標準解讀

《GB/T 5252-1985 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》是一項國家標準，主要規(guī)定了鍺單晶材料中位錯腐蝕坑密度的測定方法。該標準適用于通過化學腐蝕手段，在特定條件下于鍺單晶表面形成與位錯相關的蝕刻坑，并據(jù)此來計算單位面積上位錯的數(shù)量。

根據(jù)標準內(nèi)容，首先需要準備一定尺寸和形狀的鍺單晶樣品，然后采用適當?shù)那逑磩┤コ砻嫖廴疚?。接下來，將處理好的樣品放入預先配制好的腐蝕液中進行腐蝕處理。腐蝕液的選擇及其濃度、溫度等條件對于正確顯示位錯至關重要。完成腐蝕后，需使用顯微鏡觀察樣品表面形成的蝕刻坑形態(tài)特征，并統(tǒng)計單位面積內(nèi)的蝕刻坑數(shù)量。最后，基于所獲得的數(shù)據(jù)，可以計算出鍺單晶中的位錯密度。

此過程中需要注意的是，實驗操作時應嚴格控制各種參數(shù)如時間、溫度以及溶液成分等，以確保結(jié)果準確可靠。此外，還應對儀器設備定期校準維護，保證測量精度。通過遵循本標準規(guī)定的步驟執(zhí)行測試，能夠有效評估鍺單晶材料內(nèi)部缺陷情況，為后續(xù)應用提供重要參考依據(jù)。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 5252-2006
  • 1985-07-22 頒布
  • 1986-07-01 實施
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UDC669.783621.315.592620.193中華人民共和國國家標準GB5252—85錯單晶位錯腐蝕坑密度測量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity1985-07-22發(fā)布1986-07-01實施：標國家批準

中華人民共和國國家標準UDC669.783：621.315.592錯單晶位錯腐蝕坑密度：620.193GB5252-85測量方法Germaniummonocrystal-nspectlonordislocationetchpitdenslty本標準適用于位錯密度0～100.000cm～的N型和P型鉻單晶棒或片的位錯密度或其他缺陷的測量。觀察面為（111）、（100）和（113）面。1定義1.1位錯單晶中,部分原子受應力的作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯線，簡稱位錯。1.2位錯密度單單位體積內(nèi)位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm'）。本標準指單位表面上位錯腹蝕坑的數(shù)目（個/cm）。1.3位錯堆某區(qū)域的位錯密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯密度五倍以上，且其面積大于視場面積五倍以上，則稱此區(qū)域為位錯堆（圖1）。1.4平底坑，這里稱平底坑。單晶經(jīng)化學腐蝕后，除位錯腐蝕坑外，還有一些淺坑，它可能是由于空位或晶體的夾雜（如SiO.）等因素所致（圖2)。1.5小角度晶界單晶中取向差很小的小晶粒的交界面稱為小角度晶界。要求1mm長度內(nèi)位錯腐蝕坑在15個以上，且長度在1.5mm以上。（1I1）面上的位錯腐蝕坑呈現(xiàn)一系列以角頂著底邊的排列形式（圖3）。1.6滑移線（位錯排）由于沿著滑移面滑移，在晶體表面形成的線稱滑移線或位錯排。要求1mm長度內(nèi)位錯腐蝕坑在15個以上，且長度在1.5mm以上。（111）面的滑移線，位錯腐蝕坑按（110〉方向排列成行，每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上（圖4）。1.7星形結(jié)構(gòu)由許多位錯腐蝕坑在宏觀上排列成三角形或六角形的星形結(jié)構(gòu)（圖5）。1.8夾雜晶體中存在異質(zhì)顆粒。2原理采用擇優(yōu)化學腐蝕法顯示位錯腐蝕坑，其原理是基于位錯周圍的晶格發(fā)生畸變，在晶體表面的露頭處，對某些化學腐蝕劑反應速度較快，結(jié)果形成具有某種特定形狀的腐蝕坑。于是用單位面積上

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