成三角形或六角形的星形結(jié)構(gòu)（圖5）。1.8夾雜晶體中存在異質(zhì)顆粒。2原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕法顯示位錯(cuò)腐蝕坑，其原理是基于位錯(cuò)周圍的晶格發(fā)生畸變，在晶體表面的露頭處，對(duì)某些化學(xué)腐蝕劑反應(yīng)速度較快，結(jié)果形成具有某種特定形狀的腐蝕坑。于是用單位面積上