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吉時利經(jīng)典測試測量和行業(yè)解決方案吉時利為精度和速度開發(fā)的解決方案多種產(chǎn)品,從儀器到臺式解決方案、再到系統(tǒng)吉時利解決方案精確進(jìn)行各種低電平測量能夠測量最低0.0000000000000001A的電流和0.000000001V電壓及更多指標(biāo)!21項R&D100大獎,以及SemiconductorInternational、SolidStateTechnology、ElectronicProducts、Test&MeasurementWorld等雜項授予的多項榮譽(yù)多位諾貝爾獎得主使用吉時利產(chǎn)品進(jìn)行研究源測量單元(SMU)儀器的倡導(dǎo)者在一臺儀器中融合DMM+電源+等等!吉時利為精度和速度開發(fā)的解決方案我們的設(shè)備用在哪些地方?半導(dǎo)體二極管/晶體管/場效應(yīng)管IGBT/Triac/powernMOSFET等大功率器件材料光電材料納米材料電化學(xué)數(shù)據(jù)采集連接器/電纜老化測試IC芯片的LLCR電源可穿戴設(shè)備的低功耗測試電源設(shè)計和系統(tǒng)集成半導(dǎo)體應(yīng)用一

--二極管/晶體管/場效應(yīng)管IV曲線測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源半導(dǎo)體應(yīng)用二

--DC到DC轉(zhuǎn)換器測試SMUs可以讓用戶靈活地同時提供和測量電流和電壓。VOUT端子上的電流源使得用戶能夠改變負(fù)載。通過使用兩條通道,吉時利SMU進(jìn)一步簡化了測試,因為用戶只需要對一臺儀器編程。:通道1通道2半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源半導(dǎo)體應(yīng)用三

--IGBT/powernMOSFET等大功率器件測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源典型參數(shù)擊穿電壓(Bvdss,Bvceo)開態(tài)電流(Vdson,Vcesat,Vf)漏極/集電極泄漏(Idss,Ir/Icbo,Iceo)閾值或截止電壓(Vth,Vf,Vbeon)基極泄漏(Igss,Ib)正向傳輸(yfs,Gfs,Hfe,gain)電容(Ciss,Coss,Crss)05February20238材料應(yīng)用一

--光電材料及器件測試(LaserDiode)LIV系統(tǒng)測LD的應(yīng)用半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源材料應(yīng)用一

--光電材料及器件測試(太陽能電池)

半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源雙通道脈沖測量單元半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源材料應(yīng)用二

--納米材料測試(CNTFET)減少能耗和電流漂移

研究高速響應(yīng)材料應(yīng)用三

--電化學(xué)材料相關(guān)應(yīng)用(電池充放電測試)

Model2450或2460配置為電池充電/放電觸摸屏顯示器可以編程,為用戶提供更新的測試數(shù)據(jù),如電池電壓、負(fù)載電流和經(jīng)過的測試時間半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源數(shù)據(jù)采集應(yīng)用一

--連接器/電纜的導(dǎo)通性與絕緣性測試(LLCR)半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源導(dǎo)通電阻絕緣電阻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用二

--汽車安全氣囊橋路,短路,絕緣電阻測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源短路電阻<0.1橋路電阻

=2±Tol絕緣電阻>10M(1M)觸點檢查<~20電源應(yīng)用一

--可穿戴設(shè)備的低功耗測試半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源運(yùn)行狀態(tài)/喚醒每個pulse可能只持續(xù)幾微秒。電流可能達(dá)到數(shù)安培深度睡眠電流可能在幾納安培之小電流睡眠待機(jī)Time電流在幾u(yù)A到mA不等電流在幾u(yù)A到mA之間不等電源應(yīng)用二

--待機(jī)功耗測試“待機(jī)功耗指的是當(dāng)電子設(shè)備在其最低功率模式下運(yùn)行時所消耗的功率“

--LawrenceBerkleyNationalLaboratory.

例如:筆記本/平板電腦/手機(jī)充電器帶時鐘顯示的家電等待遙控操作的音頻播放設(shè)備

November2013PA1000PowerAnalyzer15半導(dǎo)體材料數(shù)據(jù)采集電源我們的設(shè)備用在哪些地方?半導(dǎo)體二極管/晶體管/場效應(yīng)管IGBT/Triac

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