第三講雙極型晶體管演示文稿

第三講雙極型晶體管演示文稿當(dāng)前1頁(yè)，總共42頁(yè)。（優(yōu)選）第三講雙極型晶體管當(dāng)前2頁(yè)，總共42頁(yè)。BJT是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的三端器件，有兩種基本類(lèi)型:NPN型和PNP型。++NPN管比PNP管應(yīng)用更廣泛，特別在一般的半導(dǎo)體集成電路中，NPN管性能優(yōu)于PNP管，故重點(diǎn)討論NPN管。（一）BJT的結(jié)構(gòu)和符號(hào)基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極基極集電極注意區(qū)分兩者的符號(hào)箭頭方向表示電流的實(shí)際方向當(dāng)前3頁(yè)，總共42頁(yè)。

BJT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：（1）發(fā)射區(qū)高摻雜；（2）基區(qū)很薄，一般在幾微米至幾十微米；且摻雜濃度很低；（3）集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大.管芯結(jié)構(gòu)剖面圖發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)+－－是BJT具有電流放大作用的內(nèi)部原因。要使BJT具有放大作用，還必須給BJT加合適的偏置。當(dāng)前4頁(yè)，總共42頁(yè)。（二）BJT的放大偏置1、什么叫放大偏置？放大偏置——“發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏”。PNPbce+-+-UBEUCEbceiCieib+-+-UBEUCEbceiCieibNPNbce2、放大偏置時(shí)BJT三個(gè)電極的電位關(guān)系：識(shí)別管腳和判斷管型的依據(jù)—是BJT具有電流放大作用的外部條件。前提是BJT處于放大狀態(tài)。（此時(shí)BJT處于放大狀態(tài)）3、放大偏置時(shí)BJT三個(gè)電極的電流方向當(dāng)前5頁(yè)，總共42頁(yè)。例題：測(cè)得放大電路中的某只晶體管三個(gè)管腳的電位如圖所示：試判斷各個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的電極，晶體管的結(jié)構(gòu)類(lèi)型及材料。0.1V0.78V-11.5V1、基極電位UB居中（可先識(shí)別基極）；3、NPN管各極的電位關(guān)系：UC>UB>UE；PNP管各極的電位關(guān)系：UC<UB<UE；BCE該管為PNP型硅管。2、發(fā)射結(jié)正偏壓降:|UBE|=0.7（0.6）V（硅管）

|UBE|

=0.3（0.2）V（鍺管）可識(shí)別發(fā)射極（所剩者即為集電極）；并判斷管子的材料；可識(shí)別管子的類(lèi)型（NPN/PNP）。當(dāng)前6頁(yè)，總共42頁(yè)。1、基極電位UB居中（可識(shí)別基極）；3、NPN管各極的電位關(guān)系：UC>UB>UE；PNP管各極的電位關(guān)系：UC<UB<UE；2、發(fā)射結(jié)壓降:|UBE|=0.7（0.6）V（硅管）

|UBE|

=0.3（0.2）V（鍺管）可識(shí)別發(fā)射極——集電極；判斷管子的材料；可識(shí)別管子的類(lèi)型（NPN/PNP）。7.5V3.9V3.2VBCENPN型硅管。例題：測(cè)得放大電路中的某只晶體管三個(gè)管腳的電位如圖所示：試判斷各個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的電極，晶體管的結(jié)構(gòu)類(lèi)型及材料。當(dāng)前7頁(yè)，總共42頁(yè)。bce

RC

ECEBRbIBICIE（三）放大偏置時(shí)BJT內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程給NPN型BJT加適當(dāng)?shù)钠茫喊l(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。bceRbEBRC

EC當(dāng)前8頁(yè)，總共42頁(yè)。bceRbEBRCECNPN1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入大量電子2、電子在基區(qū)的復(fù)合和繼續(xù)擴(kuò)散IEnIEPIB1發(fā)射結(jié)正偏因濃度差，發(fā)射區(qū)的大量電子經(jīng)發(fā)射結(jié)擴(kuò)散注入基區(qū)，形成電子流基區(qū)空穴擴(kuò)散注入發(fā)射區(qū)從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子成為基區(qū)的非平衡少子，極少數(shù)電子與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成復(fù)合電流絕大部分電子繼續(xù)擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)附近。IB1IEn集電結(jié)反偏3、集電區(qū)收集發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子

ICBO在外電場(chǎng)作用下，由發(fā)射區(qū)擴(kuò)散在集電結(jié)附近的非平衡少子漂移到集電區(qū)ICn基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)集電區(qū)的空穴漂移到基區(qū)ICnICBO（擴(kuò)散）IEP（漂移）平衡少子的漂移當(dāng)前9頁(yè)，總共42頁(yè)。（四）放大偏置時(shí)BJT各極電流的關(guān)系：IE

=IEn+IEPIEn；IC

=ICn+ICBOICn；IB

=IB1+IEP-ICBO1、各極電流的構(gòu)成：2、各極電流之間的關(guān)系：IE

=IC+

IB；①

IE與

IC的關(guān)系：對(duì)于給定的晶體管，集電極收集的電子流是發(fā)射極發(fā)射的電子流的一部分，兩者的比值在一定的電流范圍內(nèi)是一個(gè)常數(shù)，用bceRbEBRCECNPNIEnIEPIB1ICnICBOIBIEIC當(dāng)前10頁(yè)，總共42頁(yè)。（四）放大偏置時(shí)BJT各極電流的關(guān)系：IE

=IEn+IEPIEn；IC

=ICn+ICBOICn；IB

=IB1+IEP-ICBO1、各極電流的構(gòu)成：2、各極電流之間的關(guān)系：IE

=IC+

IB；①

IE與

IC的關(guān)系：②

IC與

IB的關(guān)系：定義：——共射直流電流放大倍數(shù)說(shuō)明：BJT具有電流放大作用；IC受IB控制，BJT為電流控制器件。基本上為常數(shù)，因此放大偏置的BJT中IE、IC和

IB近似成比例關(guān)系。當(dāng)前11頁(yè)，總共42頁(yè)。bce

RC

ECEBRbiBiCiE1、發(fā)射結(jié)正偏電壓uBE對(duì)各極電流的作用——正向控制作用。發(fā)射極電流實(shí)際上是正偏發(fā)射結(jié)的正向電流：（五）BJT的結(jié)偏置電壓與各極電流的關(guān)系uBEuCB兩者是指數(shù)關(guān)系。BJT各個(gè)電極的電流iE、iC、iB與發(fā)射結(jié)正偏電壓uBE都是指數(shù)關(guān)系。當(dāng)前12頁(yè)，總共42頁(yè)。基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射區(qū)集電區(qū)EBC2、集電結(jié)反偏電壓uCB對(duì)各極電流的影響——基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)。集電結(jié)寬度基區(qū)有效寬度這種由集電結(jié)反偏電壓變化引起基

區(qū)寬度變化，從而影響各極電流的

現(xiàn)象稱(chēng)為基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，簡(jiǎn)稱(chēng)

基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)或厄利（Early）效應(yīng)。空穴復(fù)合機(jī)會(huì)uCB通過(guò)厄利效應(yīng)對(duì)BJT電流的影響遠(yuǎn)不如uBE對(duì)電流的正向控制作用大，但它的存在使BJT的電流受控關(guān)系復(fù)雜化，使之成為所謂的“雙向受控元件”，由此帶來(lái)分析的復(fù)雜化，并有可導(dǎo)致放大器因“內(nèi)反饋”而性能變壞。當(dāng)前13頁(yè)，總共42頁(yè)。（六）BJT的截止和飽和工作狀態(tài)1、截止?fàn)顟B(tài)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏晶體管的電流只有反向飽和電流成分。忽略反向飽和電流，則截止?fàn)顟B(tài)下的晶體管各極電流等于0，其等效模型為：cbe2、飽和狀態(tài)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏正偏PN結(jié)的導(dǎo)通電壓較小，在大信號(hào)狀態(tài)下可以忽略，其等效模型為：cbe3、BJT的結(jié)偏置情況與工作狀態(tài)的關(guān)系（1）放大狀態(tài)：發(fā)射結(jié)正偏；集電結(jié)反偏（3）飽和狀態(tài)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏（2）截止?fàn)顟B(tài)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏（4）倒置狀態(tài)：發(fā)射結(jié)反偏；集電結(jié)正偏判斷BJT的工作狀態(tài)當(dāng)前14頁(yè)，總共42頁(yè)。練習(xí)：測(cè)得晶體管無(wú)信號(hào)輸入時(shí)，各個(gè)電極對(duì)“地”電壓如下：判斷管子工作狀態(tài)（放大、截止、飽和、倒置、損壞）0-2.7

-3硅管-30

-0.3鍺管0.7-3.5

0硅管1.11

1.3鍺管（a）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏，截止?fàn)顟B(tài)。（b）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，放大狀態(tài)。（c）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏，倒置狀態(tài)。（d）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，飽和狀態(tài)。當(dāng)前15頁(yè)，總共42頁(yè)。-1.4-3.5-2.8硅管1.31.5

1.2鍺管3.71.5

1.8鍺管12-0.7

2硅管（e）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，放大狀態(tài)。（f）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏，飽和狀態(tài)。（g）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，放大狀態(tài)。（h）發(fā)射結(jié)正偏，UBE0.7V，損壞。練習(xí)：測(cè)得晶體管無(wú)信號(hào)輸入時(shí)，各個(gè)電極對(duì)“地”電壓如下：判斷管子工作狀態(tài)（放大、截止、飽和、倒置、損壞）當(dāng)前16頁(yè)，總共42頁(yè)。0.1mA4mA5mA5.1mA練習(xí)：測(cè)得某放大電路中BJT的兩個(gè)電極的電流如下，請(qǐng)標(biāo)出各管腳對(duì)應(yīng)的電極，剩余電極的電流方向和大小。BCE4.1mA0.1mACBEIE

=IC+

IB當(dāng)前17頁(yè)，總共42頁(yè)。（七）BJT的三種基本組態(tài)：?共射極組態(tài)，用CE表示；?共基極組態(tài)，用CB表示；?共集電極組態(tài)，用CC表示。當(dāng)前18頁(yè)，總共42頁(yè)。

iBuBE二、BJT的靜態(tài)特性曲線——在直流和低頻場(chǎng)合下，BJT輸入端口和輸出端口的伏安特性，是BJT內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)。（一）輸入特性曲線：iB=f(uBE)uCE=常數(shù)UCE=0V110uBE不變，uCEuCBiC,

iB

+-+-uBEuCEbceiCiEiB處于放大狀態(tài)的BJT，uCE1V，曲線特點(diǎn)：1、

iB與uBE近似為指數(shù)關(guān)系，與二極

管正向特性相似。2、

uCE增大，曲線右移（厄利效應(yīng)）。3、當(dāng)uCE1V后，特性曲線基本重合。輸入特性曲線就用uCE1V的曲線表示。對(duì)于一定的uBE

，當(dāng)uCE增大到一定值后，集電結(jié)的電場(chǎng)已足夠強(qiáng)，可以將發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的絕大部分非平衡少子收集到集電區(qū)，因此即使再增大uCE

，iC也不可能明顯增大了。當(dāng)前19頁(yè)，總共42頁(yè)。uCEiC（二）輸出特性曲線：iB=0飽和區(qū)BUCEO擊穿區(qū)截止區(qū)臨界飽和線iB=IB5iB=IB4iB=IB3iB=IB2iB=IB1放大區(qū)+-+-uBEuCEbceiCiEiB2、放大區(qū)：(發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏)uCEuCBiB,iC。iB

，傾斜的程度會(huì)增大。iCiB①特性曲線平坦，近似為直線。②特性曲線間隔均勻，iC隨iB近似的成正比例變化。（BJT的放大作用）③由于厄利效應(yīng)，特性曲線隨uCE的增大略向上傾斜。1、截止區(qū)：（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏）iB=0；iC=ICEO三個(gè)電極電流近似為0，沒(méi)有放大作用。iC=f(uCE)iB=常數(shù)當(dāng)前20頁(yè)，總共42頁(yè)。uCEiCiB=0飽和區(qū)BUCEO擊穿區(qū)截止區(qū)臨界飽和線iB=IB5iB=IB4iB=IB3iB=IB2iB=IB1放大區(qū)3、飽和區(qū)：（uCE<uBE,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏）①臨界飽和：集電結(jié)零偏，uCE=uBE或uCB=0臨界飽和時(shí)，仍有iC＝iB。②進(jìn)入飽和區(qū)后，iC隨uCE的減小而明顯下降。uCE減小使集電結(jié)正偏加大，集電區(qū)的擴(kuò)散電流將抵消部分由發(fā)射區(qū)載流子轉(zhuǎn)化而來(lái)的電流，使集電極電流急劇下降。③各曲線幾乎重合，iC不再

隨iB成比例地變化:iC<iB。④飽和壓降UCES：UCES隨iC的增大而略有增大。典型值：UCES=0.3V。4、擊穿區(qū)：uCE增大到一定值后，iC急劇增大，集電結(jié)反向擊穿。當(dāng)前21頁(yè)，總共42頁(yè)。（三）溫度對(duì)BJT特性曲線的影響T輸入特性曲線左移，（2~2.5)mV/°CuCE/ViCT2

iB/AuBE/VT2>T1T1T，（0.5%~1%)/CTICBOiC，輸出特性曲線上移

當(dāng)前22頁(yè)，總共42頁(yè)。三、BJT的主要特性參數(shù)1、電流增益（電流放大倍數(shù)）：——共射直流電

流放大倍數(shù)——共基直流電

流放大倍數(shù)——共射交流電

流放大倍數(shù)——共基交流電

流放大倍數(shù)一般在電流不是很大的情況，可以認(rèn)為：今后不再區(qū)分直流還是交流，統(tǒng)一用和表示。當(dāng)前23頁(yè)，總共42頁(yè)。2、極間反向電流：（1）集電極－基極反向飽和電流ICBO：（2）集電極反向穿透電流ICEO

：IBICIB=-ICBO，IC=ICBOICEO=（1+）ICBO(P30)與單個(gè)PN結(jié)的反向飽和電流一樣。

ICBO的值很小，硅管小于1μA，鍺管約10μA，受溫度影響很大。此電流從集電區(qū)穿越基區(qū)流至發(fā)射區(qū)，所以叫穿透電流。

ICBO和ICEO都是衡量BJT溫度穩(wěn)定性的重要參數(shù)，因ICEO大，容易測(cè)量，所以常把ICEO作為判斷管子質(zhì)量的重要依據(jù)。

ICBO和ICEO越小，說(shuō)明其質(zhì)量越好。當(dāng)前24頁(yè)，總共42頁(yè)。①集電極最大允許電流ICmax——使BJT的β值明顯減小的集電極電流。②集電極最大允許功率損耗PCmax管子的功率損耗為：③反向擊穿電壓：BUCBO：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極－基極間的反向擊穿電壓。+-+-uBEuCEbceiCiEiBPCmax—pC的平均值不允許超過(guò)的極限值。集電極功率損耗BUCEO：基極開(kāi)路時(shí)集電極－發(fā)射極間的反向擊穿電壓。BUEBO：集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極－基極間的反向擊穿電壓。BUEBO<BUCEO<

BUCBO常用作選取BJT集電極電源電壓的依據(jù)。3、極限參數(shù)：詳見(jiàn)：康華光《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》P80~81當(dāng)前25頁(yè)，總共42頁(yè)。f0①共射截止頻率f：②特征頻率fT：（BJT最重要的頻率參數(shù)）=1時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率(BJT喪失電流放大能力)，與結(jié)電容有關(guān)。fT1f應(yīng)用BJT時(shí)，工作頻率應(yīng)遠(yuǎn)小于fT

。由于結(jié)電容的影響，頻率較高時(shí)BJT的值會(huì)隨頻率而變化：時(shí)對(duì)應(yīng)的頻率。0——BJT的直流(低頻)電流放大系數(shù)。4、BJT的頻率參數(shù)：當(dāng)前26頁(yè)，總共42頁(yè)。RC

ECEBRbiBiCiE+-uSuBEuCE這是一個(gè)放大電路，這個(gè)電路交直流并存。直流電路：保證BJT工作在放大狀態(tài)；交流信號(hào)源：uS為待放大的信號(hào)。問(wèn)題：如何求解支路電流iB,iC,iE？如何求解BJT的極間電壓uBE,uCE？解決方法：應(yīng)用疊加原理用直流等效電路求解直流量：用交流等效電路求解交流量：IB,IC,UBE,UCEib,ic,ube,uce問(wèn)題：①直流電路中BJT如何處理？②交流電路中BJT如何處理？UBE＝0.7V,IC=βIB（隱含條件）用BJT的交流小信號(hào)模型代替BJT。這個(gè)小信號(hào)模型是怎么來(lái)的？它的參數(shù)怎么計(jì)算？brcece

rbeibib+ube-+uce-當(dāng)前27頁(yè)，總共42頁(yè)。RC

ECEBRbiBiCiE+-uSuBEuCEiBuBE四、BJT的交流小信號(hào)模型及參數(shù)uS0,相當(dāng)于在靜態(tài)工作點(diǎn)上疊加交流信號(hào)：UBEIBuSib若工作點(diǎn)選擇適當(dāng)，且信號(hào)電壓較小時(shí)，可將BJT在小范圍內(nèi)的特性曲線看成直線，BJT可以用一個(gè)線性電路來(lái)代替?？梢詫JT看成一個(gè)線性的四端網(wǎng)絡(luò)，并用線性元件組成的網(wǎng)絡(luò)來(lái)模擬BJT端口的伏安特性。IB、UBE、IC、UCE電路如圖所示，靜態(tài)偏置(uS=0)時(shí)，各極電壓和電流為：——BJT交流小信號(hào)模型靜態(tài)工作點(diǎn)Q當(dāng)前28頁(yè)，總共42頁(yè)。bec（一）BJT的混合等效電路及參數(shù)1、型等效電路及參數(shù)意義bec（1）三區(qū)的體電阻rbb'reeb'rCC低頻管：幾百歐姆高頻管：幾十歐姆①

rbb'：基區(qū)體電阻②

rCC：集電區(qū)體電阻③

ree：發(fā)射區(qū)體電阻因兩者截面積大且摻雜濃度高，所以體電阻很小，通常可以忽略。基區(qū)薄且摻雜低，所以體電阻最大。當(dāng)前29頁(yè)，總共42頁(yè)。becrbb'reeb'rCC（2）基區(qū)復(fù)合電阻：rb'e反映發(fā)射結(jié)ub'e對(duì)ib的控制作用。rberbe是發(fā)射結(jié)動(dòng)態(tài)電阻re折合到基極回路的等效電阻。（發(fā)射結(jié)動(dòng)態(tài)電阻）當(dāng)前30頁(yè)，總共42頁(yè)。becrbb'reeb'rCCrbegmube（3）BJT的跨導(dǎo)：gm

反映發(fā)射結(jié)電壓ub'e對(duì)集電極電流iC的控制能力。室溫下：uCEiC當(dāng)前31頁(yè)，總共42頁(yè)。becrbb'reeb'rCCrbe（5）

集電結(jié)反偏動(dòng)態(tài)電阻：rb'C（4）集-射極間電阻：rCerbCrce反映Early效應(yīng)對(duì)iC和iB的影響。iCuCE0uCEiCUAQ(IC,UCE)（幾十千歐以上）UA：厄利電壓，一般大于100V。（100k~10M

）gmube當(dāng)前32頁(yè)，總共42頁(yè)。becrbb'reeb'rCCrberbCrcegmubeCbCCbe（6）結(jié)電容Cb'e

：發(fā)射結(jié)等效電容因發(fā)射結(jié)正偏，所以有CbC

：集電結(jié)等效電容（2~10pF）因集電結(jié)反偏，所以有（100~500pF）反映PN結(jié)的電容效應(yīng)。當(dāng)前33頁(yè)，總共42頁(yè)。2、混合型等效電路模型參數(shù)的確定（1）模型的組成正向控制和傳輸效應(yīng)：基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：結(jié)電容效應(yīng)：體電阻效應(yīng)：bb'Cb'ereeCb'crb'crccrcegmub'ecerbb'ub'e+-rb'e（2）模型反映了BJT的四個(gè)物理效應(yīng)因rCC、ree很小，通常都可忽略。becrbb'reeb'rCCrberbCrcegmubeCbCCbe當(dāng)前34頁(yè)，總共42頁(yè)。bb'Cb'ereeCb'crb'crccrcegmub'ecerbb'ub'e+-rb'e（3）模型參數(shù)的確定方法①rbb一般會(huì)給出，若沒(méi)有給出，可用200~300代入，或忽略。⑤CbC一般會(huì)給出；②③④rce為幾十千歐到幾百千歐，若不給，可認(rèn)為rce＝。若給出條件可計(jì)算：bb'Cb'erb'eCb'crcegmub'ecerbb'rb'cub'e+-當(dāng)前35頁(yè)，總共42頁(yè)。bb'Cb'erb'eCb'crcegmub'ecerbb'rb'cub'e+-（1）混模型的適用場(chǎng)合3、混合型等效電路模型的簡(jiǎn)化混模型可用于低頻和高頻。要求：（2）簡(jiǎn)化的低頻混模型低頻時(shí)，Cb'e和Cb'c容抗很大，可視為開(kāi)路；rb'c很大，通常視為開(kāi)路。當(dāng)負(fù)載電阻較小時(shí)，rce也可視為開(kāi)路。bb'rcecerbb'e

rb'egmub'e低頻+ub'e-當(dāng)前36頁(yè)，總共42頁(yè)。hrehoehfehie（二）BJT的H參數(shù)等效模型1、共射BJTH參數(shù)的引出iBiC+-uBEuCE-+自變量?。篿B、uCE;應(yīng)變量?。簎BE、iC輸入、輸出端口的V－A關(guān)系分別為：對(duì)上兩式取全微分，得：在小信號(hào)作用下，可用交流量表示微變量，得:hie、hre、hfe、hoe稱(chēng)為共射BJT的H參數(shù)。當(dāng)前37頁(yè)，總共42頁(yè)。2、共射H參數(shù)的物理意義（1）0==ceubbeieiuh——輸出交流短路時(shí)的輸入阻抗。表示BJT輸入特性曲線在工作點(diǎn)處的切線斜率的倒數(shù)。iBuBE常數(shù)=DDCEuBBEiu

iBuBEuCEuBE反映了BJT輸出回路對(duì)輸入回路的影響（厄利效應(yīng)）。（2）0==bicebereuuh——輸入端交流開(kāi)路時(shí)的反向電壓傳輸系數(shù)。常數(shù)=DD

B

i

CEBEuuibic+-ubeuce-+當(dāng)前38頁(yè)，總共42頁(yè)。（3）0==

ceubcfe

i

ihD

D

CEUBCi

i——輸出交流短路時(shí)的正向電流放大倍數(shù)。反映了ib對(duì)iC的正向控制作用。iCuCEUCEiC