無機材料科學基礎知到章節(jié)答案智慧樹2023年陜西理工大學

無機材料科學基礎知到章節(jié)測試答案智慧樹2023年最新陜西理工大學第一章測試

按材料的化學組成（或基本組成）分類，可以分為（）。

參考答案:

無機非金屬材料

;高分子材料

;金屬材料

;復合材料

按材料尺寸及形態(tài)分類，可以分為（）。

參考答案:

零維（納米）材料

;二維（薄膜）材料

;一維（纖維）材料

;三維（塊體）材料

主要用于各種現(xiàn)代工業(yè)及尖端科學技術領域的高性能特種陶瓷包括（）。

參考答案:

結構陶瓷

;功能陶瓷

半導體材料按結構可分為（）。

參考答案:

多晶態(tài)

;非晶態(tài)

;單晶態(tài)

多孔材料共同持點是（）。

參考答案:

密度小

;比表面積大

;孔隙率高

;對氣體有選擇性透過作用

第二章測試

依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)（）立方密堆積的堆積系數(shù)。

參考答案:

等于

某AX型晶體，A+的電荷數(shù)為1，A-B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為（）。

參考答案:

6

在ABO3（鈣鈦礦）型結構中，B離子占有（）。

參考答案:

八面體空隙

能夠發(fā)生自發(fā)極化效應的物質包括（）。

參考答案:

鈦酸鋇

構成硅酸鹽晶體的基本結構單元為[SiO4]，兩個相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接（）。

參考答案:

共頂

第三章測試

對于形成雜質缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產生（）。

參考答案:

負離子空位

;間隙正離子

固溶體的特點是摻入外來雜質原子后原來的晶體結構不發(fā)生轉變，但發(fā)生點陣畸變，性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型，其中（）。

參考答案:

結構相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件

按照晶體結構缺陷形成的原因，可將晶體結構缺陷的類型分為（）。

參考答案:

非化學計量缺陷

;熱缺陷

;電荷缺陷

;雜質缺陷

位錯的滑移是指位錯在何種力的作用下，在滑移面上的運動，結果導致永久形變（）。

參考答案:

外力

熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產生的空位或間隙質點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（）。

參考答案:

正離子空位和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加

第四章測試

硅酸鹽玻璃的結構是以硅氧四面體為結構單元形成的（）的聚集體。

參考答案:

近程有序，遠程無序

在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si減小時，相應熔體組成和性質發(fā)生變化，熔體析晶能力（）。

參考答案:

減小

可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小，就（）形成玻璃。

參考答案:

越容易

當O/Si比趨近于4時，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序為（）。

參考答案:

K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2

Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結構類型為（）。

參考答案:

架狀

過冷度越大，相應的成核位壘越小，臨界晶核半徑越小，析晶能力（）。

參考答案:

不變

過冷度愈大，臨界晶核半徑越小，相應地相變（）。

參考答案:

愈易進行

在硅酸鹽熔體中，當R＝O/Si減小時，相應熔體組成和性質的變化是：非橋氧百分數(shù)（），熔體粘度增大，熔體析晶傾向減小。

參考答案:

減小

第五章測試

為提高陶瓷坯釉的附著力，應降低（）。

參考答案:

;

粗糙度對液固相潤濕性能的影響是（）

參考答案:

不一定

為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（）。

參考答案:

升高

固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質，其固體的表面能（）液體的表面能。

參考答案:

大于

判斷重構表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內，垂直方向的層間距與體內各自是否相同（）。

參考答案:

不同；相同

第六章測試

相的主要特點有（）。

參考答案:

相與相之間有界面，越過界面時性質突變

;一種物質可以有幾個相

;相與物質的數(shù)量多少無關，也與物質是否連續(xù)無關

鹽水溶液中的獨立組元數(shù)是（）。

參考答案:

2

單元系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。

參考答案:

1

Si02高低溫型轉變的特點包括（）

參考答案:

結構變化小

;體積變化小

;轉變速度快

判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質用到的規(guī)則是（）。

參考答案:

切線規(guī)則

第七章測試

在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴散分別稱為（）。

參考答案:

本征擴散和非本征擴散

穩(wěn)定擴散（穩(wěn)態(tài)擴散）是指在垂直擴散方向的任一平面上，單位時間內通過該平面單位面積的粒子數(shù)（）。

參考答案:

不隨時間而變化

在晶體中存在雜質時對擴散有重要的影響，主要是通過（），使得擴散系數(shù)增大。

參考答案:

增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變

擴散過程與晶體結構有密切的關系，擴散介質結構與擴散的關系是（）。

參考答案:

越緊密；越困難

空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴散機制適用于（）的擴散。

參考答案:

置換型固溶體

第八章測試

A，B進行反應生成AmBn,為擴散控制的固相反應，若DB》DA，則在AmBn-A界面上，反應物B的濃度CB為（）

參考答案:

0

兩固相反應，增大壓力有助于顆粒的接觸面積，加速物質傳遞過程，使反應速度增加；有液相參加的固相反應，提高壓力不表現(xiàn)積極作用，甚至適得其反。（）

參考答案:

對

固相反應過程主要包括界面上的化學反應和產物內部物質傳遞兩個步驟。因此，除反應物的化學組成、特性和結構狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外，凡是可能活化晶格，促進物質的內、外擴散作用的因素，都會對反應產生影響。（）

參考答案:

對

楊德方程適用于固相反應穩(wěn)定擴散的反應初期。（）

參考答案:

對

金斯特林格采用楊德球狀模型，但放棄了擴散截面不變的假設。因此，金斯特林格方程能夠描述轉化率很大情況下的固相反應。（）

參考答案:

對

第九章測試

調幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學能壘、無形核的固態(tài)相變。（）

參考答案:

對

一般而言，隨熔體性質不同，自發(fā)結晶所需的過冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶體長大兩個過程。（）

參考答案:

對

成核-長大型相變是材料中常見的一種相變，如結晶釉的形成。成核-長大型相變是由（）的濃度起伏開始發(fā)生相變，并形成新相核心。

參考答案:

程度大，范圍小

在成核－生長機制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢壘相比較，有如下關系（）。

參考答案:

非均勻成核勢壘≤均勻成核勢壘

按熱力學方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（）。

參考答案:

有相變潛熱，并伴隨有體積改變

第十章測試

從工藝的角度考慮，下列選項中不是造成二次再結晶的原因的是（）

參考答案:

燒結溫度過低

目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結的難易，若材料γGB/γSV越大，則()

參考