整流橋原理分析

關(guān)于整流橋原理分析第一頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一一、二極管的概念第二頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一二、二極管的特性

第三頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一三、二級(jí)管的用途第四頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一四、二極管整流第五頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一五、整流橋

單相橋是有4個(gè)二極管組合，其結(jié)構(gòu)如下圖：第六頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一六、單相整流橋的整流電路第七頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一七、直流穩(wěn)壓電源第八頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一八、開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用第九頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一一、整流橋的主要注意：第二部分整流橋市場(chǎng)第十頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一二、應(yīng)用市場(chǎng)1，小電流0.5A~4A第十一頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一2、普通電流6A~25A第十二頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3、大電流35A~800A第十三頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一三、行業(yè)市場(chǎng)分析

1，工業(yè)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)品牌三菱富士SanRexVISHAYSemikronIXYSIR

MICROSEM工業(yè)領(lǐng)域第十四頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一1.1各品牌的大致情況1.1.1Semikron–電力電子行業(yè)

1951年成立于德國(guó)總部位于紐倫堡第三代家族式企業(yè)

全球擁有3200名員工，全球擁有35家分公司

在德國(guó)、巴西、中國(guó)、法國(guó)、意大利、韓國(guó)、斯洛伐克、南非和美國(guó)設(shè)有生產(chǎn)基地

電力電子系統(tǒng)、標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體及定制解決方案和系統(tǒng)比較厲害。

主要產(chǎn)品涉及：IGBT模塊、MOSFET模塊、可控硅及二極管模塊、分立器件、驅(qū)動(dòng)器、散熱器等附件。

Semikron整流模塊主要市場(chǎng)：商用電磁爐、工業(yè)控制電源

網(wǎng)址：/skcompub/en/index.htm第十五頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一1.1.2三社–半導(dǎo)體器件

1933年四方幸夫創(chuàng)辦個(gè)人經(jīng)營(yíng)的三社電機(jī)公司，著手生產(chǎn)放映機(jī)光源用〈扼流線(xiàn)圈·自耦變壓器〉。

目前國(guó)內(nèi)辦事點(diǎn)：

2001三社電電機(jī)（上海）有限公司在中國(guó)上海成立；

2004北京事務(wù)所。

2006年佛山市順德區(qū)三社電機(jī)有限公司的新工廠開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)。功率器件主要涉及產(chǎn)品：可控硅、IGBT、GTR、整流模塊。

三社模塊主要市場(chǎng)：商用空調(diào)、商用電磁爐、變頻器三社網(wǎng)址：http://www.sansha.co.jp/official/chinesesite/第十六頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一IXYS公司是世界著名的半導(dǎo)體廠家,成立于1983年,總部設(shè)于加利福尼亞州，一家在美國(guó)納斯達(dá)上市的公司。擁有1000

多個(gè)科技人才在全球范圍內(nèi)的9個(gè)部門(mén)。主要產(chǎn)品：致MOSFET,IGBT,可控硅、二極管，整流橋，快速二極管，肖特基，電源管理IC等。IXYS的產(chǎn)品以高靠性和大功率為業(yè)界所推崇（

IXYS還提供了太陽(yáng)能/風(fēng)的能量轉(zhuǎn)換的功率半導(dǎo)體和引入第一的太陽(yáng)能電池）IXYS先后收購(gòu)了WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司，產(chǎn)品擴(kuò)充到大功率的盤(pán)狀可控硅二極管，壓接式IGBT,固態(tài)繼電器，電源管理IC，RFMOSFET及其驅(qū)動(dòng)等IXYS模塊主要市場(chǎng)：電信通訊電源、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、變頻器等網(wǎng)址：/1.1.3IXYS–功率器件

第十七頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一2，家電行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)品牌家電行業(yè)新電源樂(lè)山固锝揚(yáng)杰強(qiáng)茂SEP(臺(tái)灣長(zhǎng)虹)深科電子美高森美第十八頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一2.1.1sindengen-電源行業(yè)

1949年，小田孝次郎成立sindengen工業(yè)，一直致力于功率半導(dǎo)體以及開(kāi)關(guān)電源等功率電子領(lǐng)域。sindengen全球員工大約有6140人。sindengen主要涉及產(chǎn)品：整流橋、AC-DC、DC-DC、控制模塊、快恢復(fù)二極管、電路組件等sindengen整流橋主要市場(chǎng)：開(kāi)關(guān)電源、變頻家用行業(yè)等網(wǎng)址：http://www.shindengen.co.jp/top_e/index.html第十九頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一2.1.2LRC樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電—半導(dǎo)體

樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電，創(chuàng)建于1970年，樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司及其合資企業(yè)是中國(guó)最大的分立半導(dǎo)體器件制造基地。LRC產(chǎn)品主要涉及：二極管、晶體管、集成電路、整流橋。LRC整流橋主要市場(chǎng)：開(kāi)關(guān)電源、家電。網(wǎng)址：/product.asp第二十頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一第三部分美高森美整流橋3.1公司簡(jiǎn)介：

美國(guó)美高森美集團(tuán)在宇航、醫(yī)療及軍工等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域出眾且獨(dú)特的芯片制造工藝技術(shù)。

公司主要生產(chǎn)高可靠性大功率玻璃鈍化整流二極管芯片（GPP）、整流橋（BRIDGE）、高壓硅堆、模塊及其它半導(dǎo)體器件和芯片，產(chǎn)品達(dá)到美國(guó)軍用/航空二極管標(biāo)準(zhǔn)，主要出口美國(guó)、廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、醫(yī)療器械、汽車(chē)、衛(wèi)星、通訊及軍用/航天等領(lǐng)域。

第二十一頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3.2產(chǎn)品組成晶圓部分產(chǎn)品部分第二十二頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3.3整流橋內(nèi)部工藝：鈍化保護(hù)技術(shù)星級(jí)

芯片結(jié)構(gòu)工藝技術(shù)擴(kuò)散片(OpenJunction)擴(kuò)散+硅橡膠保護(hù)臺(tái)面腐蝕+溝槽玻璃鈍化臺(tái)面腐蝕+SIPOS保護(hù)層

+溝槽玻璃鈍化質(zhì)量等級(jí)低質(zhì)量低質(zhì)量中等質(zhì)量中等偏上P+

N

N+P+N+P+

NN+P+NN+N

N+

P+第二十三頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3.3.1Microsemi的5星級(jí)鈍化保護(hù)技術(shù)P+

N

N+氮化硅保護(hù)層=氮化硅&玻璃鈍化（Microsemi在所有高可靠性產(chǎn)品中均采用此技術(shù)）工藝技術(shù):臺(tái)面腐蝕+氮化硅保護(hù)層+溝槽玻璃鈍化質(zhì)量等級(jí):最高質(zhì)量等級(jí)第二十四頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3.4SMSC模塊新設(shè)計(jì)的雙溝槽玻璃鈍化保護(hù)芯片真空燒結(jié)，空洞率<2.5%。X-Ray全掃描，徹底保證焊接層質(zhì)量。第二十五頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一TypeFrameRemarkMT3516A采用新型鋁基覆銅板（AluminiumCopperCladLaminate）結(jié)構(gòu)，芯片直接焊在鋁基覆銅板上，橋堆工作時(shí)，芯片通電所產(chǎn)生的熱量直接由鋁基板迅速傳給散熱器。因此大大降低了橋堆自身的殼溫，從而提高了橋堆的實(shí)際工作效率和可靠性及使用壽命。

MT3516采用鋁底膠殼結(jié)構(gòu)，芯片通電所產(chǎn)生的熱量需要通過(guò)膠殼傳遞到底部鋁板，然后再通過(guò)散熱器進(jìn)行散熱。因?yàn)槟z殼傳熱而增加了產(chǎn)品熱阻，從而降低了產(chǎn)品的工作效率。NEW3.5方橋-新型鋁基覆銅板結(jié)構(gòu)第二十六頁(yè)，共二十九頁(yè)，編輯于2023年，星期一3.6Microsemi高可靠性試驗(yàn)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)條件高溫存放(HTSL)Ta=150℃,T=48H,Nobias高低溫循環(huán)(TCT)HOTTa=TvjmT=30mins,COLDTa=TvjlT=30mins,TRANSFERRING≤10secs,Cycles=10高壓蒸煮(PCT)(塑封產(chǎn)品)15P.S.I@121℃,T=48H高溫反偏(HTRB)Tj=150℃,VBR=80%VRRM,T=96H（一般產(chǎn)品60%）功率老化(OP-Life)Ton=Toff=5minutes,orTon=FromTj=25+/-5℃toTj=150+0/-10℃