《半導(dǎo)體光電子學(xué)》2.1半導(dǎo)體中量子躍遷的特點(diǎn)_第1頁
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第一節(jié)半導(dǎo)體中量子躍遷的特點(diǎn)

編輯ppt半導(dǎo)體中與光有關(guān)的量子（電子或空穴）躍遷主要發(fā)生在導(dǎo)帶與價(jià)帶之間。

1.受激吸收受激吸收之后出現(xiàn)電子-空穴對(duì)光電導(dǎo)、光探測(cè)器原理。

編輯ppt

2.自發(fā)發(fā)射半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）工作原理。3.受激發(fā)射半導(dǎo)體激光器（LD）工作原理。編輯ppt

半導(dǎo)體中量子躍遷特點(diǎn)：①電子態(tài)密度高（N～1023㎝ˉ3）量子躍遷速率大增益系數(shù)大②量子效率高，響應(yīng)速度快（碰撞能量交換時(shí)間短）可直接調(diào)制2.5GHz③能量轉(zhuǎn)換效率高可將載流子直接注入有源區(qū)氣體～20％，固體～5％，半導(dǎo)體～60－70％，量子點(diǎn)～100％。④由于不純和相互作用，選者定則不嚴(yán)格

→譜線寬編輯ppt

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