GB/T 6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

UDC669.782-415621.317.33H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/r6616-1995半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductorsiliconorsheetresistanceofsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage1995-04-18發(fā)布1995-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層GB/T6616-1995電阻測(cè)定非接觸渦流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductor代替6616-86siliconorsheetresistanceorsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片體電阻率和硅薄膜薄層電阻的非接觸渦流測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)大于30mm.厚度為0.1～1mm的硅單晶切割片、研磨片和拋光片（簡(jiǎn)稱硅片)的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測(cè)量薄膜薄層電阻時(shí),襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為薄膜薄層電阻的1000倍。桂片體電阻率和硅薄膜薄層電阻測(cè)最范圍分別為1.0×10-～2×10°·cm和2～3×10°0/。2方法提要將硅片試樣平插人一對(duì)共軸渦流探頭(傳感器)之間的固定間隙內(nèi)，與振蕩回路相連接的兩個(gè)渦流深頭之間的交變磁場(chǎng)在硅片上感應(yīng)產(chǎn)生渦流。為使高頻振蕩器的電壓保持不變，需要增加激勵(lì)電流，而增加的激勵(lì)電流值是硅片電導(dǎo)的函數(shù)。通過(guò)測(cè)量澈勵(lì)電流的變化即可測(cè)得試樣的電導(dǎo)。當(dāng)試樣厚度已知時(shí)，便可計(jì)算出試樣的電阻率。式中：0-試樣的電阻率,0·cmniG-試樣的薄層電導(dǎo)，S；2試樣的薄層電阻,0；試樣中心的厚度(測(cè)薄膜時(shí)厚度取0.0508cm),cm。3測(cè)量裝置3.11電學(xué)測(cè)量裝置3.1.1渦流傳感器組件。由可供硅片插入的具有固定間隙的一對(duì)共軸線探頭，放置硅片的支架(需保證硅片與探頭軸線垂直）硅片對(duì)中裝置及激勵(lì)探頭的高頻振蕩器等組成。傳感器可提供與硅片電導(dǎo)成正比的輸