期末復(fù)習(xí)資料匯總

--本頁(yè)僅作為文檔封面，使用時(shí)請(qǐng)直接刪除即可--

--內(nèi)頁(yè)可以根據(jù)需求調(diào)整合適字體及大小本頁(yè)僅作為文檔封面，使用時(shí)請(qǐng)直接刪除即可--

--內(nèi)頁(yè)可以根據(jù)需求調(diào)整合適字體及大小--期末復(fù)習(xí)資料匯總(總7頁(yè))PAGE12第三章雙極結(jié)型晶體管填空題1、晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指（基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子）電流與（發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子

）電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會(huì)發(fā)生（

擴(kuò)散

），從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（

變大

）。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度（

小于

）基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度。2、晶體管中的少子在渡越（

）的過程中會(huì)發(fā)生（

），從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子（

）。3、晶體管的注入效率是指（

）電流與（

）電流之比。為了提高注入效率，應(yīng)當(dāng)使（

）區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于（

）區(qū)摻雜濃度。4、晶體管的共基極直流短路電流放大系數(shù)α是指發(fā)射結(jié)（正

）偏、集電結(jié)（

零）偏時(shí)的（

集電結(jié)

）電流與（

發(fā)射結(jié)

）電流之比。5、晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)β是指（

發(fā)射

）結(jié)正偏、（

集電

）結(jié)零偏時(shí)的（

集電結(jié)

）電流與（

基區(qū)）電流之比。6、在設(shè)計(jì)與制造晶體管時(shí)，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應(yīng)當(dāng)（

）基區(qū)寬度，（

）基區(qū)摻雜濃度。7、某長(zhǎng)方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長(zhǎng)度和寬度分別為300μm和60μm，若要獲得1kΩ的電阻，則該材料的長(zhǎng)度應(yīng)改變?yōu)椋?/p>

600μm

）。8、在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)（

），它對(duì)少子在基區(qū)中的運(yùn)動(dòng)起到（

）的作用，使少子的基區(qū)渡越時(shí)間（

）。9、小電流時(shí)α?xí)?/p>

）。這是由于小電流時(shí)，發(fā)射極電流中（

）的比例增大，使注入效率下降。10、發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)是指當(dāng)發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時(shí)，不但不能提高（

），反而會(huì)使其（

）。造成發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)的原因是（

）和（

）。11、在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（

）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（

）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。12、當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時(shí)，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（

）。但實(shí)際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（

），這稱為（

）效應(yīng)。13、當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（

），使基區(qū)寬度（

），從而使集電極電流（

），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（即厄爾利效應(yīng)）。14、IES是指（集電

）結(jié)短路、（

發(fā)射）結(jié)反偏時(shí)的（發(fā)射）極電流。15、ICS是指（發(fā)射

）結(jié)短路、（集電

）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。16、ICBO是指（

發(fā)射）極開路、（集電

）結(jié)反偏時(shí)的（共基極反向截止）極電流。17、ICEO是指（

基

）極開路、（集電結(jié)）結(jié)反偏時(shí)的（共發(fā)射極反向截止

）極電流。18、IEBO是指（

集電

）極開路、（

發(fā)射

）結(jié)反偏時(shí)的（共基

）極電流。19、BVCBO是指（

發(fā)射

）極開路、（

）結(jié)反偏，當(dāng)（

I‘cbo

）→∞時(shí)的VCB。20、BVCEO是指（

基

）極開路、（

）結(jié)反偏，當(dāng)（

I‘ceo

）→∞時(shí)的VCE。21、BVEBO是指（集電

）極開路、（

）結(jié)反偏，當(dāng)（

I‘ebo

）→∞時(shí)的VEB。22、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（

）全部占據(jù)時(shí)，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（

）基區(qū)寬度、（

）基區(qū)摻雜濃度。23、比較各擊穿電壓的大小時(shí)可知，BVCBO（

大于

）BVCEO，BVCBO（

遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于

）BVEBO。24、隨著信號(hào)頻率的提高，晶體管的αω,βω的幅度會(huì)（

減小

），相角會(huì)（

滯后

）。25、在高頻下，基區(qū)渡越時(shí)間τb對(duì)晶體管有三個(gè)作用，它們是：（

）、（

）和（

）。26、基區(qū)渡越時(shí)間τb是指（

）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡越時(shí)間增大到原來的（

）倍。27、晶體管的共基極電流放大系數(shù)|αω|隨頻率的（

減小

）而下降。當(dāng)晶體管的|αω|下降到（

α0

）時(shí)的頻率，稱為α的截止頻率，記為（

fa）。28、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)|βω|隨頻率的（

）而下降。當(dāng)晶體管的|βω|下降到β0時(shí)的頻率，稱為β的（

），記為（

）。29、當(dāng)f>>fβ時(shí)，頻率每加倍，晶體管的|βω|降到原來的（

）；最大功率增益Kpmax降到原來的（

）。30、當(dāng)（

）降到1時(shí)的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)（

Kp

）降到1時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率fM。31、當(dāng)|βω|降到（1

）時(shí)的頻率稱為特征頻率fT。當(dāng)Kpmax降到（1

）時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率fM。32、晶體管的高頻優(yōu)值M是（

）與（

）的乘積。33、晶體管在高頻小信號(hào)應(yīng)用時(shí)與直流應(yīng)用時(shí)相比，要多考慮三個(gè)電容的作用，它們是（

）電容、（

）電容和（

）電容。34、對(duì)于頻率不是特別高的一般高頻管，τec中以（

）為主，這時(shí)提高特征頻率fT的主要措施是（

）。35、為了提高晶體管的最高振蕩頻率fM，應(yīng)當(dāng)使特征頻率fT（

），基極電阻rbb'（

），集電結(jié)勢(shì)壘電容CTC（

）。問答與計(jì)算題1、畫出NPN晶體管在飽和狀態(tài)、截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和倒向放大狀態(tài)時(shí)的少子分布圖。2、畫出共基極放大區(qū)晶體管中各種電流的分布圖，并說明當(dāng)輸入電流Ie經(jīng)過晶體管變成輸出電流IC時(shí)，發(fā)生了哪兩種虧損？

3、倒向晶體管的電流放大系數(shù)為什么小于正向晶體管的電流放大系數(shù)？

6、先畫出雙極晶體管的理想的共發(fā)射極輸出特性曲線圖，并在圖中標(biāo)出飽和區(qū)與放大區(qū)的分界線，然后再分別畫出包括厄爾利效應(yīng)和擊穿現(xiàn)象的共發(fā)射極輸出特性曲線圖。7、什么是雙極晶體管的特征頻率fT寫出fT的表達(dá)式，并說明提高fT的各項(xiàng)措施。8、寫出組成雙極晶體管信號(hào)延遲時(shí)間τec的4個(gè)時(shí)間的表達(dá)式。其中的哪個(gè)時(shí)間與電流Ie有關(guān)？這使fT隨Ie的變化而發(fā)生怎樣的變化？9、什么是雙極晶體管的最高振蕩頻率fM寫出fM的表達(dá)式，說明提高fM的各項(xiàng)措施。12、某均勻基區(qū)晶體管的WB=2μm,LB=10μm，試求此管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*之值。若將此管的基區(qū)摻雜改為指數(shù)分布，場(chǎng)因子η=6，則其β*變?yōu)槎嗌伲?/p>

13、某均勻基區(qū)NPN晶體管的WB=2μm,NB=1017cm-1,DB=18cm2s-1,τB=5×10–7s，試求該管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*之值。又當(dāng)在該管的發(fā)射結(jié)上加的正向電壓，集電結(jié)短路時(shí)，該管的JnE和J15、某雙極型晶體管的R□B1=1000Ω,R□E=5Ω，基區(qū)渡越時(shí)間τb=10–9s,當(dāng)IB=時(shí),IC=10mA，求該管的基區(qū)少子壽命τb。16、某晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*=，注入效率γ=，試求此管的α與β。當(dāng)此管的有源基區(qū)方塊電阻R□B1乘以3，其余參數(shù)均不變時(shí)，其α與β變?yōu)槎嗌伲?/p>

17、某雙極型晶體管當(dāng)IB1=時(shí)測(cè)得IC1=4mA，當(dāng)IB2=時(shí)測(cè)得IC2=5mA，試分別求此管當(dāng)IC=4mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)β與小信號(hào)電流放大系數(shù)βO。18、某緩變基區(qū)NPN晶體管的BVCBO=120V，β=81，試求此管的BVCEO。21、某高頻晶體管的fβ=5MHz，當(dāng)信號(hào)頻率為f=40MHz時(shí)測(cè)得其|βω|=10，則當(dāng)f=80MHz時(shí)|βω|為多少？該管的特征頻率fT為多少？該管的β0為多少？22、某高頻晶體管的β0=50，當(dāng)信號(hào)頻率f為30MHz時(shí)測(cè)得|βω|=5，求此管的特征頻率fT，以及當(dāng)信號(hào)頻率f分別為15MHz和60MHz時(shí)的|βω|之值。23、某高頻晶體管的基區(qū)寬度WB=1μm，基區(qū)渡越時(shí)間τb=×10-10s,fT=550MHz。當(dāng)該管的基區(qū)寬度減為μm，其余參數(shù)都不變時(shí)，fT變?yōu)槎嗌伲?/p>

27、某晶體管當(dāng)IB1=時(shí)測(cè)得IC1=4mA，當(dāng)IB2=時(shí)測(cè)得IC2=5mA，試分別求此管當(dāng)IC=4mA時(shí)的直流電流放大系數(shù)β與增量電流放大系數(shù)β0。28、已知某硅NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=2μm，基區(qū)摻雜濃度nB=5×1016cm-3，基區(qū)少子壽命tB=1μs，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=15cm2s-1，以及從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流密度JnE=cm2。試計(jì)算基區(qū)中靠近發(fā)射結(jié)一側(cè)的非平衡少子電子濃度nB(0)、發(fā)射結(jié)電壓VBE和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)β*29、已知某硅NPN緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=μm，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=20cm2s-1，基區(qū)自建場(chǎng)因子η=20，試計(jì)算該晶體管的基區(qū)渡越時(shí)間tb。33、在N型硅片上經(jīng)硼擴(kuò)散后，得到集電結(jié)結(jié)深xjc=μm，有源基區(qū)方塊電阻R□B1=800Ω，再經(jīng)磷擴(kuò)散后，得發(fā)射結(jié)結(jié)深xje=μm，發(fā)射區(qū)方塊電阻R□e=10Ω。設(shè)基區(qū)少子壽命tB=10-7s，基區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)DB=15cm2s-1，基區(qū)自建場(chǎng)因子η=8，試求該晶體管的電流放大系數(shù)α與β分別為多少？

35、已知某硅NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度WB=μm，基區(qū)摻雜濃度nB=1017cm-3，集電區(qū)摻雜濃度nC=1016cm-3，試計(jì)算當(dāng)VCB第五章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管填空題1、N溝道MOSFET的襯底是（

）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（

）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（

）。2、P溝道MOSFET的襯底是（

）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（

）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（

）。3、當(dāng)VGS=VT時(shí)，柵下的硅表面發(fā)生（

），形成連通（

）區(qū)和（

）區(qū)的導(dǎo)電溝道，在VDS的作用下產(chǎn)生漏極電流。4、N溝道MOSFET中，VGS越大，則溝道中的電子就越（

），溝道電阻就越（

），漏極電流就越（

）。5、在N溝道MOSFET中，VT>0的稱為增強(qiáng)型，當(dāng)VGS=0時(shí)MOSFET處于（

）狀態(tài)；VT<0的稱為耗盡型，當(dāng)VGS=0時(shí)MOSFET處于（

）狀態(tài)。6、由于柵氧化層中通常帶（

）電荷，所以（

）型區(qū)比（

）型區(qū)更容易發(fā)生反型。7、要提高N溝道MOSFET的閾電壓VT，應(yīng)使襯底摻雜濃度nA（

），使柵氧化層厚度Tox（

）。8、N溝道MOSFET飽和漏源電壓VDsat的表達(dá)式是（

）。當(dāng)VDS>=VDsat時(shí)，MOSFET進(jìn)入（

）區(qū)，漏極電流隨VDS的增加而（

）。9、由于電子的遷移率μn比空穴的遷移率μp（

），所以在其它條件相同時(shí)，（

）溝道MOSFET的IDsat比（

）溝道MOSFET的大。為了使兩種MOSFET的IDsat相同，應(yīng)當(dāng)使N溝道MOSFET的溝道寬度（

）P溝道MOSFET的。10、當(dāng)N溝道MOSFET的VGS<VT時(shí)，MOSFET（

）導(dǎo)電，這稱為（

）導(dǎo)電。11、對(duì)于一般的MOSFET，當(dāng)溝道長(zhǎng)度加倍，而其它尺寸、摻雜濃度、偏置條件等都不變時(shí)，其下列參數(shù)發(fā)生什么變化：VT（

）、IDsat（

）、Ron（

）、gm（

）。12、由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（

）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（

）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題（

）。13、MOSFET的跨導(dǎo)gm的定義是（

），它反映了（

）對(duì)（

）的控制能力。14、為提高跨導(dǎo)gm的截止角頻率ωgm，應(yīng)當(dāng)（

）μ，（

）L，（

）VGS。問答與計(jì)算題1、畫出MOSFET的結(jié)構(gòu)圖和輸出特性曲線圖，并簡(jiǎn)要敘述MOSFET的工作原理。2、什么是MOSFET的閾電壓VT寫出VT的表達(dá)式，并討論影響VT的各種因素。4、什么是有效溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)如何抑制有效溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)5、什么是MOSFET的跨導(dǎo)gm寫出gm的表達(dá)式，并討論提高gm的措施。6、提高M(jìn)OSFET的最高工作頻率fT的措施是什么？

9、在nA=1015cm-3的P型硅襯底上制作Al柵N溝道MOSFET，柵氧化層厚度為50nm，柵氧化層中正電荷數(shù)目的面密度為1011cm-211、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=4×10-3AV-2，求當(dāng)VGS=6V，VDS分別為2V、4V、6V、8V和10V時(shí)的漏極電流之值。12、某N溝道MOSFET的VT=,β=6×10-3AV-2，求當(dāng)VDS=6V，VGS分別為、、、和時(shí)的漏極電流之值。14、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=4×10-3AV-2，求當(dāng)VGS=6V，VDS分別為2V、4V、6V、8V和10V時(shí)的跨導(dǎo)gm之值。15、某N溝道MOSFET的VT=1V,β=6×10-3AV-2，求當(dāng)VDS=4V，VGS分別為2V、4V、6V、8