晶體管原理第五章

晶體管原理第五章第1頁(yè)/共69頁(yè)2場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor，F(xiàn)ET）是另一類(lèi)重要的微電子器件。這是一種電壓控制型多子導(dǎo)電器件，又稱(chēng)為單極型晶體管。這種器件與雙極型晶體管相比，有以下優(yōu)點(diǎn)①輸入阻抗高；②溫度穩(wěn)定性好；③噪聲?。虎艽箅娏魈匦院?；⑤無(wú)少子存儲(chǔ)效應(yīng)，開(kāi)關(guān)速度高；⑥制造工藝簡(jiǎn)單；⑦各管之間存在天然隔離。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管第五章第2頁(yè)/共69頁(yè)3結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（

MESFET）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGFET或MOSFET)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的分類(lèi)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管第五章第3頁(yè)/共69頁(yè)4

JFET和MESFET的工作原理相同。以JFET為例，用一個(gè)低摻雜的半導(dǎo)體作為導(dǎo)電溝道，在半導(dǎo)體的一側(cè)或兩側(cè)制作PN結(jié)，并加上反向電壓。利用PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)寬度隨反向電壓的變化而變化的特點(diǎn)來(lái)控制導(dǎo)電溝道的截面積，從而控制溝道的導(dǎo)電能力。兩種FET的不同之處僅在于，JFET是利用PN結(jié)作為控制柵，而MESFET則是利用金-半結(jié)（肖特基勢(shì)壘結(jié)）來(lái)作為控制柵。

IGFET的工作原理略有不同，利用電場(chǎng)能來(lái)控制半導(dǎo)體的表面狀態(tài)，從而控制溝道的導(dǎo)電能力。根據(jù)溝道導(dǎo)電類(lèi)型的不同，每類(lèi)FET又可分為N

溝道器件和

P

溝道器件。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管第五章第4頁(yè)/共69頁(yè)5

J-FET的基本結(jié)構(gòu)源、漏絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管第五章第5頁(yè)/共69頁(yè)6絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管按其早期器件的縱向結(jié)構(gòu)又被稱(chēng)為“金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”，簡(jiǎn)稱(chēng)為MOSFET，但現(xiàn)在這種器件的柵電極實(shí)際不一定是金屬，絕緣柵也不一定是氧化物，但仍被習(xí)慣地稱(chēng)為

MOSFET。

5.1.1MOSFET

的結(jié)構(gòu)

MOSFET基礎(chǔ)第五章第6頁(yè)/共69頁(yè)7

MOSFET的立體結(jié)構(gòu)

MOSFET基礎(chǔ)第五章第7頁(yè)/共69頁(yè)8P型襯底

N

溝道MOSFET的剖面圖P型襯底

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第8頁(yè)/共69頁(yè)9

5.1.2MOSFET

的工作原理當(dāng)

VGS=0時(shí)，N+

型的源區(qū)與漏區(qū)之間隔著P

型區(qū)，且漏結(jié)反偏，故無(wú)漏極電流。當(dāng)

VGS

>0時(shí)，外加電壓會(huì)在柵下的氧化層中產(chǎn)生電場(chǎng)，電力線(xiàn)由柵電極指向半導(dǎo)體表面，將在P型硅表面產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電荷，隨著柵壓增加，P型硅表面將耗盡而反型，產(chǎn)生電子積累。當(dāng)柵壓增加到VT（稱(chēng)為

閾電壓）時(shí)，P

型硅表面發(fā)生

強(qiáng)反型

，形成連通源、漏區(qū)的N

型

溝道

，在

VDS作用下產(chǎn)生漏極電流ID。對(duì)于恒定的

VDS

，VGS

越大，溝道中的電子就越多，溝道電阻就越小，ID

就越大。所以MOSFET是通過(guò)改變

VGS來(lái)控制溝道的導(dǎo)電性，從而控制漏極電流ID

，是一種電壓控制型器件。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第9頁(yè)/共69頁(yè)10

轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)：VDS

恒定時(shí)的VGS~

ID曲線(xiàn)。MOSFET的轉(zhuǎn)移特性反映了柵源電壓

VGS對(duì)漏極電流

ID的控制能力。

N

溝道MOSFET

當(dāng)VT>0時(shí)，稱(chēng)為

增強(qiáng)型

，為

常關(guān)型。VT

<0時(shí)，稱(chēng)為

耗盡型

，為

常開(kāi)型。IDVGSVT0IDVGSVT0

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第10頁(yè)/共69頁(yè)11

P

溝道MOSFET

的特性與N

溝道MOSFET

相對(duì)稱(chēng)，即：

(1)襯底為N

型，源漏區(qū)為P+

型。

(2)VGS、VDS的極性以及ID

的方向均與N

溝相反。

(3)溝道中的可動(dòng)載流子為空穴。

(4)VT

<0時(shí)稱(chēng)為增強(qiáng)型（常關(guān)型），VT>0時(shí)稱(chēng)為耗盡型（常開(kāi)型）。

5.1.3MOSFET

的類(lèi)型

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第11頁(yè)/共69頁(yè)12

輸出特性曲線(xiàn)：VGS>VT且恒定時(shí)的VDS~

ID

曲線(xiàn)。可分為以下4段

5.1.4MOSFET

的輸出特性

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第12頁(yè)/共69頁(yè)13①線(xiàn)性區(qū)當(dāng)

VDS

很小時(shí)，溝道就象一個(gè)阻值與

VDS無(wú)關(guān)的

固定電阻，這時(shí)ID與VDS成線(xiàn)性關(guān)系，如圖中的OA段所示。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第13頁(yè)/共69頁(yè)14②過(guò)渡區(qū)隨著VDS增大，漏附近的溝道變薄，溝道電阻增大，曲線(xiàn)逐漸下彎，如圖中的

AB段所示。當(dāng)VDS

增大到

VDsat(飽和漏源電壓)

時(shí)，漏端處的可動(dòng)電子消失，這稱(chēng)為溝道被

夾斷，如圖中的

B點(diǎn)所示。線(xiàn)性區(qū)與過(guò)渡區(qū)統(tǒng)稱(chēng)為

非飽和區(qū)，有時(shí)也統(tǒng)稱(chēng)為

線(xiàn)性區(qū)。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第14頁(yè)/共69頁(yè)15③飽和區(qū)當(dāng)

VDS>VDsat后，溝道夾斷點(diǎn)左移，漏附近只剩下耗盡區(qū)。這時(shí)ID

幾乎與

VDS無(wú)關(guān)而保持常數(shù)IDsat，曲線(xiàn)為水平直線(xiàn)，如圖中的BC

段所示。實(shí)際上ID

隨

VDS的增大而略有增大，曲線(xiàn)略向上翹。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第15頁(yè)/共69頁(yè)16④擊穿區(qū)當(dāng)

VDS繼續(xù)增大到

BVDS時(shí)，漏結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，或者漏源間發(fā)生穿通，ID急劇增大，如圖中的CD

段所示。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第16頁(yè)/共69頁(yè)17將各曲線(xiàn)的夾斷點(diǎn)用虛線(xiàn)連接起來(lái)，虛線(xiàn)左側(cè)為非飽和區(qū)，虛線(xiàn)右側(cè)為飽和區(qū)。以

VGS

作為參變量，可得到不同

VGS下的

VDS

~ID曲線(xiàn)族，這就是MOSFET的

輸出特性曲線(xiàn)。

MOSFET基礎(chǔ)第一節(jié)第17頁(yè)/共69頁(yè)18

4種類(lèi)型MOSFET的特性曲線(xiàn)小結(jié)第18頁(yè)/共69頁(yè)19

定義：使柵下的硅表面處開(kāi)始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)的柵電壓稱(chēng)為閾電壓

，記為

VT

。

定義：當(dāng)硅表面處的少子濃度達(dá)到或超過(guò)體內(nèi)的平衡多子濃度時(shí)，稱(chēng)為表面發(fā)生了

強(qiáng)反型

。在推導(dǎo)閾電壓的表達(dá)式時(shí)可以近似地采用一維分析，即認(rèn)為襯底表面下空間電荷區(qū)內(nèi)的空間電荷完全由柵極與襯底之間的電壓所決定，與漏極電壓無(wú)關(guān)。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第19頁(yè)/共69頁(yè)20

5.2.1MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓

本小節(jié)推導(dǎo)P

型襯底MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓

。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第20頁(yè)/共69頁(yè)21上圖中，

1、理想MOS

結(jié)構(gòu)（金屬與半導(dǎo)體間的功函數(shù)差MS=0，柵氧化層中的電荷面密度QOX

=0）當(dāng)VG=0時(shí)的能帶圖稱(chēng)為P

型襯底的費(fèi)米勢(shì)

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第21頁(yè)/共69頁(yè)22

2、實(shí)際

MOS結(jié)構(gòu)（MS<0，QOX>0）當(dāng)

VG=0時(shí)的能帶圖上圖中，S稱(chēng)為

表面勢(shì)，即從硅表面處到硅體內(nèi)平衡處的電勢(shì)差，等于能帶彎曲量除以q

。COX

代表單位面積的柵氧化層電容，，TOX

代表柵氧化層厚度。第22頁(yè)/共69頁(yè)23

3、實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)當(dāng)

VG=VFB

時(shí)的能帶圖當(dāng)時(shí)，可以使能帶恢復(fù)為平帶狀態(tài)，這時(shí)S=0，硅表面呈電中性。VFB

稱(chēng)為

平帶電壓

。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第23頁(yè)/共69頁(yè)24

4、實(shí)際MOS結(jié)構(gòu)當(dāng)VG

=VT時(shí)的能帶圖要使表面發(fā)生強(qiáng)反型，應(yīng)使表面處的EF-Eis=qFP

，這時(shí)能帶總的彎曲量是2qFP

，表面勢(shì)為S=S,inv=2FP

。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第24頁(yè)/共69頁(yè)25外加?xùn)烹妷撼^(guò)

VFB

的部分（VG

-VFB）稱(chēng)為

有效柵電壓。有效柵電壓可分為兩部分：降在氧化層上的VOX與降在硅表面附近的表面電勢(shì)S

，即

VG–VFB=VOX+S

表面勢(shì)S使能帶發(fā)生彎曲。表面發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)能帶的彎曲量是2qFP

，表面勢(shì)為2FP

，于是可得：

VT–VFB=VOX+2FP

VT=VFB+VOX+2FP

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第25頁(yè)/共69頁(yè)26上式中，QM和QS分別代表金屬一側(cè)的電荷面密度和半導(dǎo)體一側(cè)的電荷面密度，而QS又是耗盡層電荷QA與反型層電荷Qn之和。-QAQM-QnCOX}-QS

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第26頁(yè)/共69頁(yè)27中，可得MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓為再將和上式代入VT=VFB+VOX+2FP關(guān)于QA

的進(jìn)一步推導(dǎo)在以后進(jìn)行。作為近似，在剛開(kāi)始強(qiáng)反型時(shí)，可忽略Qn。QA

是S

的函數(shù)，在開(kāi)始發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)，QA(S)=QA(2FP)，故得：

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第27頁(yè)/共69頁(yè)28

1、閾電壓一般表達(dá)式的導(dǎo)出

MOSFET與MOS結(jié)構(gòu)的不同之處是：

a)柵與襯底之間的外加電壓由

VG

變?yōu)?VG-VB)，因此有效柵電壓由(VG-VFB)變?yōu)?VG-VB-

VFB)。

b)有反向電壓(VS

-VB)加在源、漏及反型層的PN結(jié)上，使之處于非平衡狀態(tài)，EFp-EFn=q(VS

-VB)。

c)強(qiáng)反型開(kāi)始時(shí)的表面勢(shì)S,inv由2FP變?yōu)?2FP+VS-VB)。

5.2.2MOSFET

的閾電壓

第28頁(yè)/共69頁(yè)29因此MOSFET的閾電壓一般表達(dá)式為

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第29頁(yè)/共69頁(yè)30以下推導(dǎo)QA

的表達(dá)式。對(duì)于均勻摻雜的襯底，式中，，稱(chēng)為

體因子。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第30頁(yè)/共69頁(yè)31于是可得N

溝MOSFET的閾電壓為

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第31頁(yè)/共69頁(yè)32注意上式中，通常VS

>0，VB<0。當(dāng)VS=0，VB=0時(shí)，這與前面得到的MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓表達(dá)式相同。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第32頁(yè)/共69頁(yè)33稱(chēng)為N

型襯底的費(fèi)米勢(shì)。同理，P

溝MOSFET的閾電壓為式中，F(xiàn)N與FP可以統(tǒng)一寫(xiě)為FB

，代表

襯底費(fèi)米勢(shì)。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)34

2、影響閾電壓的因素當(dāng)VS=0，VB=0時(shí)，N

溝道與P

溝道MOSFET的閾電壓可統(tǒng)一寫(xiě)為

a)柵氧化層厚度TOX

一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)TOX

減薄時(shí)，|VT|是減小的。早期MOSFET的TOX的典型值為150nm

，目前高性能MOSFET的

TOX可達(dá)10nm

以下。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第34頁(yè)/共69頁(yè)35

b)襯底費(fèi)米勢(shì)FB

FB與摻雜濃度有關(guān)，但影響不大。室溫下，當(dāng)摻雜濃度為1015cm-3時(shí)，約為0.3V。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第35頁(yè)/共69頁(yè)36

MS與金屬種類(lèi)、半導(dǎo)體導(dǎo)電類(lèi)型及摻雜濃度有關(guān)。對(duì)于Al~Si系統(tǒng)，

c)功函數(shù)差MS-0.6V～-1.0V(N溝)-0.6V～-0.2V(P溝)（見(jiàn)圖5-15）當(dāng)N=1015cm-3

時(shí)，-0.9V(N溝)-0.3V(P溝)

MS=

MS=

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第36頁(yè)/共69頁(yè)37

d)耗盡區(qū)電離雜質(zhì)電荷面密度QAD由于FB與摻雜濃度N的關(guān)系不大，故可近似地得到

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第37頁(yè)/共69頁(yè)38

e)柵氧化層中的電荷面密度QOX

QOX主要包括：Si-SiO2界面的固定電荷密度QSS和界面附近的可動(dòng)Na+離子。QOX總是正的，所以上式的第二項(xiàng)總是負(fù)的。在一般工藝條件下，當(dāng)TOX

=150nm時(shí)，

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第38頁(yè)/共69頁(yè)39影響QOX的因素

①制造工藝。如果在制備柵氧化層時(shí)，清洗工作做得不好，混入了帶正電荷的雜質(zhì)離子，就會(huì)使QOX增大，尤其是堿金屬離子Na+、K+的影響最大。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)

②晶面。在同樣的材料和工藝條件下，QSS隨晶面的不同而不同，所以在不同晶面上制作MOSFET，其閾值電壓也不同。

③氧化以后的工藝。第39頁(yè)/共69頁(yè)40

調(diào)整閾電壓主要是通過(guò)改變摻雜濃度N（例如離子注入）和改變柵氧化層厚度

TOX來(lái)實(shí)現(xiàn)。

對(duì)于P溝道MOSFET，上式中的四項(xiàng)都是負(fù)的，所以VT總是負(fù)值，即由常規(guī)鋁硅工藝制作的P溝道MOSFET都是增強(qiáng)型的。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)

對(duì)于N溝道MOSFET，上式中的第一項(xiàng)和第二項(xiàng)是負(fù)的，后兩項(xiàng)是正的。當(dāng)QOX較大和NA較小時(shí)，VT是負(fù)值，MOSFET是耗盡型；當(dāng)QOX較小和NA較大時(shí)，VT是正值，MOSFET是增強(qiáng)型。第40頁(yè)/共69頁(yè)41對(duì)于N溝道MOSFET，

3、襯底偏置效應(yīng)（體效應(yīng)）

襯底偏置效應(yīng)：VT

隨VBS

的變化而變化。當(dāng)VS=0時(shí)，可將源極作為電位參考點(diǎn)，這時(shí)VG=VGS

、VD=VDS、VB=VBS。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第41頁(yè)/共69頁(yè)42對(duì)于P溝道MOSFET，可見(jiàn)，當(dāng)|VBS|增大時(shí)，N溝道MOSFET的閾電壓向正方向變化，而P溝道MOSFET的閾電壓向負(fù)方向變化。由于，所以TOX越厚、N越高，襯底偏置效應(yīng)就越嚴(yán)重。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第42頁(yè)/共69頁(yè)43

4、離子注入對(duì)閾電壓的調(diào)整

假設(shè)注入的雜質(zhì)濃度為階梯形分布，且注入深度

R小于溝道下的襯底耗盡區(qū)最大厚度

xdmax，

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第43頁(yè)/共69頁(yè)44則經(jīng)離子注入調(diào)整后的閾電壓為

閾電壓的調(diào)整量為

式中，NI代表離子注入增加的雜質(zhì)濃度，NA=NA

+NI；QI=-qNIR代表離子注入在耗盡區(qū)增加的電離雜質(zhì)電荷面密度。

MOSFET的閾值電壓第二節(jié)第44頁(yè)/共69頁(yè)45

本節(jié)將以N溝道MOSFET為例，推導(dǎo)MOSFET的ID~

VD方程。IDVD

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第45頁(yè)/共69頁(yè)46

推導(dǎo)時(shí)采用如下假設(shè)：①溝道電流只由漂移電流構(gòu)成，忽略擴(kuò)散電流；②采用緩變溝道近似，即：這表示溝道厚度沿y

方向的變化很小，溝道電子電荷全部由感應(yīng)出來(lái)而與無(wú)關(guān)；

5.3.1非飽和區(qū)直流電流電壓方程

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第46頁(yè)/共69頁(yè)47附：泊松方程

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)IDVD第47頁(yè)/共69頁(yè)48③溝道內(nèi)的載流子（電子）遷移率為常數(shù)；④采用強(qiáng)反型近似，即認(rèn)為當(dāng)表面少子濃度達(dá)到體內(nèi)平衡多子濃度（也即S=S,inv）時(shí)溝道開(kāi)始導(dǎo)電；⑤QOX

為常數(shù)，與能帶的彎曲程度無(wú)關(guān)。

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第48頁(yè)/共69頁(yè)49當(dāng)在漏極上加

VD>

VS后，產(chǎn)生漂移電流，式中，代表溝道內(nèi)的電子電荷面密度。

1、漏極電流的一般表達(dá)式

（5-36）

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第49頁(yè)/共69頁(yè)50（5-37）（5-36）

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第50頁(yè)/共69頁(yè)51當(dāng)VG>VT后，溝道中產(chǎn)生的大量電子對(duì)來(lái)自柵電極的縱向電場(chǎng)起到屏蔽作用，所以能帶的彎曲程度幾乎不再隨

VG增大，表面勢(shì)S也幾乎維持S,inv不變。于是，

2、溝道電子電荷面密度

Qn

QAQMQn

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第51頁(yè)/共69頁(yè)52當(dāng)外加VD

(>VS)后，溝道中將產(chǎn)生電勢(shì)V(y)，V(y)隨

y而增加，從源極處的V(0)=VS

增加到漏極處的V(L)=VD

。這樣S,inv、xd與

QA都成為y的函數(shù)，分別為：

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第52頁(yè)/共69頁(yè)53將上面的S,inv和QA代入溝道電子電荷面密度Qn

后，可知Qn也成為

y的函數(shù)，即：

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第53頁(yè)/共69頁(yè)54將Qn代入式（5-37）對(duì)上式可進(jìn)行簡(jiǎn)化。

3、漏極電流的精確表達(dá)式

并經(jīng)積分后得：

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第54頁(yè)/共69頁(yè)55將Qn中的在V=0處用級(jí)數(shù)展開(kāi)，當(dāng)只取一項(xiàng)時(shí)，當(dāng)

VS=0，VB=0時(shí)，可將

VD

寫(xiě)作VDS，將VG寫(xiě)作

VGS，則Qn成為：

4、漏極電流的近似表達(dá)式

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第55頁(yè)/共69頁(yè)56將此Qn代入式（5-37）的ID中，并經(jīng)積分后得：（5-50）

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第56頁(yè)/共69頁(yè)57（5-51）再將寫(xiě)作，稱(chēng)為

MOSFET

的

增益因子，則

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第57頁(yè)/共69頁(yè)58式（5-51）表明，ID與VDS成

拋物線(xiàn)關(guān)系，即：式（5-51）只在拋物線(xiàn)的左半段有物理意義。IDsatIDVDsat0VDS

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第58頁(yè)/共69頁(yè)59此時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流稱(chēng)為

飽和漏極電流

IDsat

，由Qn

的表達(dá)式可知，在y=L

的漏極處，可見(jiàn)|Qn(L)|是隨

VDS

增大而減小的。當(dāng)

VDS

增大到被稱(chēng)為

飽和漏源電壓

的

VDsat

時(shí)，Qn

(L)=0，溝道被夾斷。顯然，（5-52）

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第59頁(yè)/共69頁(yè)60這一點(diǎn)正好是拋物線(xiàn)的頂點(diǎn)。所以

VDsat

也可由令而解出。（5-53）

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第60頁(yè)/共69頁(yè)61當(dāng)

VDS>VDsat

后，簡(jiǎn)單的處理方法是從拋物線(xiàn)頂點(diǎn)以水平方向朝右延伸出去。以不同的

VGS作為參變量，可得到一組ID~VDS

曲線(xiàn)，這就是MOSFET的輸出特性曲線(xiàn)。

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第61頁(yè)/共69頁(yè)62對(duì)于P

溝道MOSFET，可得類(lèi)似的結(jié)果，式中，以上公式雖然是近似的，但因計(jì)算簡(jiǎn)單，在許多場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。

MOSFET的直流電流電壓方程第三節(jié)第62頁(yè)/共69頁(yè)63實(shí)測(cè)表明，當(dāng)

VDS

>VDsat

后，ID

隨

VDS的增大而略有增大，也即MOSFET的增量輸出電阻不是無(wú)窮大而是一個(gè)有限的值。

3.3.2飽和區(qū)的特性通常采用兩個(gè)模