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第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)內(nèi)容提要:第一節(jié)X射線的性質(zhì)第二節(jié)X射線的產(chǎn)生第三節(jié)X射線譜第四節(jié)X射線與物質(zhì)的相互作用第五節(jié)X射線的衰減規(guī)律第六節(jié)吸收限的應(yīng)用第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線學(xué)的分支X射線透射學(xué)X射線衍射學(xué)X射線光譜學(xué)第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第一節(jié)X射線的性質(zhì)

X射線的波長范圍:10-3~10nm。一、X射線的性質(zhì)①不可見,但它能使一些氣體或其他物質(zhì)電離,使照相底片感光,使熒光物質(zhì)發(fā)光。②穿透性強(qiáng),并可被物質(zhì)吸收和散射。軟X常用于晶體的X射線衍射分析。硬X射線常用于金屬零件的探傷和醫(yī)學(xué)上的透視分析。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)二、X射線的本質(zhì)1、X射線的本質(zhì)也是電磁波,即也是一種無靜止質(zhì)量并以光速運(yùn)動的光子。

第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)2、X射線的波粒二象性波動性的表現(xiàn):以一定的頻率和波長在空間傳播,例如以晶體作衍射光柵時觀察到的X射線的衍射現(xiàn)象;描述波動性的物理量:頻率ν、波長λ粒子性的表現(xiàn):以光子形式輻射和吸收時具有一定的質(zhì)量、能量和動量,如光電效應(yīng)等。描述粒子性的物理量:能量E、動量P第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)波動性和粒子性之間存在下述關(guān)系:0.05~0.25nm范圍適于

結(jié)構(gòu)分析0.005~0.1nm范圍適于

探傷分析第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)電子式X射線管產(chǎn)生X射線的條件:(1)

產(chǎn)生電子的電子源;(2)

使電子作定向高速運(yùn)動;(3)

在高速電子流的運(yùn)動路徑上設(shè)置障礙物,使電子突然受阻。(4)

封閉在高真空中,真空度高于10-3Pa。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)二、X射線管1、封閉電子式X射線管的結(jié)構(gòu)封閉電子式X射線管與其結(jié)構(gòu)示意圖第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)(1)

陰極:鎢絲;加熱鎢絲發(fā)射熱電子;(2)

陽極/靶:使電子突然減速并發(fā)射X射線的地方。不同的靶面材料用于獲得不同波長的X射線。

(3)

陰極和陽極之間的高壓使電子作定向高速運(yùn)動;(4)

陰、陽極都密封在高真空管中,真空度>10-3Pa。其他組成部分:金屬聚焦罩、冷卻水、鈹窗口。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)由熱陰極X射線管發(fā)出的X射線分為兩種類型:(1)連續(xù)X射線譜;(2)特征X射線譜(又稱標(biāo)識X射線譜)。它們對應(yīng)兩種X射線輻射的物理過程。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)一、連續(xù)X射線譜1、定義X射線譜中,強(qiáng)度隨波長連續(xù)變化的部分,稱為連續(xù)X射線譜,簡稱連續(xù)譜。2、連續(xù)譜的特點(diǎn)①不同管壓下,連續(xù)譜在短波方向都有一個突然截止的波長極限值,稱為短波限,用λ0表示。②X射線波長由大于λ0的所有輻射組成;③強(qiáng)度存在一最大值(約1.5λ0處,用λm表示)。④對同一靶材,不同管壓、管流下的連續(xù)譜的變化規(guī)律。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)3、連續(xù)X射線譜的解釋①連續(xù)譜的產(chǎn)生量子理論:當(dāng)能量為eV的電子與靶的原子整體碰撞時,電子失去自己的能量,其中一部分以光子的形式輻射出去,每碰撞一次,產(chǎn)生一個能量為hv的光子。由于大量電子射到陽極上的時間和條件不盡相同,僅有一少部分電子能產(chǎn)生極限能量交換,絕大多數(shù)電子經(jīng)多次碰撞完成能量交換,而輻射出波長大于λ0的不同波長的X射線,形成連續(xù)譜。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)③強(qiáng)度最大值位于1.5λ0附近X射線強(qiáng)度由每個光子的能量hv和單位時間通過單位面積的光子數(shù)目n兩個因素決定,即I=nhv。在碰撞過程中,能產(chǎn)生極限能量交換的電子僅占一少部分,而其他大量電子會產(chǎn)生多次碰撞完成能量交換,因此雖然短波限對應(yīng)的光子能量最大,但光子數(shù)目不多,故強(qiáng)度的極大值不在λ0處,而位于1.5λ0附近。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)④對同一靶材,不同管壓、管流下的連續(xù)譜的變化規(guī)律。U管升高,各輻射強(qiáng)度升高,λ0和λmax

(最大輻射時的波長)均減??;解釋:當(dāng)加大管壓時,擊靶電子的動能、電子與靶材原子的碰撞次數(shù)和輻射出來的X射線光子的能量都會增加,因此隨管壓的增加,各波長X射線的強(qiáng)度均增加。管電壓不變時,隨管電流的升高,各輻射強(qiáng)度均升高,但λ0和λmax保持不變。不同的靶面物質(zhì)發(fā)射的連續(xù)譜具有相似的特征第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)二、特征X射線譜1、定義當(dāng)U管超過某臨界值后,疊加在連續(xù)譜上的強(qiáng)度很高且具有一定波長的X射線譜,稱為特征X射線譜,簡稱特征譜。如鉬靶X射線管,當(dāng)管電壓等于或高于20kV時,則除連續(xù)譜外,位于一定波長處(0.063nm和0.071nm),疊加有少數(shù)強(qiáng)譜線。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)3、對特征譜的解釋①特征譜的產(chǎn)生以及特征X射線波長為一定值的原因從原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)解釋。原子系統(tǒng)中的電子不連續(xù)地分布在K、L、M、N…等不同能級的殼層上,各殼層的能量由里到外逐漸增加:EK<EL<EM…。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)特征X射線的命名:同一輻射線系還有區(qū)別。對跨越1、2、3個能級所引起的輻射分別以下角標(biāo)α、β、γ等表示。例如:Kα、Kβ譜線;Lα、Lβ譜線。K系激發(fā):K層電子被擊出的過程叫K系激發(fā),隨之的電子躍遷所引起的輻射叫K系輻射(輻射出特征X射線)。依此類推,有L系激發(fā)、L系輻射等。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)例如,產(chǎn)生K輻射時,特征X射線光子的能量為電子躍遷前后兩能級的能量差:輻射的能量為多少?物質(zhì)一定,輻射出的X射線波長一定,代表了該元素的特征,故稱之為特征X射線。特征X射線的波長僅與靶材的原子序數(shù)有關(guān);改變管電壓、管電流,只改變特征X射線的強(qiáng)度而波長不變。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)③,且K系特征X射線一般由Kα、Kβ二譜線構(gòu)成。Kα輻射是由L→K層電子躍遷產(chǎn)生,Kβ輻射是由M→K層電子躍遷產(chǎn)生,后者兩能級之差大于前者,故

;特征X射線強(qiáng)度還與光子的數(shù)目有關(guān),根據(jù)量子躍遷幾率,相鄰電子殼層躍遷幾率(L→K層躍遷)大于非相鄰電子殼層躍遷幾率(M→K躍遷),且前者比后者大五倍左右,故

。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第四節(jié)X射線與物質(zhì)的相互作用一束X射線通過物質(zhì)時,它的能量可分為三部分:

(1)一部分被散射;(2)一部分被吸收;(3)一部分透過物質(zhì)繼續(xù)沿原來的方向傳播。透過物質(zhì)后的X射線束由于散射和吸收的影響,強(qiáng)度被衰減,并且吸收是造成強(qiáng)度衰減的主要原因。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)一、X射線的散射入射X射線與物質(zhì)作用,使一部分X射線穿過物質(zhì)后偏離原來的入射方向,即發(fā)生了X射線的散射。兩種散射現(xiàn)象:第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)1、相干散射(彈性散射、經(jīng)典散射)相干散射:散射線與入射線的波長和頻率一致,位相固定,在相同方向上各散射波符合相干條件,這種散射稱為相干散射。經(jīng)典物理學(xué)理論解釋:入射X射線光子與原子內(nèi)受核束縛較緊的電子(如原子內(nèi)層電子)發(fā)生碰撞,入射光子的能量不足以使電子擺脫原子核的束縛,但電子在入射X射線交變電場作用下產(chǎn)生與入射波頻率相同的受迫振動,向周圍輻射與入射X射線波長相同的電磁波;第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)發(fā)生上述散射時,光子的方向改變了,但能量幾乎沒有損失,散射線波長與入射波相同,有可能相互干涉。晶體中的原子,在入射X射線的作用下都產(chǎn)生這種散射,且原子的規(guī)則排列使散射線之間有確定的相位關(guān)系,于是在空間形成了相干散射。相干散射的意義:相干散射是X射線在晶體中產(chǎn)生衍射現(xiàn)象的物理基礎(chǔ)。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)2、非相干散射(康普頓散射、非彈性散射)

在偏離原射束方向上,不僅有與原射線波長相同的相干散射波,還有波長變長的的非相干散射波。非相干散射:散射X射線的波長隨散射方向不同而改變,分布于各個方向的散射線,波長各不相等,不能產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。這種散射稱為非相干散射。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)量子理論解釋:X射線光子與原子中受核束縛較弱的電子或自由電子發(fā)生碰撞時,X射線光子把部分能量給予電子,使其動量提高,成為反沖電子,而X射線朝著散射角為α的方向被散射,且能量減少,即波長變長。

第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)上式表明:①非相干散射波長的變化與入射波長和原子序數(shù)無關(guān),只隨散射角而變化;②不同方向上散射線波長各不相同,這種散射線位相與入射線無確定關(guān)系。非相干散射的結(jié)果:散射線之間不能發(fā)生干涉作用,在衍射花樣中形成背底。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)二、X射線的吸收

X射線的吸收:指X射線穿過物質(zhì)時,其能量被轉(zhuǎn)化成其他形式的能量,X射線的強(qiáng)度隨之衰減。物質(zhì)對X射線的吸收主要是物質(zhì)對入射X射線產(chǎn)生的熱效應(yīng)、光電效應(yīng)和俄歇效應(yīng),使入射X射線的能量分別轉(zhuǎn)變成熱量、光電子、熒光X射線和俄歇電子的能量,從而使X射線強(qiáng)度被衰減。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)1、光電效應(yīng)X射線與物質(zhì)相互作用可以看作是X射線光子和物質(zhì)中的原子相互碰撞。當(dāng)一個具有足夠能量的X射線光子從原子內(nèi)部擊出一個K層電子時,同樣也會發(fā)生象電子激發(fā)原子時類似的輻射過程。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)光電效應(yīng):由X射線光子激發(fā)原子所發(fā)生的輻射過程,稱為光電效應(yīng);光電子:光電效應(yīng)中,被X射線光子擊出的電子稱為光電子;(光電子具有元素的特征能量,是X射線光電子能譜儀的檢測信號)熒光X射線:由入射X射線激發(fā)原子所輻射出的次級特征X射線稱熒光X射線(或二次特征X射線)。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)產(chǎn)生光電效應(yīng)的條件:

欲激發(fā)原子產(chǎn)生K、L、M等線系的熒光輻射,入射X射線光量子的能量hν必須等于或略大于K、L、M層電子的結(jié)合能EK、EL、EM。如產(chǎn)生K系熒光輻射,入射光子的波長等于或略小于λK(或頻率等于或略大于νK)。λK—激發(fā)物質(zhì)產(chǎn)生K系熒光輻射,入射X射線須具有的臨界波長值,稱為激發(fā)限。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)一旦產(chǎn)生光電效應(yīng),入射X射線光子能量被大量吸收,表現(xiàn)為吸收系數(shù)突增。熒光X射線在不同分析方法中的作用:①在X射線衍射分析中,X射線熒光輻射是有害的,它增加衍射花樣的背底;②在元素分析中,它又是X射線熒光分析的基礎(chǔ)。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)2、俄歇效應(yīng)俄歇效應(yīng):原子的內(nèi)層電子被激發(fā)后,隨之發(fā)生的一個空位被兩個空位所代替的現(xiàn)象稱為俄歇效應(yīng)。俄歇效應(yīng)是一種無輻射的躍遷過程。電子躍遷釋放的能量被電子吸收而激發(fā)出原子的電子稱為俄歇電子(Auger電子)。如KLL俄歇電子。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)俄歇電子的特點(diǎn):①具有元素的特征能量。俄歇電子的能量能反映電子所屬原子和原子的結(jié)構(gòu)狀態(tài)特征,所以,可以利用俄歇電子能譜作樣品的成分分析。俄歇電子是俄歇電子能譜儀的檢測信號。②俄歇電子的能量很低,一般為幾百eV,平均自由程短,因此,檢測到的俄歇電子只來源于表面2~3個原子層。用途:俄歇電子能譜儀是研究物質(zhì)表面微區(qū)成分的有力工具之一。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第五節(jié)X射線的衰減規(guī)律

一、X射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律與線吸收系數(shù)1、透射X射線的強(qiáng)度衰減規(guī)律透射X射線的強(qiáng)度第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)上式中,μ稱為物質(zhì)的線吸收系數(shù)(或線衰減系數(shù)),單位為cm-1。2、線吸收系數(shù)μ的物理意義:μ=-1n(IH/I0)/H,表示沿穿越方向上,厚度為1cm的物質(zhì)對X射線強(qiáng)度的吸收程度。特點(diǎn):①對于一定波長和一定狀態(tài)下的物質(zhì),μ為常數(shù)。②μ與物質(zhì)的密度ρ成正比,即與物質(zhì)的物理狀態(tài)有關(guān)。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)二、

質(zhì)量吸收系數(shù)1、質(zhì)量吸收系數(shù)μm=μ/ρ,稱為質(zhì)量吸收系數(shù),單位為cm2/g。

μm的物理意義:表示單位質(zhì)量物質(zhì)對X射線的衰減程度。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)μm的特點(diǎn):①對一定波長的X射線和一定的物質(zhì)來說,μm為固定值。②μm與物質(zhì)的物理狀態(tài)無關(guān)。即與物質(zhì)的氣態(tài)、液態(tài)、粉末、塊樣、化合物、混合物等均無關(guān)。2、復(fù)雜物質(zhì)的質(zhì)量吸收系數(shù)ωi、μmi分別為各組元的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)和質(zhì)量吸收系數(shù)。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)3、μm與波長λ和原子序數(shù)Z的關(guān)系一般X射線強(qiáng)度減弱主要由吸收作用造成,而散射作用極小。物質(zhì)對X射線的吸收可以近似用質(zhì)量吸收系數(shù)μm的大小來表示。μm與λ和Z存在如下函數(shù)關(guān)系:系數(shù)K在兩個吸收限之間為常數(shù),不同吸收限之間的K值不同,且每一元素都有一組K。公式討論:①物質(zhì)的原子序越大,對x射線的吸收能力越強(qiáng);②對一定的吸收體,x射線的波長越短,穿透能力越強(qiáng),表現(xiàn)為吸收系數(shù)μm的下降。但隨波長的降低,在某些波長位置上出現(xiàn)吸收限。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)4、吸收限μm~λ關(guān)系曲線:當(dāng)波長減小到某幾個值時,μm驟增,將曲線分割為幾個明顯不同的連續(xù)部分。吸收限:在μm~λ關(guān)系曲線中,質(zhì)量吸收系數(shù)隨著入射X射線波長的變化產(chǎn)生突變,突變處對應(yīng)的波長稱為吸收限。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)為什么存在吸收限?入射光子能量大于吸收體某層電子結(jié)合能時,很容易被電子吸收,內(nèi)層電子溢出而產(chǎn)生光電效應(yīng)。此效應(yīng)消耗大量能量,表現(xiàn)為吸收系數(shù)突變。如存在λK、λL等

。λK值決定于吸收物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)。不同元素的吸收限值不同。原子序數(shù)愈大,同名吸收限波長值愈短。對同一物質(zhì)而言,第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)利用陽極靶材的吸收限(激發(fā)限)λK,可以計算的靶材的激發(fā)電壓UK:式中,UK以V為單位。第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第一章X射線物理學(xué)基礎(chǔ)X射線物理學(xué)基礎(chǔ)第六節(jié)吸收限的應(yīng)用

吸收限的應(yīng)用主要有兩個:選濾波片

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