GB/T 6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法

UDC669.782-415：317.33：21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsiliconwafersusingspreadingresistanceprobe1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新受字023號中華人民共和國國國家標(biāo)準(zhǔn)硅片電阻率測定擴展電阻探針法GB/T6617-1995中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：1(0045電話：63787337、637874471995年11月第一版22005年1月電子版制作書號：155066·1-11907版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T6617-1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法Testmethodformeasuringresistivityofsilicon代替6617-86wafersusingspreadingresistanceprobe1主題內(nèi)客與適用范圖本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量品體取向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測量與襯底同型或反型的硅外延層的電阻率。測量范圍：10-～10”·cm.2引用標(biāo)準(zhǔn)GB1550硅單晶導(dǎo)電類型測定方法GB/T1552硅、鋪單品電阻率直排四探針測量方法GB1555硅單晶晶向光圖測量方法GB1556硅單晶晶向X光衍射測量方法GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法YS/T15硅外延層和擴散層厚度測定磨角染色法3方法提要擴展電阻法是一種實驗比較法。該方法是先測量重復(fù)形成的點接觸的擴展電阻，再用校準(zhǔn)曲線來確定被測試樣在探針接觸點附近的電阻率。擴展電阻R.是導(dǎo)電金屬探針與硅片上一個參考點之間的電勢降與流過探針的電流之比。瀏量裝量4.1機械裝置4.1.1探針架：可采用單探針、兩探針和三探針結(jié)構(gòu)。探針架用作支承探針，使其以重復(fù)的速度和預(yù)定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調(diào)節(jié)探針的接觸點位置。4.1.2探針尖采用堅硬耐磨的良好導(dǎo)電材料如鎖、碳化鴿或鴿-釘合金等制成。針尖曲率半徑不大于25Pm,夾角為30°～60°。針距為15～1000rm.4.1.3樣品臺：絕緣真空吸盤或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個方向上實現(xiàn)5~500km步距的位移。4.1.4絕緣性，探針之間及任一探針與機座之間的直流絕緣電阻大于1GQ4.2電學(xué)測量裝置可采用恒壓法