GB/T 5252-2006鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5252—2006代替GB/T5252—1985錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T5252-2006前本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T5252—1985《錯(cuò)單品位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法》的修訂本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比.主要變動(dòng)如下：-將原標(biāo)準(zhǔn)中的適用范圍改為0cm-～100000cm2；-取消了原標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)磨砂牌號(hào)的規(guī)定；-更正原標(biāo)準(zhǔn)中位錯(cuò)密度單位。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T5252—1985。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：余懷之.劉建平。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：-GB/T5252-1985。

GB/T5252—2006錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法T范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度0cm一～100000m一的n型和p型錯(cuò)單品棒或片的位錯(cuò)密度或其他缺陷的測(cè)量。觀察面為(111)、(100)和(113)面。2術(shù)語和定義以下術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)21位錯(cuò)dislocation單晶中.部分原子受應(yīng)力的作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯(cuò)線，簡(jiǎn)稱2.2位錯(cuò)密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度稱為位錯(cuò)密度（cm/cm')。本標(biāo)準(zhǔn)指單位表面上位錯(cuò)腐蝕坑的數(shù)目（個(gè)/cm）.23位錯(cuò)堆pile-upofdislocation某區(qū)域的位錯(cuò)密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯(cuò)密度5倍以上,且其面積大于視場(chǎng)面積5倍以上·則稱此區(qū)域?yàn)槲诲e(cuò)堆(圖1)。24平底坑flatbasepit單品經(jīng)化學(xué)腐蝕后，除位錯(cuò)腐蝕坑外，還有一些淺坑，這里稱平底坑。它可能是由于空位或晶體的夾雜(如SiO、)等因素所致(圖2)。2.5小角度晶界Lsmall-angleboundary單品中取向差很小的小品粒的交界面稱為小角度品界。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上,且長(zhǎng)度在1.5mm以上。（111)面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)一系列以角頂著底邊的排列形式(圖3)。2.6滑移線（位錯(cuò)排）slipline由于沿著滑移面滑移，在品體表面形成的線稱滑移線或位錯(cuò)排。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上.且長(zhǎng)度在1.5mm以上。（111)面上的滑移線.位錯(cuò)腐蝕坑按二110>方向排列成行，每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上（圖4）。27星形結(jié)構(gòu)starstru