筆記本結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)NB-ME-Design-Lesson-learn

筆記本結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)NB-ME-Design-Lesson-learn第一頁，共48頁。Case1Issue:Hingebosscrack第二頁，共48頁。Case1Rootcause/Solution:第三頁，共48頁。Case1Rootcause/Solution:第四頁，共48頁。Case2Issue:HingeBracketbroken第五頁，共48頁。Case2Rootcause/Solution:第六頁，共48頁。Case2Rootcause/Solution:第七頁，共48頁。Case3Issue:E-sataJackInterferance第八頁，共48頁。Case3Rootcause/Solution:ForstrengthconcernedtoEChingesupport第九頁，共48頁。Case3TherearedifferenttypeJack

RDcheckMolexonly(noplastic),

foxconnandtycohaveplastic0.7mmhighinterfere0.3mm

Rootcause/Solution:第十頁，共48頁。Case3Rootcause/Solution:第十一頁，共48頁。Case4Issue:SmilegapRootcause/Solution:1.Refertothepicture,thedimensionofthecenteroftheaxistotheironsurfaceis15.55mm±0.1mm.2.Oldhingeactualdatefor5unitsasbelow:(1)15.48mm(2)15.43mm(3)15.43mm(4)15.40mm(5)15.45mm→ST:ReducerubberheightLT:AddheightofAxis第十二頁，共48頁。Case5鐳雕區(qū)域非鐳雕區(qū)域Issue:PowerbuttonUVcoatingpeeloff第十三頁，共48頁。Case5Rootcause:ProcessCoatingthicknessSubstrateBlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15μm8μm1.0~1.5μm8~15μm鐳雕Colory一般控制在10~12μm中制程

雷雕工藝為整個(gè)工藝的最后一道，UV層破壞后沒有保護(hù)動作。

鐳雕機(jī)功率設(shè)定過高，鐳雕后周邊區(qū)域碳化；鐳雕機(jī)功率設(shè)定為額定功率的80%，約7~8W，頻率為1200Hz第十四頁，共48頁。Case5Solution:

降低鐳雕機(jī)功率鐳雕機(jī)功率降為額定功率的60%，約5~6W，頻率不變

變更工藝流程，雷雕工藝放在UVcoating之前，雷雕后通過UV保護(hù)BlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15μm8μm1.0~1.5μm8~15μm鐳雕中制程第十五頁，共48頁。Case6Issue:NoiseatK-locklocation機(jī)器做open/close時(shí)，hinge的搖擺帶動K-lockBKT運(yùn)功，

其噴漆面與base摩擦產(chǎn)生異音.Rootcause:1.K-lockBKT與base的gap設(shè)計(jì)值為0;2.K-lockBKT與base接觸面為噴漆光面;3.K-lockBKT與hinge有鎖附關(guān)係;第十六頁，共48頁。Case6Solution:1.Shortterm:K-lockBKT噴漆面打磨為粗糙面/K-lock與base的結(jié)合面加點(diǎn)酒精.2.Longterm:Base偷肉0.2mm,增加base與K-lock的GAP的GAP,避免面對面的摩擦.第十七頁，共48頁。Case7gapmax1.1-1.2mm(spec<0.8mm)Issue:GapbetweenTopandBase第十八頁，共48頁。Case7Rootcause:MEStructure第十九頁，共48頁。Case7Rootcause:topshielding結(jié)構(gòu)薄弱，screw鎖附時(shí)產(chǎn)生一個(gè)反向的力，

導(dǎo)致卡勾瞬間脫離影響會微量的下陷；第二十頁，共48頁。Case7Rootcause:base上卡勾的supportrib在卡合面以下，且為斜面卡合，

卡合受力後base卡勾向內(nèi)變形，導(dǎo)致卡合量丟失；第二十一頁，共48頁。Case7在topshielding兩個(gè)鎖screw位置的中間加1pcsrubber，

rubberZ軸干涉量0.5mm，形成一個(gè)蹺蹺板的支點(diǎn)；Solution:第二十二頁，共48頁。Case7此位置的卡勾卡合方式由斜面卡合改平面卡合，並將BASE卡勾背面的supportrib加高到卡合面以上1mm的位置；Solution:第二十三頁，共48頁。Case8Issue:UVCoatingpeelofffromTPpanel第二十四頁，共48頁。NisshaIMRalreadybewithhardcoat,andanotherAkzoUVcoatingisontheIMR.

ButAkzoUVcoatingcannotbegoodtomixwithIMRhardcoat.

SoUVcoatingiseasytopeeloffonTPPlateRootCause:Case8第二十五頁，共48頁。Solution:Case8ST:ChangetouseNisshaIMRfoilwhichiswithouthardcoat.LT:MoveIMRfoilbacktoPMMA第二十六頁，共48頁。Case9Issue:HookofBatteryLatchbroken第二十七頁，共48頁。Case9RootCause:link卡勾後側(cè)base上的support面積太小且為R角結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致對卡勾配合面的support不夠；第二十八頁，共48頁。Case9Link與battery配合的卡勾根部及卡勾轉(zhuǎn)角處加0.5mm的R角後Solution:第二十九頁，共48頁。Case10Issue:ThermalBlockinterferencewithCPUSpringPlateCuBaseHeatspreaderInterferenceThermalmoduleinterferencewithCPU.Causesystemshut-down.

第三十頁，共48頁。Case101.ThermalTeamdonotrequestthermalvendortousewhatkindofassemblymethodtofixspringplate,Cu-baseandheatspreader.(Thermalteamside)2.ThermalvendorAurasusedwrongmethod(雞眼釘Copperrivet)tofixcontactstructure,resulting雞眼釘interferewithCPUcapacitor.(Vendorside)FixRootCause:第三十一頁，共48頁。Case10RootCause:雞眼釘干涉Copperrivet雞眼釘pitis

0.35mmMylarthicknessis

0.1mmTotalthicknessis0.45

mm2DDimensionofAMDtheGapbetweenCPUdieandcapacitorisonlyabout0.2mm第三十二頁，共48頁。Case10Solution1:抽拉銅柱固定方式製程方式：

Cuheatspreader先抽拉出銅柱，之後再放入一個(gè)鉚合模鉚合彈片，銅塊。此方式可確保heatspreader面限高為零！限高0mmSolution:第三十三頁，共48頁。Case10Solution:製程：

Cuheatspreader先經(jīng)一套鉚合模，鉚入實(shí)心銅柱，接下來在進(jìn)另外一套鉚合模，鉚合彈片及銅塊。此方式需用到兩套鉚合模，故成本較高。但此方式亦可確保heatspreader面限高為零！限高0mmSolution

2:鉚接實(shí)心銅柱固定方式第三十四頁，共48頁。Case11Issue:RAMdoorribshorttoRAMcapacitanceaspressthedoor

RootCause:第三十五頁，共48頁。Case11Solution:1.Addmylaronramdoorribtopreventthisrisk.2.Haveectocancelthisribtoenlargegap.第三十六頁，共48頁。Case12Issue:1.NopostorNopower

2.MBcanpoweronwhenpressN.Bridgebyfinger第三十七頁，共48頁。Case12FA:第三十八頁，共48頁。Case12FA:Dye-Pry第三十九頁，共48頁。Case12FA:Dye-Pry第四十頁，共48頁。Case12FA:CrossSection第四十一頁，共48頁。Case12FA:CrossSection第四十二頁，共48頁。Case12FA:CrossSectionBasedonaboveanalysis(cracklocationandmultiplexcrackinterface),su