場效應(yīng)管教程課件

1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管1.4.3場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4場效應(yīng)管與晶體管的比較1.4.2絕緣柵型場效應(yīng)管1.4場效應(yīng)管

場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。

從場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)來劃分，它有兩大類。1.結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET

(JunctiontypeFieldEffectTransister)2.絕緣柵型場效應(yīng)三極管IGFET(InsulatedGateFieldEffectTransister)IGFET也稱金屬氧化物半導(dǎo)體三極管MOSFET（MetalOxideSemiconductorFET）電子技術(shù)論壇電子發(fā)燒友1.4場效應(yīng)管N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)分類：1.4.1結(jié)型場效應(yīng)三極管結(jié)構(gòu)它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)擴(kuò)散高濃度P離子區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。

導(dǎo)電溝道：漏源之間的非耗盡層區(qū)域。

源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號(hào)符號(hào)JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理結(jié)構(gòu)：#

符號(hào)中的箭頭方向表示什么？一、結(jié)型場效應(yīng)三極管的工作原理

根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)，只能工作在反偏的條件下，

N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管只能工作在負(fù)柵壓（uGS<0）區(qū)，

P溝道的只能工作在正柵壓區(qū)，否則將會(huì)出現(xiàn)柵流。同時(shí)uDS>0，實(shí)現(xiàn)柵源電壓對漏極電流的控制。現(xiàn)以N溝道為例說明其工作原理。

2、漏源電壓對溝道的控制作用

uGS=固定值（UGS(off)～0），uDS對iD的影響：

uDS=0，iD＝0

漏源電壓uDS>0，漏、源間將形成多子的漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生漏極電流iD，（負(fù)值）uGD=uGS-uDS將隨之變化（減小）。

靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從左至右呈楔形分布，如圖所示。當(dāng)uDS增加，uGD反偏電壓增加，溝道電阻取決于（柵源電壓一定）uGS，iD隨uDS線性增大，漏源間呈電阻特性。（負(fù)值）uGD=（負(fù)值）UGS(off)時(shí)，靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷，如圖

(b)所示。當(dāng)uDS繼續(xù)增加，漏極處的夾斷繼續(xù)向源極方向生長延長。（負(fù)值）uGD<（負(fù)值）UGS(off)時(shí)，溝道夾斷使iD減小；漏源間電場使iD增大。則uDS變化iD幾乎不變，只與uGS有關(guān)。恒流特性。綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。JFET是電壓控制電流器件，iD受uGS控制預(yù)夾斷前iD與uDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。#

為什么JFET的輸入電阻比BJT高得多？

JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的，因

此iG0，輸入電阻很高。

JFET的特性曲線有兩條，一是轉(zhuǎn)移特性曲線，二是輸出特性曲線。它與MOSFET的特性曲線基本相同，MOSFET的柵壓可正、可負(fù)，結(jié)型場效應(yīng)三極管的柵壓只能是P溝道