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ZnO基稀磁半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展隨著微電子技術(shù)、信息技術(shù)的快速發(fā)展,稀磁半導(dǎo)體材料逐漸成為半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。其中,ZnO材料因其優(yōu)異的光電性質(zhì)、儲能性能、化學(xué)穩(wěn)定性和生物相容性等特性,被廣泛研究和應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜、太陽能電池、光電探測器和傳感器等領(lǐng)域。本文將對ZnO基稀磁半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展進(jìn)行綜述。一、ZnO的晶體結(jié)構(gòu)與物理性質(zhì)ZnO是一種寬帶隙(約3.4eV)半導(dǎo)體,其具有類似于石英晶體的六方晶格結(jié)構(gòu)。ZnO晶格常數(shù)a=0.32495~0.32510nm、c=0.52062~0.52074nm,屬于空間群P63mc,晶體中每個氧原子都與四個鋅原子配位形成四面體結(jié)構(gòu)。ZnO在室溫下為基態(tài),具有光致自旋極化(photogeneratedspinpolarization)現(xiàn)象,即在外部光照射下,ZnO晶體中部分電子的自旋將沿著特定的方向分布,引起了垂直于光線方向的巨磁效應(yīng)。二、ZnO稀磁半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展1.摻雜離子采用過渡金屬離子(如Mn、Co、Ni等)摻雜ZnO材料,可以實(shí)現(xiàn)它的磁性增強(qiáng)。早期的研究發(fā)現(xiàn),單一摻雜難以獲得較高的磁性,因此目前普遍采取多元同雜摻雜模式(如Fe/Mn、Mn/Co、Fe/Co等)來提高磁性。磁性能的提高通過引入摻雜離子與ZnO基體相互作用,強(qiáng)化離子-離子交換作用、離子-化學(xué)鍵作用和離子-雜質(zhì)之間的反鐵磁耦合作用。例如,研究者通過XPS、XRD、VSM等測試表征方法發(fā)現(xiàn),F(xiàn)e/ZnO和Co/ZnO樣品表現(xiàn)出一定的反鐵磁性,其中Fe/ZnO樣品的磁性最大,飽和磁化強(qiáng)度近15emu/g,屬于軟磁性材料;Co/ZnO樣品的磁性較小,表現(xiàn)出普通的磁性。2.材料制備方法目前ZnO稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法主要包括物理薄膜沉積、化學(xué)溶膠凝膠法、水熱法、共沉淀等化學(xué)方法。其中,化學(xué)溶膠凝膠法是一種成本低廉、制備簡單、控制粒徑大小的有效方法。研究者們采用改進(jìn)后的旋轉(zhuǎn)涂覆法,在控制煅燒溫度的條件下,制備了Fe/ZnO納米粒子材料。研究結(jié)果表明,F(xiàn)e3O4/ZnO納米粒子的形貌和晶體結(jié)構(gòu)具有較好的控制性,其飽和磁化與樣品的制備條件有關(guān)。3.應(yīng)用領(lǐng)域ZnO稀磁半導(dǎo)體材料因其優(yōu)越的物理性質(zhì)和應(yīng)用前景,在電子學(xué)、傳感器、光電學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛的研究和應(yīng)用。ZnO基稀磁半導(dǎo)體材料的應(yīng)用前景主要包括以下幾個方面:(1)磁性存儲器:ZnO稀磁半導(dǎo)體材料因具有可調(diào)諧的光致磁性和磁光性,可以用于開發(fā)含磁性載體的光存儲和磁性存儲器。(2)磁性傳感器:ZnO稀磁半導(dǎo)體材料的發(fā)光性能和半導(dǎo)體性能結(jié)合起來,可以制成高靈敏度、高分辨率、遠(yuǎn)程傳輸?shù)男滦痛艂鞲衅?。?)光電探測器:ZnO稀磁半導(dǎo)體材料的廣泛發(fā)射區(qū)帶、高光吸收率、高光譜響應(yīng)和光致磁性等特性,可應(yīng)用于高速光電探測器、光電倍增管和光通信等領(lǐng)域。(4)生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域:由于ZnO稀磁半導(dǎo)體材料的可調(diào)諧光致磁性和化學(xué)穩(wěn)定性,可以用于圖像診斷和生物傳感器等生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。三、結(jié)論與展望ZnO基稀磁半導(dǎo)體材料是一類具有極大發(fā)展?jié)摿蛷V闊應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料。當(dāng)前,稀磁半導(dǎo)體材料的合成和應(yīng)用不能離開材料加工、器件設(shè)計、性能優(yōu)化和實(shí)際應(yīng)用等方面的綜合研
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