GB/T 6217-1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.30L42GB中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6217—1998idtIEC747-7-1:1989QC750102半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型品體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices--Discretedevices一Part7:BipolartransistorsSectionOne--Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇：高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6217-1998中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471999年6月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-15868版權(quán)專有·侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

GB/T6217-1998前吉本規(guī)范是等同采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC747-7-1:1989《半導(dǎo)體器件分立器件高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》第一版對GB/T6217—1986進(jìn)行修訂的。本規(guī)范與前版的主要差別是增加了配對晶體管的技術(shù)要求。本規(guī)范由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草。本規(guī)范主要起草人：王長福、顧振球、鄧康、黃世杰。

GB/T6217-1998IEC前言1）IEC(國際電工委員會)在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對這些問題特別關(guān)切的國家委員會參加的技術(shù)委員會制定的，對所涉及的間題盡可能地代表了國際上的一致意見。2)這些決議或協(xié)議,以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國際上使用,并在此意義上為各國家委員會所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異,應(yīng)盡可能在國家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由國際電工委員會第47技術(shù)委員會(半導(dǎo)體器件)制定本標(biāo)準(zhǔn)是高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范。本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：六個月法表決報(bào)告47（C0)956和47（C098347（C0)971和47（C0）1027表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表所列的表決報(bào)告中查閱本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號是國際電工委員會電子元器件質(zhì)量評定體系(IECQ)的規(guī)范號本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗(yàn)程序第2部分：試驗(yàn)試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-2:1983半導(dǎo)體器件分立器件第2部分：整流二極管IEC747-7:1988半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管TEC747-10:1984半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導(dǎo)體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范GB/T6217—1998idtIEc7477-1:1989OC750102Semiconductordevices-Discretedevices代替GB/T6217-1986Part7:BipolartransistorsSectionOne-Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification引言本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB/T4589.1一1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560一1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個。要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識別「1授權(quán)起草詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱?！?1IECQ詳細(xì)規(guī)范號L3」總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號?！?詳細(xì)規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料器件的識別【57器件型號，【6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若干應(yīng)用，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害物質(zhì),例如氧化皺，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)?！?外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn).【8]質(zhì)量評定類別?！?]能在各器件型號之間比較的最重