霍山石斛種植技術

Word-4-霍山石斛種植技術霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬多年生草本植物。霍山石斛植株矮小，莖叢生、豎立、肉質狀、不分枝、具3至7節(jié)，長3厘米至9厘米，自下向上漸細，莖粗，正常0.25厘米至0.4厘米；淡黃綠色，葉薄草質，2至4枚互生于莖上...

霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬多年生草本植物?；羯绞仓臧?，莖叢生、豎立、肉質狀、不分枝、具3至7節(jié)，長3厘米至9

厘米，自下向上漸細，莖粗，正常0.25厘米至0.4厘米；淡黃綠色，葉薄草質，2至4枚互生于莖上部，舌狀長圓形，長２厘米至３.５厘米，寬０.５厘米至０.８厘米；總狀花序1至2朵，從落了葉的莖上部發(fā)出，花期5月，黃綠色，淡雅柔美，略有香氣。霍山石斛與其他石斛的顯然區(qū)分有：形狀特殊矮小，莖下粗上細，呈圓錐狀，唇瓣近半圓狀菱形。

霍山石斛主產于皖西大別山霍山縣，大多生長在云霧繚繞的陡崖峭壁巖石縫隙間和參天古樹上，自古備受歷代名醫(yī)名家推崇。野生霍山石斛瀕臨滅亡，已被列為國家二級重點庇護珍稀瀕危植物。

霍山石斛是附生性植物，須生長在空氣流通、環(huán)境潮濕、半陰半陽的地方，正常清明后發(fā)芽，5月至8月生長旺季，11月份停止生長，冬季植株進入休眠期。目前，主要采納兩種辦法人工栽培，一種用磚或石塊砌成寬1.5米至1.8米，高15厘米至20厘米苗床，將1厘米至4厘米粗糙、易吸潮的碎石填入苗床，床面上還能夠撒一層碎樹皮；另一種是用育苗盤栽，用43厘米×43厘米×5厘米育苗盤，盤底1∕3至1∕4處放1厘米至3厘米的碎石子，上面填滿1厘米至4厘米的松樹皮，此種辦法比較靈便便利，目前大多使用此法。

試管苗栽植

試管苗栽前必需消毒處理，從培養(yǎng)瓶中夾出試管苗時盡量不碰傷根系，在清水里洗掉殘留的培養(yǎng)基，放在瀝水筐中置于陰處晾干，用多菌靈或甲基托布津加農用鏈霉素的稀釋液浸泡2至3分鐘，瀝干即可栽植，每盤栽25叢，每行5叢，株行距9厘米，每叢5至6株，栽后兩年應舉行分栽。

馴化苗栽植

栽植過兩年的試管苗，經受了兩個春夏秋冬的哺育，適應了外界環(huán)境，栽后成活率高、生長發(fā)苗快。栽植普通在春季舉行，春季降雨頻繁，濕度大，是相宜栽培的時節(jié)，用43厘米×43厘米×5厘米的育苗盤栽種，每行栽4叢，間行距12厘米，每盤栽16叢，每叢5株；或者每行栽5叢，間行距9厘米，每盤栽25叢，每叢4株。栽時根附在基質下2厘米左右，不宜太深。

養(yǎng)護管理

澆水

霍山石斛栽植后首次澆水一定要澆透，次日還要重澆一次，讓樹皮吃透水分，日常表面干了，用噴霧器噴濕盆面，如安裝噴灌則更便利，植料表面干了即可噴霧。在炎熱干燥的時節(jié)，常常向葉面和地面噴水，以增強空氣濕度。如水分過多、汲水，植株簡單爛根致死。

肥料

霍山石斛施肥分有機肥和無機肥，有機肥主要有蠶糞、羊糞、餅肥等；無機肥有控釋肥和水溶液肥（含有氮磷鉀成分等）。水溶液肥第一次在清明前后施用，以后每隔10天噴一次，直到8月；控釋肥4月初和6月各施一次，立秋后每10天噴一次3‰磷酸二氫鉀，共噴3至5次。

溫度

霍山石斛氣溫在14℃時開頭生長；氣溫為20℃至28℃、空氣濕度在70%以上最相宜生長；氣溫在32℃以上、相對溫度在20%以下時，則部分葉脈變黃、葉片下垂。

遮陰

霍山石斛相宜生長在半陰半陽的地方，尤其怕暴曬，夏季和秋季需用兩層90%的遮陽網遮陽，其他時節(jié)均用一層遮陽網。

防凍

人工栽培的霍山石斛在江淮地區(qū)冬季需防凍，尤其是當年栽植的試管苗，除建大棚防凍外，還要蓋一層土帆布籠罩苗床，普通在12月中旬至次年2月下旬籠罩。冬季苗不能太濕，以防結冰，損傷根系。

病蟲害防治

危害霍山石斛的病蟲害種類不多，主要是黑斑病、炭疽病等，應以預防為主。發(fā)病初期，用50%多菌靈或50%甲基托布津800倍液噴霧2至3次。蟲害主要是蝸牛，3月至11月都會有蝸牛浮現(xiàn)，蠶食石斛的嫩莖葉。防治辦法是撒施5%顆粒梅塔（四聚乙醛），每畝一次需撒約一公斤。

心得

馴化苗栽種兩年后，在春季發(fā)芽前（即冬至到清明）舉行采收，但以10月至12月采收兩年以上堅實飽滿的莖枝