第四單元-半導(dǎo)體二極管和三極管_第1頁
第四單元-半導(dǎo)體二極管和三極管_第2頁
第四單元-半導(dǎo)體二極管和三極管_第3頁
第四單元-半導(dǎo)體二極管和三極管_第4頁
第四單元-半導(dǎo)體二極管和三極管_第5頁
已閱讀5頁,還剩72頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

下面圖片中各是什么?它們可以導(dǎo)電么?半導(dǎo)體:導(dǎo)電實力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。第一節(jié)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)學(xué)問1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性(可做成溫度傳感器,如熱敏電阻)摻雜性:摻入某種微量雜質(zhì),導(dǎo)電實力明顯變更光敏性:當(dāng)受到光照時,導(dǎo)電實力明顯變更熱敏性:當(dāng)環(huán)境溫度上升時,導(dǎo)電實力顯著增加(可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件,如二極管、三極管)(可做成各種光敏元件,如光敏電阻、光敏二極管等)。導(dǎo)電實力在導(dǎo)體和絕緣體之間Δ半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的常見材料:硅Si和鍺Ge2、本征半導(dǎo)體和共價鍵完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體,稱為本征半導(dǎo)體。應(yīng)用最多的本征半導(dǎo)體為鍺和硅,它們各有四個價電子,都是四價元素硅原子最外層軌道上的四個電子稱為價電子。單晶硅中的共價健結(jié)構(gòu)共價健價電子SiSiSiSi全部的價電子都被共價鍵束縛,不會成為自由電子自由電子濃度確定導(dǎo)電實力因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電實力很弱,接近絕緣體。價電子結(jié)合成共價鍵,他們既不像導(dǎo)體那樣簡潔擺脫原子核的束縛,也不像絕緣體那樣束縛很緊3、本征激發(fā)和空穴導(dǎo)電價電子在獲得確定能量(溫度上升或受光照)后,即可擺脫原子核的束縛,成為自由電子(帶負(fù)電)同時共價鍵中留下一個空位,稱為空穴(帶正電)。SiSiSiSi價電子空穴自由電子以上過程,稱之為本征激發(fā);相反,自由電子回到空穴的過程,稱之為復(fù)合4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電形式

在半導(dǎo)體中,同時存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電,這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點,也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。載流子

因此,溫度愈高,載流子數(shù)目愈多,導(dǎo)電性能也就愈好,所以,溫度對半導(dǎo)體器件性能的影響很大。SiSiSiSi價電子空穴

當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時,自由電子作定向運(yùn)動形成電子電流;而空穴的運(yùn)動相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動自由電子和空穴5、N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)電依據(jù)半導(dǎo)體的摻雜性,在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)(某種元素),形成雜質(zhì)半導(dǎo)體;其中可以分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體SiSiSiSi

摻雜后,自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。p+多余電子,在常溫下即為自由電子磷原子失去一個電子變?yōu)檎x子

N型半導(dǎo)體:自由電子--多(數(shù)載流)子

空穴--少(數(shù)載流)子摻入五價原子:磷P型半導(dǎo)體:摻入三價原子:硼SiSiSiSi

因三價雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價鍵時,缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴??昭▽?dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式,稱為空穴型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨?fù)離子空穴本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體都是中性的,對外不帶電P型半導(dǎo)體:空穴--多子自由電子--少子其次節(jié)半導(dǎo)體器件的核心——PN結(jié)1、PN結(jié)的形成多子的擴(kuò)散運(yùn)動,在中間位置進(jìn)行復(fù)合內(nèi)電場少子的漂移運(yùn)動濃度差P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體內(nèi)電場越強(qiáng),漂移運(yùn)動越強(qiáng),而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴(kuò)散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)也稱PN結(jié)擴(kuò)散和漂移這一對相反的運(yùn)動最終達(dá)到動態(tài)平衡,空間電荷區(qū)的厚度固定不變。++++++++++++++++++++++++形成空間電荷區(qū)------------------------擴(kuò)散強(qiáng)漂移運(yùn)動增加內(nèi)電場增加兩者平衡PN結(jié)寬度基本穩(wěn)定2、擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的動態(tài)平衡3、PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?+++++++++++++++++------加正向電壓(正向偏置)空間電荷區(qū)變窄

P接正、N接負(fù)

IF

PN結(jié)加正向電壓時,正向電流較大,正向電阻較小,稱PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)電場外電場內(nèi)電場

多子擴(kuò)散加強(qiáng)

大的擴(kuò)散電流

P區(qū)N區(qū)+–R------------++++++++++++++++++------空間電荷區(qū)變寬加反向電壓(反向偏置)IR

P接負(fù)、N接正溫度對反向電流影響很大,溫度越高,本征激發(fā)越強(qiáng),反向電流越大–+

PN結(jié)加反向電壓時,反向電流較小,反向電阻較大,稱PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。P區(qū)N區(qū)內(nèi)電場外電場內(nèi)電場

阻擋擴(kuò)散、促進(jìn)少子漂移很小的漂移電流

外加電壓平衡破壞擴(kuò)散強(qiáng)漂移強(qiáng)PN結(jié)導(dǎo)通

PN結(jié)加正向電壓時,呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流;

PN結(jié)加反向電壓時,呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。

PN結(jié)截止PN結(jié)具有單向?qū)щ娦员敬握n總結(jié)半導(dǎo)體的導(dǎo)電實力半導(dǎo)體的特性什么是本征半導(dǎo)體什么是本征激發(fā)、復(fù)合半導(dǎo)體內(nèi)部存在幾種導(dǎo)電方式雜質(zhì)半導(dǎo)體可以分為幾種半導(dǎo)體器件的核心PN結(jié)中內(nèi)電場的方向PN結(jié)最重要的特性絕緣體<導(dǎo)電實力<導(dǎo)體熱敏性、光敏性、摻雜性純凈無雜質(zhì)的半導(dǎo)體價電子獲得能量激發(fā)一對電子和空穴的過程電子導(dǎo)電、空穴導(dǎo)電N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體PN結(jié)N指向P單向?qū)щ娦韵胍幌胝n堂練習(xí)(1)N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入;P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入。(2)當(dāng)溫度上升時,PN結(jié)的反向飽和電流會。(3)本征半導(dǎo)體溫度上升后,兩種載流子濃度仍舊相等。()(4)P型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。()(5)在N型半導(dǎo)體中假如摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(6)推斷燈泡是否亮起?練一練五價元素三價元素增大√×√PN結(jié)正向?qū)〞r,燈泡亮;反向截止時,燈泡不亮課后作業(yè)教材P110/推斷題:1、2;單選1、2、4、5、10、11半導(dǎo)體的特性什么是本征半導(dǎo)體什么是本征激發(fā)、復(fù)合半導(dǎo)體內(nèi)部存在幾種導(dǎo)電方式雜質(zhì)半導(dǎo)體可以分為幾種半導(dǎo)體器件的核心PN結(jié)中內(nèi)電場的方向PN結(jié)最重要的特性復(fù)習(xí)1:熱敏性、光敏性、摻雜性純凈無雜質(zhì)的半導(dǎo)體價電子獲得能量激發(fā)一對電子和空穴的過程電子導(dǎo)電、空穴導(dǎo)電N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體N指向P單向?qū)щ娦訮N結(jié)第三節(jié)半導(dǎo)體二極管1、半導(dǎo)體二極管的種類及結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管是有一個PN結(jié)構(gòu)成的最簡潔的半導(dǎo)體器件,結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型兩大類PN結(jié)陰極引線鋁合金小球金銻合金底座N型硅陽極引線面接觸型引線外殼觸絲N型鍺片點接觸型表示符號點接觸型二極管:PN結(jié)面積小,通過的電流小,高頻性能好,一般為鍺二極管面接觸性二極管:PN結(jié)面積大,通過的電流大,工作頻率低,常用于整流電路,一般為硅二極管2、適用范圍3、二極管的伏安特性硅管0.5V鍺管0.1V反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿,失去單向?qū)щ娦?。正向特性反向特性特點:非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3VUI死區(qū)電壓PN+–PN–+反向電流在確定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)(很?。┒ㄐ苑治觯和茢喽O管的工作狀態(tài)導(dǎo)通截止將二極管斷開,分析二極管兩端電位的凹凸或所加電壓UD的正負(fù)。分析方法:練習(xí):在圖1所示的各電路圖中,E=5V,ui=10sinωtV,二極管D的正向壓降可忽視不計,試分別畫出輸出電壓u0的波形。解答二極管起鉗位作用4、二極管的主要參數(shù)1最大整流電流二極管長時間運(yùn)用時,允許流過的最大正向平均電流。2最高反向工作電壓

保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓,通常是反向擊穿電壓的一半3反向電流

二極管上加最高反向工作電壓時的反向電流值。硅管的反向電流較小,鍺管的較大,為硅管的幾十倍。5、二極管的型號與類型國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下:2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。代表器件的材料,A為N型Ge,B為P型Ge,C為N型Si,D為P型Si。2代表二極管,3代表三極管。第四節(jié)特殊半導(dǎo)體二極管1、穩(wěn)壓管_+符號UZ穩(wěn)定電壓IZ穩(wěn)定電流IZM最大穩(wěn)定電流UZ

IZ運(yùn)用時要加限流電阻UIO穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓反向擊穿后,電流變更很大,但其兩端電壓變更很小,利用此穩(wěn)定電壓特性,做成穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管參數(shù)(3)動態(tài)電阻(2)穩(wěn)定電流(4)最大允許耗散功率穩(wěn)壓管端電壓的變更量與相應(yīng)的電流變更量的比值管子不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗。PZM=UZIZM(1)穩(wěn)定電壓UZ穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。穩(wěn)壓值是確定的大于穩(wěn)定電壓,才能保證較好的穩(wěn)壓效果(5)電壓溫度系數(shù)說明穩(wěn)壓管受溫度變更影響的系數(shù),通常低于6V的穩(wěn)壓管的電壓溫度系數(shù)是負(fù)的2、發(fā)光二極管發(fā)光二極管簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二極管。發(fā)光二極管光的顏色取決于半導(dǎo)體材料,如磷砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光符號正向?qū)〞r,電能轉(zhuǎn)化為光能3、光敏二極管符號光敏二極管又稱光電二極管,工作時,處于反相接法,并把光能轉(zhuǎn)化為電能本次課總結(jié)二極管的類型二極管的符號二極管的伏安特性最高反向工作電壓通常是多少2CZ11A穩(wěn)壓管的材料穩(wěn)壓管、發(fā)光二極管、光電二極管工作區(qū)間穩(wěn)壓管的電壓溫度系數(shù)的分界數(shù)發(fā)光二極管、光敏二極管的符號點接觸型、面接觸型正向、反向、反向擊穿取反向擊穿的一半有整流作用的硅二極管硅二極管反向擊穿區(qū)、正向?qū)?、反相接?V想一想課堂練習(xí)(1)只要在穩(wěn)壓管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。()(2)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。()練一練(3)有兩個穩(wěn)壓二極管DZ1和DZ2,其穩(wěn)定電壓分別為5.5V和8.5V,正向壓降都是0.5V。假如要得到3V的穩(wěn)定電壓,應(yīng)如何連接?(4)電路如題2-11圖所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=8V,設(shè)輸入信號為峰值15V三角波,試畫出輸出uo的波形?!獭陶n后作業(yè)布置作業(yè):教材P110/推斷題3、4、5、6;P111/選擇題6、7、8、9、10、11、12二極管的類型二極管的伏安特性最高反向工作電壓通常是多少穩(wěn)壓管、光電二極管、發(fā)光二極管的符號及求V0的波形圖點接觸型、面接觸型正向、反向、反向擊穿取反向擊穿的一半復(fù)習(xí)2:vs第五節(jié)半導(dǎo)體三極管1、半導(dǎo)體三極管的基本結(jié)構(gòu)和型號NPN

PNP三極管是由兩個PN結(jié)組成的有PNP型和NPN型;硅管和鍺管;大功率管和小功率管;高頻管和低頻管。符號:BECBECNPN型三極管PNP型三極管NNP放射極集電極NPN型BECPNP型PPNBEC基極放射極集電極基極電流方向從P到NBECNNP基極發(fā)射極集電極集電區(qū):面積較大放射區(qū):摻雜濃度較高基區(qū):較薄,摻雜濃度低三極管在制造時必需滿足以下條件:1、放射區(qū)摻雜濃度最大,它的作用是放射載流子。2、基區(qū)必需做得很?。ㄎ⒚准墸诫s濃度最小,它的作用是傳輸和限制載流子。3、集電區(qū)要做得體積最大,它的作用是收集載流子。BECNNP基極發(fā)射極集電極放射結(jié)其次位:A鍺PNP管、B鍺NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管3DG110B2、三極管的型號與類型3、三極管的電流安排和放大作用三極管工作于放大狀態(tài)的條件:放射結(jié)加上正向電壓(正向偏置),集電結(jié)加上反向電壓(反向偏置)EBRBECRCBECNNP從電位的角度看:NPN放射結(jié)正偏VB>VE集電結(jié)反偏VC>VB

VC>

VB>VEBECIBIEICNPN型三極管BECIBIEICPNP型三極管uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共放射極共集電極共基極2)三極管的連接方式一、共放射極接法二、共集電極接法三、共基極接法以三極管共放射極接法電路為例電流是如何分配的?μAmAmAIBICIERBEC++__EBBCE3DG6RpIB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.051)三電極電流關(guān)系IE=IB+IC把基極電流的微小變更能夠引起集電極電流較大變更的特性稱為三極管的電流放大作用。2)IC

IB

IC

IE

3)IC

IB由試驗可以得到三極管的放大作用是在確定的外部條件限制下,通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。三極管正常放大外加電壓必需滿足:1.放射結(jié)外加正向電壓,即P區(qū)較N區(qū)為正。2.集電結(jié)外加反向電壓,即P區(qū)較N區(qū)為負(fù)。正常放大時,NPN管集電極電位最高,基極電位次之,射極電位最低。即UC

UB

UE

;PNP管則反之,射極電位最高,基極電位次之,集電極電位最低。即UE

UB

UC.放射區(qū):放射載流子集電區(qū):收集載流子基區(qū):傳送和限制載流子RBEC++__EBEBCNNPRBEC++__EBEBCICIBIEICBOIBEIEC得稱之為三極管的穿透電流,它與集電極的反向電流有關(guān),由于集電極的反向電流會隨著溫度上升,穿透電流也上升,在運(yùn)用三極管時應(yīng)當(dāng)留意三極管的放大作用,主要是依靠放射區(qū)放射電子能夠通過基區(qū),并被集電區(qū)收集而實現(xiàn)的。實質(zhì):用一個微小電流的變更去限制一個較大電流的變更,是電流限制器件。條件是:內(nèi)部條件:放射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,且基區(qū)很薄。外部條件:放射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。小結(jié):例題;測得工作在放大區(qū)的四個三極管,各電極對地電位如題表2-1-1,推斷是硅管還是鍺管,是PNP管還是NPN管,并標(biāo)出管腳ebc填入表中4、三極管的特性曲線輸入特性曲線與二極管的正向特性相像放大區(qū):iC平行于vCE軸,與vCE無關(guān),受iB控制。此時,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。飽和區(qū):iC隨vCE的增加變化很快,一般vCE<0.7V(硅管)。此時,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。

輸出特性曲線輸出特性曲線的三個區(qū)域:截止區(qū):iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時,vBE小于死區(qū)電壓。發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE輸入回路輸出回路輸出特性三個區(qū)域的特點:放大區(qū):放射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏。即:IC=IB,且IC=IB(2)飽和區(qū):放射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。即:UCEUBE,IB>IC,UCE0.3V(3)截止區(qū):

UBE<死區(qū)電壓,IB=0,IC=ICEO

0

例:

=50,UCC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k

當(dāng)UBB

=-2V,2V,5V時,晶體管工作于哪個區(qū)?當(dāng)USB

=-2V時:ICUCEIBUBCRBUBBCBERCUBEIB=0,IC=0IC最大飽和電流:Q位于截止區(qū)

說明電源的習(xí)慣連接方式,B、C共用電源例:

=50,UCC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k

當(dāng)USB

=-2V,2V,5V時,晶體管工作于哪個區(qū)?IC<

ICmax(=2mA)

Q位于放大區(qū)。ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V時:USB

=5V時:例:

=50,USC

=12V,

RB

=70k,RC

=6k

當(dāng)USB

=-2V,2V,5V時,晶體管工作于哪個區(qū)?Q位于飽和區(qū),此時IC和IB

已不是倍的關(guān)系。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE5、三極管的主要參數(shù)1、電流放大系數(shù):靜態(tài)電流(直流)放大系數(shù):動態(tài)電流(溝通)放大系數(shù)2、集—基極反向截止電流受溫度的影響大。在室溫下,小功率鍺管的ICBO約為幾微安到幾十微安,小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。3、集—射極反向截止電流愈高的管子,穩(wěn)定性愈差。越大4集電極最大允許電流5集—射極反向擊穿電壓通常指β值下降到原來的2/3或是1/2時的集電極電流指基極開路時,加在集電極和放射機(jī)之間最大允許電壓6集電極最大允許耗散功受結(jié)溫的限制例:UCE=6V時:IB=40A,IC=1.5mA;IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計算中,一般作近似處理:=1.電流放大倍數(shù)和

2.集-基極反向截止電流ICBOAICBOICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流,受溫度變更的影響。BECNNPICBOICEO=

(1+)ICBO

IBEIBEICBO進(jìn)入N區(qū),形成IBE。依據(jù)放大關(guān)系,由于IBE的存在,必有電流IBE。集電結(jié)反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大,當(dāng)溫度上升時,ICEO增加很快,所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC

流過三極管,所發(fā)出的焦耳熱為:PC=ICUCE必定導(dǎo)致結(jié)溫上升,所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO平安工作區(qū)三極管的簡易檢測1、確定基極和管型萬用表置R×100Ω或R×1kΩ擋,黑表筆接三極管任一管腳,用紅表筆分別接觸其余兩個管腳假如兩次測得的阻值都較?。ɑ蚓^大),則黑表筆接得管腳為基極。阻值小的那個為NPN型,大的為PNP型。假如兩次測得值相差很大,應(yīng)當(dāng)調(diào)換管腳,直到找到基極。2、確定集電極和放射極確定基極后,若是NPN型,可將紅、黑表筆分別接在兩個未知電極上,表針指向無窮大處,再用手將基極和黑表筆所接管腳捏緊(兩極不能接觸,相當(dāng)于接入電阻),登記阻值;對調(diào)表筆,相同方法在測一遍,兩次測量中,讀數(shù)小的一次,黑表筆所接為集電極;假如測試表針不動,則三極管失去放大功能。測量PNP型,應(yīng)捏緊紅表筆端,且度數(shù)較小的一次紅表筆為集電極本次課總結(jié)三極管的組成三極管的類型三極管的結(jié)構(gòu)三極管的三種接法三極管的基本作用三極管輸出特性的三個區(qū)域想一想由兩個PN結(jié)組成NPN型、PNP型基極B、放射極E、集電極C共基極、共放射極、共集電極放大電信號截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)課堂練習(xí)練一練(1)晶體管的三個工作區(qū)分別是、和。在放大電路中,晶體管通常工作在區(qū)。(2)晶體管工作在飽和狀態(tài)時放射極沒有電流流過。()(3)一只NPN型三極管,能將e和c兩電極交換運(yùn)用。()(4)有兩個晶體管分別接在電路中,今測得它們管腳的電位(對“地”)分別如下表所列,試判別管子的三個電極,并說明是硅管還是鍺管?是NPN型還是PNP型?放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)××管腳123電位/V43.49NPN型:集電極電位最高,放射極電位最低,UBE>0;PNP型;放射極電位最高,集電極電位最低,UBE<0。硅管:基極電位與放射極電位大約相差0.6V或0.7V;鍺管:基極電位與放射極電位大約相差0.2V或0.3V。由此可知:晶體管I:NPN型,硅管,1?B、2?E、3?C;晶體管II:PNP型,鍺管,1?C、2?B、3?E。課后作業(yè)布置作業(yè):教材P110/7、8、9;P111/2、13、14、15、16復(fù)習(xí)3:三極管的組成三極管的類型三極管的結(jié)構(gòu)三極管的基本作用三極管輸出特性的三個區(qū)域由兩個PN結(jié)組成NPN型、PNP型基極B、放射極E、集電極C放大電信號截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)第六節(jié)基本放大電路1、共放射極放大電路的組成放大電路:把微弱的電信號轉(zhuǎn)變?yōu)檩^強(qiáng)的電信號的電子電路ECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE晶體管T--放大元件,iC=iB。要保證放射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,使晶體管工作在放大區(qū)基極電源EB與基極電阻RB--使放射結(jié)處于正偏,并供應(yīng)大小適當(dāng)?shù)幕鶚O電流。集電極電源EC--保證集電結(jié)反偏,并為電路供應(yīng)能量。集電極電阻RC--將變更的電流轉(zhuǎn)換為變更的電壓。耦合電容C1、C2--隔離輸入、輸出與放大電路直流的聯(lián)系,同時使信號順當(dāng)輸入、輸出。2、基本放大電路的工作原理設(shè)置靜態(tài)工作點為什么要設(shè)置靜態(tài)工作點?+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE不設(shè)置靜態(tài)工作點,當(dāng)溝通信號輸入時,信號的負(fù)半周由于三極管截止,信號無法輸入;而正半周由于三極管存在死區(qū)電壓,可通過的信號少,可見,不建立靜態(tài)工作點,三極管無法正常工作靜態(tài)工作點的概念無輸入信號(ui

=0)時:uo=0uBE=UBEuCE=UCEuBEtOiBtOiCtOuCEtOICUCEOIBUBEO

(IB、UBE)

和(IC、UCE)分別對應(yīng)于輸入、輸出特性曲線上的一個點,稱為靜態(tài)工作點。QIBUBEQUCEICUBEIB無輸入信號(ui

=0)時:uo=0uBE=UBEuCE=UCE?有輸入信號(ui

≠0)時uCE=UCC-iC

RCuo0uBE=UBE+uiuCE=UCE+uoIC+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO加上輸入信號電壓后,各電極電流和電壓的大小均發(fā)生了變更,都在直流量的基礎(chǔ)上疊加了一個溝通量,但方向始終不變。+集電極電流直流重量溝通重量動態(tài)分析iCtOiCtICOiCticO靜態(tài)分析1、為了使三極管正常工作,必需設(shè)置靜態(tài)工作點2、三極管上的電壓和電流存在兩個重量,直流重量和溝通重量;直流重量用以建立靜態(tài)工作點,溝通重量用來保證溝通信號流通3、由于輸入增大時,都增大,但反而下降,所以共放射極放大電路的輸入電壓和輸出電壓是反相的另:因電容對交、直流的作用不同。在放大電路中假如電容的容量足夠大,可以認(rèn)為它對溝通重量不起作用,即對溝通短路。而對直流可以看成開路。這樣,交直流所走的通路是不同的。直流通路:無信號時電流(直流電流)的通路,用來計算靜態(tài)工作點。溝通通路:有信號時溝通重量(變更量)的通路,用來計算電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論