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文檔簡介
千里之行,始于足下讓知識帶有溫度。第第2頁/共2頁精品文檔推薦冶金傳輸原理-質(zhì)量傳輸-第9章第10章試題庫第9、10章質(zhì)量傳輸基本概念
題1、由O2(組分A)和CO2(組分B)構成的二元系統(tǒng)中發(fā)生一維穩(wěn)態(tài)蔓延。已知
,/0003.0,/0017.0,/0622.0,/0207.033smusmumkmolcmkmolcBABA====試計
算:(1)。nnnNNNuuBABAm,,)3(;,,)2(;,
解:(1)
3
3
3B3A/0829.00622.00207.0/399.3737.2662.0/737.2440622.0/6624.0320227.0mkmolcccm
kgmkgMcmkgMcBABABBAA=+=+==+=+==?====?==ρρρρρ
則
smuuuBBAA/10727.5)0003.0737.20227.0662.0(399
.31
)(1
4-?=?+?=
+=
ρρρ
smucuccuBBAAm/10496.6)0003.00622.00017.00207.0(0829
.01)(14-?=?+?=+=
(2))/(10519.30017.00207.025smkmolucNAAA??=?==-
)/(10866.10003.00622.025smkmolucNBBB??=?==-
則)/(10385.510866.110
519.32555
smkmolNNNBA??=?+?=+=
(3))/(10125.10017.0662.02
3
smkgunAAA??=?==-ρ)/(10211.80003.0737.22
4
smkgunBBB??=?==-ρ則)/(10946.12
3
smkgnnnBA??=+=-
題2、在101.3Kpa,52K條件下,某混合氣體各組分的摩爾分數(shù)分離為:CO2為0.080;
O2為0.035;H2O為0.160;N2為0.725。各組分在z方向的肯定速度分離為:2.44m/s;3.66m/s;5.49m/s;3.96m/s。試計算:
(1)混合氣體的質(zhì)量平均速度u;(2)混合氣體的摩爾平均速度um;(3)組分CO2的質(zhì)量通量;2COj(4)組分CO2的摩爾通量。2COJ
解:已知
28
/96.3725
.018/49.516.032/66.3035.044/44.208.0222222222222============COCONCOCOHOCOCOOCOCOCOMs
mvxMsmvxMsmvxMsmvx
1265.082
.2752
.33.2088.212.152.352.328
725.01816.032035.04408.044
08.02
22222222
22==+++=?+?+?+??=
+++=
NNHOHOOOCOCOCOCOCOMxMxMxMxMxw
0403.082
.2712
.12
22222222
22==
+++=
NNHOHOOOCOCOOOOMxMxMxMxMxw1035.082
.2788
.22
22222222
22==
+++=NNHOHOOOCOCOHOHOHOMxMxMxMxMxw7292.082
.273
.202
22222222
22==
+++=
NNHOHOOOCOCONNNMxMxMxMxMxw(1)
914
.396.37297.049.51035.066
.30403.044.21265.022222222=?+?+?+?=+++=NNHOHOOOCOCOvwvwvwvwv
(2)0727
.496.3725.049.5160.066
.3035.044.208.022222222=?+?+?+?=+++=NNHOHOOOCOCOmvxvxvxvxv
(3)3/745.1852
314.808
.010130022mmolRT
pcCOCO=??=
=
3/78.82444745.182
2
2
mgMcCOCOCO=?==ρ
s
mg
vvjCOCOCO?-=-?=-=
273.1215)914.344.2(78.824)(2
2
2ρ(4)s
mmolvvcJmCOCOCO?-=-?=-=260.30)0727
.444.2(745.18)(222
題3、求1.013×105
Pa氣壓下,298K的空氣與飽和水和水蒸氣的混合物中的水蒸氣濃
度。已知該溫度下飽和水蒸氣壓強pA=0.03168×105
Pa,水的相對分子質(zhì)量MA=18,空氣相對分子質(zhì)量MB=28.9.
解:空氣的分壓
PapppAB555109816.01003168.01001325.1?=?-?=-=
水蒸氣濃度
(1)摩爾分數(shù)
0313.01001325.11003168.05
5
=??==ppxAA
(2)質(zhì)量分數(shù)
0197
.09.28)0313.01(180313.018
0313.0)1(?-+??=
-+=+=
BAAAAABBAAAAAwxwxwxwxwxwxw
(3)物質(zhì)的量濃度
35
/28.1298
314.81003168.0mmolRTpcAA=??==
(4)質(zhì)量濃度
3/231828.1mgMcAAA=?==ρ
題4、半導體蔓延工藝中,包圍硅片的氣體中含有大量的雜質(zhì)原子,雜質(zhì)不斷地通過硅片表面對內(nèi)部蔓延,在以下兩種狀況下試確定該硅片的邊界條件。
(1)半導體的蔓延工藝是恒定表面濃度蔓延,即硅片表面的雜質(zhì)濃度保持一定;(2)半導體的蔓延工藝是限定源蔓延,沒有外來的雜質(zhì)通過硅片表面進入硅片。解:(1)因為半導體的蔓延工藝是恒定表面濃度蔓延,硅片的邊界就是它的表面z=0和z=l,可以看成一維問題,邊界上雜質(zhì)的濃度保持為常數(shù)c0,此時邊界條件可寫為
00),(,),0(clzcczc=
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