mosfet產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以及工藝流程簡介

12023/3/21AllrightsreservedbySilanIC12023/3/21AllrightsreservedbySilanICMOSFET產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及工藝流程介紹HangzhouSilanIntegratedCircuitCo.,Ltd。No.10Road,EastHETZ,Hangzhou22023/3/21AllrightsreservedbySilanIC22023/3/21AllrightsreservedbySilanIC目錄一、SilanMOSFET產(chǎn)品介紹二、MOSFET產(chǎn)品結(jié)構(gòu)三、MOSFET產(chǎn)品流程四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝RoadMapofSilanPlanarMOSFET<SVD*N*>40V-200V10A-200A<SVD*N*>400V-800V

0.5A-13A<SVF*N*>400V-900V

0.5A-25A<SVF*N*C*>500V-650V2A-13A<SVF*N*C*>700V-800V2A-13ADevelopingMP<S-RinSeries><F-CellSeries>Y2007-2011Y2012-2015Y2016RoadMapofSilanSuperJunctionMOSFETMPDevelopingPlanningY2012-2014Y2015Y2016Y2017<DPMOS

III>600-650V

2A-12A<DPMOS

II>600V-650V7A-13A<DPMOS

II>700V4A-12A<DPMOS

II>800-900V2A-12A<DPMOS

IV>600-900V2A-12A<DPMOS

III>700-900V

2A-12A<DPMOS

I>600V-650V2A-47AMulti-EpiTrenchSuperJuction:DPMOSI/II/III/IVPlanarProcess:S-Rin&F-CellRoadMapofSilanMOSFETA*RDSON62023/3/216AllrightsreservedbySilanIC二、MOSFET產(chǎn)品結(jié)構(gòu)藍(lán)色方框內(nèi)是元胞區(qū)域，外面是分壓環(huán)區(qū)域Gate端Source端72023/3/217AllrightsreservedbySilanICTopMetalBPSGPolygateGateOxideN-EpilayerSubstrateS:SourceG:GateD:DrainP-BodySourceN+F-CellTM

系列的元胞結(jié)構(gòu)示意圖82023/3/218AllrightsreservedbySilanIC氧化擴(kuò)散多晶硅沉積BPSG沉積金屬膜淀積鈍化層淀淀勻光刻膠曝光顯影刻蝕離子注入光刻版硅片投入外延成長硅片清洗去膠金屬熱處理/電性能測試硅片減薄/背面金屬化芯片測

試三、

MOSFET產(chǎn)品流程版圖設(shè)計出廠檢驗(yàn)92023/3/219AllrightsreservedbySilanIC三、MOSFET產(chǎn)品流程簡易流程序號步驟相關(guān)工藝1外延生長外延2場氧化氧化3分壓環(huán)形成光刻、刻蝕、注入、退火4有源區(qū)形成光刻、刻蝕5柵氧生長氧化6多晶淀積擴(kuò)散7多晶柵形成光刻、刻蝕8P-BODY區(qū)形成注入、擴(kuò)散9N+源區(qū)形成光刻、注入10BPSG淀積CVD、擴(kuò)散11引線孔形成光刻、刻蝕12正面金屬化CVD、光刻、刻蝕13減薄減薄14背面金屬化蒸發(fā)15測試PCM16出廠檢驗(yàn)外觀檢驗(yàn)，真空包裝102023/3/2110AllrightsreservedbySilanIC外延成長控制點(diǎn)：外延層厚度，取樣頻率5點(diǎn)/片x2片/爐控制點(diǎn)：電阻，取樣頻率5點(diǎn)/片x1片/3爐四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝112023/3/2111AllrightsreservedbySilanIC分壓環(huán)形成-場氧化控制點(diǎn)：氧化層厚度，取樣頻率5點(diǎn)/片x2片/爐四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝122023/3/2112AllrightsreservedbySilanIC分壓環(huán)形成-光刻、刻蝕控制點(diǎn)：線寬（CD）取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/批四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝132023/3/2113AllrightsreservedbySilanIC分壓環(huán)形成-注入B+離子注入控制點(diǎn)：Rs(方塊電阻），取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：方塊電阻均勻性，取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝142023/3/2114AllrightsreservedbySilanIC分壓環(huán)形成-退火P-控制點(diǎn)：氧化層厚度

取樣頻率：5點(diǎn)/片x2片/爐四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝152023/3/2115AllrightsreservedbySilanIC有源區(qū)形成-光刻,SIO2刻蝕控制點(diǎn)：CD(線寬）取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/天四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝162023/3/2116AllrightsreservedbySilanIC柵氧和多晶成長以及摻雜

P-控制點(diǎn)：柵氧厚度

取樣頻率：5點(diǎn)/片x2片/爐控制點(diǎn)：多晶厚度取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/爐控制點(diǎn)：多晶電阻取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/爐柵氧和多晶成長以及摻雜四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝172023/3/2117AllrightsreservedbySilanIC多晶柵形成-光刻、刻蝕控制點(diǎn)：多晶CD取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：刻蝕后氧化層厚度取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/批P-多晶柵形成-光刻、刻蝕四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝182023/3/2118AllrightsreservedbySilanICP-Body形成B+離子注入高溫退火形成P-BODYP-P-控制點(diǎn)：Rs(方塊電阻），取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：方塊電阻均勻性，取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：退火后樣片氧化層厚度，取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/爐P-Body形成四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝192023/3/2119AllrightsreservedbySilanICAs+離子注入光刻膠P-控制點(diǎn)：Rs(方塊電阻），取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：方塊電阻均勻性，取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：線寬（CD),取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/天N+源注入-光刻，注入四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝202023/3/2120AllrightsreservedbySilanICN+BPSG介質(zhì)膜引線孔P-控制點(diǎn)：BPSG淀積厚度，取樣頻率5點(diǎn)/片x1片/批控制點(diǎn)：方塊電阻均勻性，取樣頻率49點(diǎn)/片x1片/天控制點(diǎn)：線寬（CD),取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/天N+區(qū)域、BPSG淀積、引線孔形成四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝212023/3/2121AllrightsreservedbySilanIC鋁金屬連線金屬場板N+分壓環(huán)區(qū)域元胞區(qū)域P-控制點(diǎn)：鋁淀積厚度，取樣頻率5點(diǎn)/片x1片/批控制點(diǎn)：反射率，取樣頻率5點(diǎn)/片x1片/批正面金屬化-鋁淀積，光刻，刻蝕四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝222023/3/2122AllrightsreservedbySilanIC鋁金屬連線金屬場板N+背面金屬（Ti/Ni/Ag）控制點(diǎn)：圓片厚度取樣頻率：5點(diǎn)/片x1片/批控制點(diǎn)：背面金屬厚度取樣頻率：2點(diǎn)/片x1片/天減薄、背面金屬化四、MOSFET產(chǎn)品制造工藝232023/3/2123AllrightsreservedbySilanIC控制點(diǎn)：片良率控制