光電檢測技術(shù)演示文稿

光電檢測技術(shù)演示文稿本文檔共280頁；當前第1頁；編輯于星期三\21點1分參考書目《光電檢測技術(shù)》曾光宇等編著清華大學(xué)出版社《激光光電檢測》呂海寶等編著國防科技大學(xué)出版社《光電檢測技術(shù)》雷玉堂等編著中國計量出版社教材《光電檢測技術(shù)與應(yīng)用》郭培源編著北京航空航天大學(xué)出版社本文檔共280頁；當前第2頁；編輯于星期三\21點1分目錄第一章緒論第二章光電檢測技術(shù)基礎(chǔ)2.1 光的基本性質(zhì)2.2 輻射與光度學(xué)量2.3 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識2.4 光電效應(yīng)第三章光電檢測器件3.1 光電器件的類型與特點3.2 光電器件的基本特性參數(shù)本文檔共280頁；當前第3頁；編輯于星期三\21點1分3.3 半導(dǎo)體光電器件光電導(dǎo)器件: 光敏電阻光伏器件: 光電池/光電二極管/三極管3.4 真空光電器件 光電管光電倍增管3.5 熱電檢測器件熱敏電阻熱電偶和熱電堆熱釋電探測器件本文檔共280頁；當前第4頁；編輯于星期三\21點1分第四章發(fā)光、耦合和成像器件

4.1 發(fā)光二極管

4.2 激光器

4.3 光電耦合器件

4.4 CCD第五章光電檢測系統(tǒng)

5.1直接光電檢測系統(tǒng)

5.2 光外差光電檢測系統(tǒng)

5.3 典型的光電檢測系統(tǒng)第六章 光纖傳感檢測第七章 光電信號的數(shù)據(jù)采集與微機接口第八章 光電檢測技術(shù)的典型應(yīng)用本文檔共280頁；當前第5頁；編輯于星期三\21點1分第一章緒論本文檔共280頁；當前第6頁；編輯于星期三\21點1分1.光電系統(tǒng)描述光是一種電磁波，電磁波譜包括：長波電震蕩、無線電波、微波、光波（包括紅外光、可見光、紫外光）、射線等。光波的波長范圍為1mm-10nm,頻率為3x1011-3x1016Hz,它是工作于電磁波波譜圖上最后波段的系統(tǒng)，特點是波長短，頻率高.(與電子系統(tǒng)載波相比，光電系統(tǒng)載波的頻率提高了幾個量級，因此載波能量大，分辨率高，但易受大氣的吸收等影響，傳輸距離受限，易遮擋）。本文檔共280頁；當前第7頁；編輯于星期三\21點1分光電系統(tǒng)的作用體現(xiàn)在如下三個方面1）在經(jīng)典光學(xué)理論中，作為一種視覺的延伸，如經(jīng)典的光學(xué)儀器。2）在信息光電子學(xué)中，光作為一種載體，能實現(xiàn)信息的傳遞和探測功能，如光探測系統(tǒng)、光通訊系統(tǒng)、光信息識別系統(tǒng)。3）在能量光電子學(xué)中，光作為一種能量系統(tǒng)完成特定的功能，如激光加工技術(shù)，武器系統(tǒng)等。本文檔共280頁；當前第8頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測技術(shù)以光電子學(xué)為基礎(chǔ),以光電子器件為主體,研究和發(fā)展光電信息的形成、傳輸、接收、變換、處理和應(yīng)用。應(yīng)用領(lǐng)域包括：1、工業(yè)檢測（光電精密測試，光纖傳感在線檢測和機器視覺）2、日常生活：光電傳感（自動對焦、路燈控制、圖象傳感）3.軍事：激光（激光雷達）、紅外、微光探測，定向和制導(dǎo)本文檔共280頁；當前第9頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測是信息時代的關(guān)鍵技術(shù)信息技術(shù):（三大支柱）感測技術(shù)、通信技術(shù)、人工智能與計算機控制技術(shù)。信息的產(chǎn)生和獲取、轉(zhuǎn)換、傳輸、控制、存儲、處理、顯示。本課程著重在光電檢測的元器件、系統(tǒng)、方法和應(yīng)用。本文檔共280頁；當前第10頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測技術(shù)光電傳感器：基于光電效應(yīng)，將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的一種光電器件將非電量轉(zhuǎn)換為與之有確定對應(yīng)關(guān)系的電量輸出。光電檢測系統(tǒng)：是利用光電傳感器實現(xiàn)各類檢測。它將被測量的量轉(zhuǎn)換成光通量,再轉(zhuǎn)換成電量，并綜合利用信息傳送和處理技術(shù)，完成在線和自動測量光電檢測系統(tǒng)包括光學(xué)變換光電變換電路處理本文檔共280頁；當前第11頁；編輯于星期三\21點1分光學(xué)變換時域變換：調(diào)制振幅、頻率、相位、脈寬（干涉、衍射）空域變換：光學(xué)掃描（掃描盤）事實上是光學(xué)參量調(diào)制：光強、波長、相位、偏振形成能被光電探測器接收，便于后續(xù)電學(xué)處理的光學(xué)信息。光電變換光電/熱電器件（傳感器）、變換電路、前置放大將光信息變?yōu)槟軌蝌?qū)動電路處理系統(tǒng)的電信息（電信號的放大和處理）。電路處理放大、濾波、調(diào)制、解調(diào)、A/D、D/A、微機與接口、控制。本文檔共280頁；當前第12頁；編輯于星期三\21點1分光電探測器的種類類型實例PN結(jié)PN光電二極管（Si,Ge,GaAs)PIN光電二極管（Si）雪崩光電二極管(Si,Ge)光電晶體管(Si)集成光電傳感器和光電晶閘管(Si)非PN結(jié)光電元件(CdS,CdSe,Se,PbS)熱電元件(PZT,LiTaO3,PbTiO3)電子管類光電管，攝像管，光電倍增管其他類色敏傳感器固體圖象傳感器（SI，CCD/MOS/CPD型）位置檢測用元件（PSD）光電池返回本文檔共280頁；當前第13頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測系統(tǒng)光電檢測技術(shù)以現(xiàn)代光電器件為基礎(chǔ)，通過對載有被檢測物體信號的光輻射（發(fā)射、反射、散射、衍射、折射、透射等）進行檢測，通過光電檢測器件接收光輻射并轉(zhuǎn)換為電信號。由輸入電路、放大濾波等檢測電路提取有用的信息，再經(jīng)過A/D變換接口輸入微型計算機運算、處理，最后顯示或打印輸出所需檢測物體的幾何量或物理量。本文檔共280頁；當前第14頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測系統(tǒng)組成變換電路光電傳感光源光學(xué)系統(tǒng)被測對象光學(xué)變換電信號處理存儲顯示控制光學(xué)變換電路處理本文檔共280頁；當前第15頁；編輯于星期三\21點1分光電系統(tǒng)組成光電系統(tǒng)的組成也可描述為下列的三個部分：光發(fā)射機、光學(xué)信道、光接收機。根據(jù)光發(fā)射機的不同，光電系統(tǒng)可分為主動式和被動式兩類。主動式：光發(fā)射機主要由光源和調(diào)制器組成被動式：發(fā)射機為被探測物體的熱輻射，特點是隱蔽性高。光學(xué)信道：主要是指大氣、空間、水、光纖等光傳播過程中要經(jīng)過的介質(zhì)。光接收機：是指收集入射的光場并處理，恢復(fù)光載波的信息。本文檔共280頁；當前第16頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測系統(tǒng)的功能分類測量檢查型:幾何量:長度、角度、位置、形變。表面形狀：光潔度、庇病、傷痕。光學(xué)量：吸收、反射、透射、光譜。（色牢度）本文檔共280頁；當前第17頁；編輯于星期三\21點1分控制跟蹤型跟蹤控制：激光制導(dǎo)，紅外制導(dǎo)數(shù)值控制：自動定位，圖形加工形成，數(shù)值控制圖象分析型圖形檢測圖形分析本文檔共280頁；當前第18頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測技術(shù)的特點高精度：從地球到月球激光測距的精度達到1米。高速度：光速是最快的。遠距離、大量程：遙控、遙測和遙感。非接觸式檢測：不改變被測物體性質(zhì)的條件下進行測量。壽命長：光電檢測中通常無機械運動部分，故測量裝置壽命長，工作可靠、準確度高，對被測物無形狀和大小要求。數(shù)字化和智能化：強的信息處理、運算和控制能力。本文檔共280頁；當前第19頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測技術(shù)研究熱點納米、亞納米高精度的光電測量新技術(shù)。小型、快速的微型光、機、電檢測系統(tǒng)。微空間三維測量技術(shù)和大空間三維測量技術(shù)。閉環(huán)控制的光電檢測系統(tǒng)，實現(xiàn)光電測量與光電控制一體化。向人們無法觸及的領(lǐng)域發(fā)展。光電跟蹤與光電掃描測量技術(shù)。本文檔共280頁；當前第20頁；編輯于星期三\21點1分一、在工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用在線檢測：零件尺寸、產(chǎn)品缺陷、裝配定位….現(xiàn)代工程裝備中，檢測環(huán)節(jié)的成本約占50~70%光電檢測技術(shù)的應(yīng)用本文檔共280頁；當前第21頁；編輯于星期三\21點1分二、在日常生活中的應(yīng)用

家用電器：數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機：自動對焦---紅外測距傳感器數(shù)字體溫計：非接觸式---紅外傳感器自動感應(yīng)燈：亮度檢測---光敏電阻遙控接收：紅外檢測---光敏二極管、光敏三極管辦公商務(wù)：掃描儀：文檔掃描---線陣CCD醫(yī)療衛(wèi)生：血糖測試儀本文檔共280頁；當前第22頁；編輯于星期三\21點1分三、在軍事上的應(yīng)用美軍研制的未來單兵作戰(zhàn)武器夜視瞄準機系統(tǒng)：非冷卻紅外傳感器技術(shù)激光測距儀：可精確的定位目標。本文檔共280頁；當前第23頁；編輯于星期三\21點1分美國國家導(dǎo)彈防御計劃---NMD四、檢測技術(shù)在國防領(lǐng)域的應(yīng)用1.地基攔截器2.早期預(yù)警系統(tǒng)3.前沿部署(如雷達）4.管理與控制系統(tǒng)5.衛(wèi)星紅外線監(jiān)測系統(tǒng)

監(jiān)測系統(tǒng):探測和發(fā)現(xiàn)敵人導(dǎo)彈的發(fā)射并追蹤導(dǎo)彈的飛行軌道；

攔截器：能識別真假彈頭，敵友方本文檔共280頁；當前第24頁；編輯于星期三\21點1分學(xué)習(xí)本課程的目的掌握光電檢測系統(tǒng)的基本組成，光電檢測技術(shù)的特點，了解光電檢測技術(shù)的發(fā)展趨勢。掌握光電檢測器件（傳感器、光源和成像器件）的工作原理及基本特性，了解它們的應(yīng)用范圍。能夠根據(jù)特性參數(shù)，選擇合適的光電檢測器件。熟悉常用器件的性能指標。掌握直接檢測與外差檢測的原理和區(qū)別。了解光纖傳感檢測技術(shù)的原理和應(yīng)用，掌握光纖的光波調(diào)制技術(shù)。掌握了解常用光電檢測技術(shù)的測量、數(shù)據(jù)采集、處理和轉(zhuǎn)換的方法，了解所需的元器件、儀器和相關(guān)的接口技術(shù)。本文檔共280頁；當前第25頁；編輯于星期三\21點1分本課程的學(xué)習(xí)內(nèi)容光電檢測器件的物理基礎(chǔ)光電檢測器件的工作原理和特性及其應(yīng)用光電直接和外差檢測系統(tǒng)光纖傳感檢測技術(shù)光電信號的數(shù)據(jù)采集與微機接口本文檔共280頁；當前第26頁；編輯于星期三\21點1分第二章光電檢測技術(shù)基礎(chǔ)本文檔共280頁；當前第27頁；編輯于星期三\21點1分光的基本性質(zhì)輻射與光度學(xué)量半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識光電效應(yīng)本文檔共280頁；當前第28頁；編輯于星期三\21點1分半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體平衡和非平衡載流子載流子的輸運過程半導(dǎo)體的光吸收PN結(jié)本文檔共280頁；當前第29頁；編輯于星期三\21點1分導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體自然存在的各種物質(zhì)(按分子間隙），分為氣體、液體、固體。固體按導(dǎo)電能力可分為：導(dǎo)體、絕緣體和介于兩者之間的半導(dǎo)體。電阻率10-6~10-3歐姆?厘米范圍內(nèi)——導(dǎo)體電阻率1012歐姆?厘米以上——絕緣體電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間——半導(dǎo)體本文檔共280頁；當前第30頁；編輯于星期三\21點1分半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體電阻溫度系數(shù)一般是負的，而且對溫度變化非常敏感。根據(jù)這一特性，熱電探測器件。導(dǎo)電性受極微量雜質(zhì)的影響而發(fā)生十分顯著的變化。（純凈Si在室溫下電導(dǎo)率為5*10-6/(歐姆?厘米)。摻入硅原子數(shù)百萬分之一的雜質(zhì)時，電導(dǎo)率為2/(歐姆?厘米))半導(dǎo)體導(dǎo)電能力及性質(zhì)受光、電、磁等作用的影響。本文檔共280頁；當前第31頁；編輯于星期三\21點1分本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體就是沒有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體。在絕對零度時，價帶中的全部量子態(tài)都被電子占據(jù)，而導(dǎo)帶中的量子態(tài)全部空著（半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)，能帶、電子、空穴對，載流子）。溫度升高，導(dǎo)電能力增強，電子、空穴對在純凈的半導(dǎo)體中摻入一定的雜質(zhì)，可以顯著地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電性質(zhì)。摻入的雜質(zhì)可以分為施主雜質(zhì)（磷）和受主雜質(zhì)（棚）。施主雜質(zhì)電離后成為不可移動的帶正電的施主離子，同時向?qū)峁╇娮?，使半?dǎo)體成為多數(shù)載流子為電子的n型半導(dǎo)體。受主雜質(zhì)電離后成為不可移動的帶負電的受主離子，同時向價帶提供空穴，使半導(dǎo)體成為多數(shù)載流子為空穴的p型半導(dǎo)體。本文檔共280頁；當前第32頁；編輯于星期三\21點1分平衡和非平衡載流子處于熱平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，在一定溫度下，載流子濃度一定。這種處于熱平衡狀態(tài)下的載流子濃度，稱為平衡載流子濃度。半導(dǎo)體的熱平衡狀態(tài)是相對的，有條件的。如果對半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡的條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡狀態(tài)。處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子濃度也不再是平衡載流子濃度，比它們多出一部分。比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。

本文檔共280頁；當前第33頁；編輯于星期三\21點1分非平衡載流子的產(chǎn)生光注入：用光照使得半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生非平衡載流子。當光子的能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度時，光子就能把價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶上去，產(chǎn)生電子－空穴對，使導(dǎo)帶比平衡時多出一部分電子，價帶比平衡時多出一部分空穴。產(chǎn)生的非平衡電子濃度等于價帶非平衡空穴濃度。光注入產(chǎn)生非平衡載流子，導(dǎo)致半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。其它方法：電注入、高能粒子輻照等。本文檔共280頁；當前第34頁；編輯于星期三\21點1分載流子的輸運過程產(chǎn)生、復(fù)合擴散漂移本文檔共280頁；當前第35頁；編輯于星期三\21點1分半導(dǎo)體對光的吸收物體受光照射，一部分光被物體反射，一部分光被物體吸收，其余的光透過物體。吸收包括：本征吸收、雜質(zhì)吸收、自由載流子吸收、激子吸收、晶體吸收本征吸收——由于光子作用使電子由價帶躍遷到導(dǎo)帶只有在入射光子能量大于材料的禁帶寬度時，才能發(fā)生本征激發(fā)本文檔共280頁；當前第36頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第37頁；編輯于星期三\21點1分雜質(zhì)吸收和自由載流子吸收引起雜質(zhì)吸收的光子的最小能量應(yīng)等于雜質(zhì)的電離能由于雜質(zhì)電離能比禁帶寬度小，所以這種吸收在本征吸收限以外的長波區(qū)自由載流子吸收是由同一能帶內(nèi)不同能級之間的躍遷引起的。本文檔共280頁；當前第38頁；編輯于星期三\21點1分PN結(jié)將P型和N型半導(dǎo)體采用特殊工藝制造成半導(dǎo)體半導(dǎo)體內(nèi)有一物理界面，界面附近形成一個極薄的特殊區(qū)域，稱為PN結(jié)。是二極管、三極管、集成電路和其它結(jié)型光電器件最基本的結(jié)構(gòu)單元。本文檔共280頁；當前第39頁；編輯于星期三\21點1分PN結(jié)反向偏置－－－－++++內(nèi)電場外電場變厚NP+_內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。RE本文檔共280頁；當前第40頁；編輯于星期三\21點1分

PN結(jié)的伏安特性曲線

對應(yīng)表:本文檔共280頁；當前第41頁；編輯于星期三\21點1分半導(dǎo)體的物理效應(yīng):光電效應(yīng)與光熱效應(yīng)是指單個光子的性質(zhì)對產(chǎn)生的光電子直接作用，物體吸收光子后，直接引起原子或分子內(nèi)部電子狀態(tài)的改變，光子能量的大小直接影響內(nèi)部電子狀態(tài)的改變，對光波頻率有選擇性，響應(yīng)速度一般較快。光照射到物體表面上使物體發(fā)射電子、或?qū)щ娐拾l(fā)生變化、或產(chǎn)生光電動勢等，這種因光照而引起物體電學(xué)特性發(fā)生改變統(tǒng)稱為光電效應(yīng)。光電效應(yīng)包括外光電效應(yīng)和內(nèi)光電效應(yīng)。本文檔共280頁；當前第42頁；編輯于星期三\21點1分外光電效應(yīng)：物體受光照后向外發(fā)射電子——多發(fā)生于金屬和金屬氧化物發(fā)生過程與發(fā)生條件內(nèi)光電效應(yīng)：物體受到光照后所產(chǎn)生的光電子只在物質(zhì)內(nèi)部而不會逸出物體外部——多發(fā)生在半導(dǎo)體內(nèi)光電效應(yīng)又分為光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)光電導(dǎo)效應(yīng)：半導(dǎo)體受光照后，內(nèi)部產(chǎn)生光生載流子，使半導(dǎo)體中載流子數(shù)顯著增加而電阻減少的現(xiàn)象本文檔共280頁；當前第43頁；編輯于星期三\21點1分光生伏特效應(yīng)：光照在半導(dǎo)體PN結(jié)或金屬—半導(dǎo)體接觸上時，會在PN結(jié)或金屬—半導(dǎo)體接觸的兩側(cè)產(chǎn)生光生電動勢。

PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)：當用適當波長的光照射PN結(jié)時，由于內(nèi)建場的作用（不加外電場），光生電子拉向n區(qū)，光生空穴拉向p區(qū)，相當于PN結(jié)上加一個正電壓。半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢（光生電壓）；如將PN結(jié)短路，則會出現(xiàn)電流（光生電流）。本文檔共280頁；當前第44頁；編輯于星期三\21點1分光熱效應(yīng)：物體吸收光輻射后，不直接引起原子或分子內(nèi)部電子狀態(tài)的改變，而是把吸收的光能量變?yōu)榫Ц竦臒徇\動能量，引起物體溫度上升，進而引起物體電學(xué)特性或其他物理性質(zhì)發(fā)生改變。光熱效應(yīng)：材料受光照射后，光子能量與晶格相互作用，振動加劇，溫度升高，材料的性質(zhì)發(fā)生變化．熱釋電效應(yīng)：介質(zhì)的極化強度隨溫度變化而變化，引起表面電荷變化的現(xiàn)象．輻射熱計效應(yīng)：入射光的照射使材料由于受熱而造成電阻率變化的現(xiàn)象．溫差電效應(yīng)：由兩種材料制成的結(jié)點出現(xiàn)穩(wěn)差而在兩結(jié)點間產(chǎn)生電動勢，回路中產(chǎn)生電流．本文檔共280頁；當前第45頁；編輯于星期三\21點1分第三章光電檢測器件本文檔共280頁；當前第46頁；編輯于星期三\21點1分光電器件的類型與特點光電器件的基本特性參數(shù)半導(dǎo)體光電器件光電導(dǎo)器件—光敏電阻光伏器件光電池光電二極管/三極管真空光電器件光電管光電倍增管熱電檢測器件熱敏電阻熱電偶和熱電堆熱釋電探測器件本文檔共280頁；當前第47頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測器件的類型光電檢測器件是利用物質(zhì)的光電效應(yīng)把光信號轉(zhuǎn)換成電信號的器件.光電檢測器件分為兩大類:光子(光電子)檢測器件熱電檢測器件本文檔共280頁；當前第48頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測器件光子器件熱電器件真空器件固體器件光電管光電倍增管真空攝像管變像管像增強管光敏電阻光電池光電二極管光電三極管光纖傳感器電荷耦合器件CCD熱電偶/熱電堆(溫差電效應(yīng))熱輻射計/熱敏電阻(輻射熱計效應(yīng))熱釋電探測器(熱釋電效應(yīng))本文檔共280頁；當前第49頁；編輯于星期三\21點1分光電檢測器件的特點光子器件熱電器件響應(yīng)波長有選擇性，一般有截止波長，超過該波長，器件無響應(yīng)。響應(yīng)波長無選擇性，對可見光到遠紅外的各種波長的輻射同樣敏感響應(yīng)快，吸收輻射產(chǎn)生信號需要的時間短，一般為納秒到幾百微秒響應(yīng)慢，一般為幾毫秒本文檔共280頁；當前第50頁；編輯于星期三\21點1分3.2器件的基本特性參數(shù)響應(yīng)特性噪聲特性量子效率線性度工作溫度本文檔共280頁；當前第51頁；編輯于星期三\21點1分一、響應(yīng)特性１．響應(yīng)度（或稱靈敏度）：是光電探測器輸出信號與輸入光功率之間關(guān)系的度量。描述的是光電探測器件的光電轉(zhuǎn)換效率。響應(yīng)度是隨入射光波長變化而變化的響應(yīng)度分電壓響應(yīng)度和電流響應(yīng)度本文檔共280頁；當前第52頁；編輯于星期三\21點1分電壓響應(yīng)度光電探測器件輸出電壓與入射光功率之比電流響應(yīng)度光電探測器件輸出電流與入射光功率之比本文檔共280頁；當前第53頁；編輯于星期三\21點1分２．光譜響應(yīng)度：探測器在波長為λ的單色光照射下，輸出電壓或電流與入射的單色光功率(或者光通量）之比．３．積分響應(yīng)度：檢測器對各種波長光連續(xù)輻射量的反應(yīng)程度．本文檔共280頁；當前第54頁；編輯于星期三\21點1分４．響應(yīng)時間：響應(yīng)時間τ是描述光電探測器對入射光響應(yīng)快慢的一個參數(shù)（如圖）。上升時間：入射光照射到光電探測器后，光電探測器輸出上升到穩(wěn)定值所需要的時間。下降時間：入射光遮斷后，光電探測器輸出下降到穩(wěn)定值所需要的時間。本文檔共280頁；當前第55頁；編輯于星期三\21點1分光電探測器響應(yīng)率與入射調(diào)制頻率的關(guān)系

為調(diào)制頻率為f時的響應(yīng)率 為調(diào)制頻率為零時的響應(yīng)率 為時間常數(shù)（等于RC）

５．頻率響應(yīng)：光電探測器的響應(yīng)隨入射光的調(diào)制頻率而變化的特性稱為頻率響應(yīng)．由于光電探測器信號產(chǎn)生和消失存在著一個滯后過程，所以入射光的調(diào)制頻率對光電探測器的響應(yīng)會有較大的影響。光入射產(chǎn)生光電流是一個積分過程，是一階系統(tǒng)，根據(jù)RC積分電路的特點，它是一低通電路，其幅頻特性為：本文檔共280頁；當前第56頁；編輯于星期三\21點1分：上限截止頻率時間常數(shù)決定了光電探測器頻率響應(yīng)的帶寬返回本文檔共280頁；當前第57頁；編輯于星期三\21點1分二.光電轉(zhuǎn)換定律對于光電探測器，一端是光輻射量，另一端是光電流。把光輻射量轉(zhuǎn)換為光電流量的過程稱為光電轉(zhuǎn)換。即光電流正比于入射光功率量子效率（）：在某一特定波長上，每秒鐘內(nèi)產(chǎn)生的光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比。對理想的探測器，入射一個光量子發(fā)射一個電子，=1實際上，<1量子效率是一個微觀參數(shù)，量子效率愈高愈好。本文檔共280頁；當前第58頁；編輯于星期三\21點1分量子效率與響應(yīng)度的關(guān)系光探測器對入射光功率有響應(yīng)，響應(yīng)的是光電流。因此，一個光子探測器總可視為一個電流源。因為光功率P正比于光電場的平方，故常把光探測器稱為平方率探測器，光探測器實質(zhì)上是一個非線性器件。本文檔共280頁；當前第59頁；編輯于星期三\21點1分三、噪聲特性在一定波長的光照下光電探測器輸出的電信號并不是平直的，而是在平均值上下隨機地起伏，它實質(zhì)上就是物理系統(tǒng)內(nèi)部的起伏干擾：如電阻中自由電子的熱運動，光電陰極的隨機發(fā)射，載流子的隨機產(chǎn)生和復(fù)合等。服從統(tǒng)計規(guī)律，其平均值為零。用均方噪聲來表示噪聲值大小。由于產(chǎn)生探測器起伏噪聲的因素很多，且這些因素又彼此獨立，總的噪聲功率為各種噪聲功率之和。本文檔共280頁；當前第60頁；編輯于星期三\21點1分噪聲在實際的光電探測系統(tǒng)中是極其有害的。由于噪聲總是與有用信號混在一起，因而影響對信號特別是微弱信號的正確探測。一個光電探測系統(tǒng)的極限探測能力往往受探測系統(tǒng)的噪聲所限制。所以在精密測量、通信、自動控制等領(lǐng)域，減小和消除噪聲是十分重要的問題。本文檔共280頁；當前第61頁；編輯于星期三\21點1分光電探測器常見的噪聲熱噪聲散粒噪聲產(chǎn)生-復(fù)合噪聲1/f噪聲本文檔共280頁；當前第62頁；編輯于星期三\21點1分1、熱噪聲或稱約翰遜噪聲，即載流子無規(guī)則的熱運動造成的噪聲。導(dǎo)體或半導(dǎo)體中每一電子都攜帶著電子電量作隨機運動(相當于微電脈沖)，盡管其平均值為零，但瞬時電流擾動在導(dǎo)體兩端會產(chǎn)生一個均方根電壓，稱為熱噪聲電壓。熱噪聲存在于任何電阻中，熱噪聲與溫度成正比，與頻率無關(guān)，熱噪聲又稱為白噪聲本文檔共280頁；當前第63頁；編輯于星期三\21點1分通常我們認為外界進入系統(tǒng)，以及系統(tǒng)內(nèi)部電路產(chǎn)生的噪聲都是白噪聲，也就是頻率范圍非常寬。但并不是所有噪聲都會對系統(tǒng)產(chǎn)生影響，因為一般系統(tǒng)都是有限帶寬的。噪聲功率帶寬就是描述多寬頻帶范圍內(nèi)的噪聲會對系統(tǒng)造成影響。這個帶寬和噪聲功率譜密度相乘，就是噪聲功率了本文檔共280頁；當前第64頁；編輯于星期三\21點1分2、散粒噪聲散粒噪聲：無光照下，由于熱激發(fā)射到光探測器表面的光子是隨機的，光電子從光電陰極表面逸出是隨機的，PN結(jié)中通過結(jié)區(qū)的載流子數(shù)也是隨機的。散粒噪聲也是白噪聲，與頻率無關(guān)。散粒噪聲是光電探測器的固有特性，對大多數(shù)光電探測器的研究表明：散粒噪聲具有支配地位。例如光伏器件的PN結(jié)勢壘是產(chǎn)生散粒噪聲的主要原因。熱激發(fā)平均電流，暗電流本文檔共280頁；當前第65頁；編輯于星期三\21點1分3、產(chǎn)生-復(fù)合噪聲對光導(dǎo)探測器，熱激發(fā)載流子產(chǎn)生電子空穴對，與光伏器件不同，存在嚴重的復(fù)合過程，復(fù)合過程也是隨機的，使起伏加倍。在平衡狀態(tài)時，在載流子產(chǎn)生和復(fù)合的平均數(shù)是一定的但在某一瞬間載流子的產(chǎn)生數(shù)和復(fù)合數(shù)是有起伏的。載流子濃度的起伏引起半導(dǎo)體電導(dǎo)率的起伏。M為光電導(dǎo)的內(nèi)部增益。本文檔共280頁；當前第66頁；編輯于星期三\21點1分4、1/f噪聲或稱閃爍噪聲或低頻噪聲。噪聲的功率近似與頻率成反比多數(shù)器件的1/f噪聲在200~300Hz以上已衰減到可忽略不計。本文檔共280頁；當前第67頁；編輯于星期三\21點1分５、信噪比信噪比是判定噪聲大小的參數(shù)。是負載電阻上信號功率與噪聲功率之比若用分貝（dB）表示，為本文檔共280頁；當前第68頁；編輯于星期三\21點1分６、等效噪聲功率(NEP)定義：信號功率與噪聲功率比為1（SNR=1）時，入射到探測器件上的輻射通量(單位為瓦)。這時，入射到探測器上的輻射功率所產(chǎn)生的輸出電壓（或電流）等于探測器本身的噪聲電壓（或電流）一般一個良好的探測器件的NEP約為10-11W。NEP越小，噪聲越小，器件的性能越好。本文檔共280頁；當前第69頁；編輯于星期三\21點1分７、探測率與歸一化探測率探測率D定義為噪聲等效功率的倒數(shù)經(jīng)過分析，發(fā)現(xiàn)NEP與檢測元件的面積Ad和放大器帶寬Δf乘積的平方根成正比歸一化探測率D*，即D*與探測器的敏感面積、放大器的帶寬無關(guān)。返回本文檔共280頁；當前第70頁；編輯于星期三\21點1分四、線性度線性度是描述光電探測器輸出信號與輸入信號保持線性關(guān)系的程度。在某一范圍內(nèi)探測器的響應(yīng)度是常數(shù)，稱這個范圍為線性區(qū)。非線性誤差：

δ＝Δmax/(I2

–I1)Δmax：實際響應(yīng)曲線與擬合曲線之間的最大偏差；I2

和I1：分別為線性區(qū)中最小和最大響應(yīng)值。本文檔共280頁；當前第71頁；編輯于星期三\21點1分五、工作溫度工作溫度就是指光電探測器最佳工作狀態(tài)時的溫度。光電探測器在不同溫度下，性能有變化。

例如，半導(dǎo)體光電器件的長波限和峰值波長會隨溫度而變化；熱電器件的響應(yīng)度和熱噪聲會隨溫度而變化。本文檔共280頁；當前第72頁；編輯于星期三\21點1分半導(dǎo)體光電檢測器件及應(yīng)用光電管與光電倍增管光敏電阻光電池與四象限光電池光電二極管及陣列光電二極管光電三極管發(fā)光器件與光耦合器件PSD與CCD器件本文檔共280頁；當前第73頁；編輯于星期三\21點1分光電管與光電倍增管（外光電效應(yīng)器件）：光電管是依據(jù)光電發(fā)射效應(yīng)而工作的一種光電探測器，主要由光電陰極K、陽極A和管殼組成。分為真空光電管和充氣（增益氣體）光電管。接收形式有反射型和透射型。本文檔共280頁；當前第74頁；編輯于星期三\21點1分光電陰極：銀氧銫光電陰極、銻化物光電陰極、負電子親和勢光電陰極。決定帶寬，峰值波長。本文檔共280頁；當前第75頁；編輯于星期三\21點1分光電特性和伏安特性曲線光電特性：1，2，3是真空光電管光電特性；在一定范圍內(nèi)光電流與光照度為線性關(guān)系，4，5，6是充氣光電管光電特性，二者相比，真空光電管線性好，動態(tài)范圍大，穩(wěn)定性好，但靈敏度低一些。本文檔共280頁；當前第76頁；編輯于星期三\21點1分在不同的入射P下，u=50-100V時，所有的光電子都能到達陽極，光電流飽和，電壓再增高，光電流不在增大。在飽和區(qū)，當u一定時光電流與入射功率成線性變化，光電管要求工作在飽和區(qū)，即u要高于50-100V。

伏安特性(光電管兩端電壓與流過電流關(guān)系）由偏置電路u=Ub-iRL本文檔共280頁；當前第77頁；編輯于星期三\21點1分1.無光照情況：當光照功率Φ=0時，電流i不為零，暗電阻Rd=u/i=1/

稱為光電管的暗電導(dǎo)(漏電導(dǎo)）2.表征光電管進入飽和區(qū)快慢的參數(shù)G0飽和電導(dǎo)（初始電導(dǎo)）

設(shè)對應(yīng)于M點的電壓與電流分別為U0(轉(zhuǎn)折電壓）,I0。則I0=G0U0,G0稱為光電管的飽和電導(dǎo)。因為OM是所有曲線進入飽和區(qū)的分界線。

3.光電管的工作負載線

伏安特性：u=Ub-iRL,Ub為偏置電壓,u為光電管兩端電壓.

i=0,u=Ub,u=0,i=Ub/RL,MH線即為光電管的工作負載線.當偏置電壓一定時，RL從零到無窮，負載線從垂直向左旋轉(zhuǎn)900

本文檔共280頁；當前第78頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第79頁；編輯于星期三\21點1分4.光電管線性工作區(qū)確定光電管線性工作區(qū)是指光功率的變化與電流和電壓變化成線性關(guān)系的區(qū)域，設(shè)Φ0為如射入光功率的直流分量，Φmax

Φmin

為變化區(qū)間，即負載線必須在M點的上方通過,對M點：

I=Id+IpG0U0=GU0+SΦmax

U0=SΦmax/(G0

–G)U0稱為轉(zhuǎn)折電壓。計算負載電阻和偏置電壓。為保證最大線性輸出條件，負載線和與對應(yīng)的伏安線交點不能低于轉(zhuǎn)折點M.(Ub-U0)GL=G0U0當Ub已知時，可計算出負載電導(dǎo)GL或電阻RL為本文檔共280頁；當前第80頁；編輯于星期三\21點1分當RL＝1/GL為已知時，可計算出偏置電源電壓Ub為計算輸出電壓幅度當輸入光通量由Φmin變化到Φmax時，輸出電壓幅度為ΔU＝Umax－U0。GL（Ub-Umax）=GUmax＋SΦmin

（在H點）GL（Ub-U0）=GU0＋SΦmax

（在M點）本文檔共280頁；當前第81頁；編輯于星期三\21點1分電壓幅度與輸入光通量的增量和光電靈敏度成正比，與結(jié)間漏電導(dǎo)和負載電導(dǎo)之和成反比。

計算輸出電流幅度ΔI＝Imax－Imin＝GLΔU通常GL＞＞G，ΔI＝S（Φmax－Φmin）＝SΔΦ計算輸出電功率由功率關(guān)系P＝ΔIΔU可得若僅要求輸出光電流，可選擇Ub＝U0RL＝０本文檔共280頁；當前第82頁；編輯于星期三\21點1分５．頻率特性：從電路的觀點看，光電管等效為一個高內(nèi)阻的電流源，其等效電路可表示為：圖中Ｃｄ為光電管電容，（由于內(nèi)阻很大），由等效電路得截止頻率為：環(huán)境和溫度變化使光電管的靈敏度和暗電流發(fā)生變化，要求溫度保持在１０－４５０C本文檔共280頁；當前第83頁；編輯于星期三\21點1分光電倍增管光電倍增管結(jié)構(gòu)原理如圖所示，由光電陰極K、陽極A和倍增極及管殼組成。倍增極由某些金屬，半導(dǎo)體及氧化物等負電子親和勢材料組成。其特點是受到高速電子轟擊產(chǎn)生二次電子發(fā)射獲得很高的電流內(nèi)增益。本文檔共280頁；當前第84頁；編輯于星期三\21點1分供電電壓為千伏數(shù)量級，采用電阻或齊納穩(wěn)壓管分壓，分級電壓為百伏數(shù)量級。本文檔共280頁；當前第85頁；編輯于星期三\21點1分兩種供電電路：陽極接地，負高壓供電；陰極接地，正高壓供電。負高壓供電可消除外部信號電路與陽極中間的電位差，輸出光電流可直接與電流計或電流電壓轉(zhuǎn)換的運算放大器相連。正高壓供電使用耐高壓的耦合電容輸出信號，用于交流或信號脈沖測量系統(tǒng)。本文檔共280頁；當前第86頁；編輯于星期三\21點1分信號輸出方式：光電倍增管用以檢測微弱的光信號，其輸出電流很小，常采用放大器輸出。本文檔共280頁；當前第87頁；編輯于星期三\21點1分光電特性和伏安特性光電倍增管的光電特性與伏安特性與真空管十分相似，其分析方法與光電管基本一樣。頻率特性：截止頻率為：噪聲特性：由于溫度變化，光電倍增管的暗電流產(chǎn)生較大的散粒噪聲，因此在使用中一定要制冷。本文檔共280頁；當前第88頁；編輯于星期三\21點1分一、光敏電阻光敏電阻是光電導(dǎo)型器件。光敏電阻材料：主要是硅、鍺和化合物半導(dǎo)體，例如：硫化鎘（CdS），硫化鉛（PbS），銻化銦（InSb）等。特點：光譜響應(yīng)范圍寬（特別是對于紅光和紅外輻射）；偏置電壓低，工作電流大；動態(tài)范圍寬，既可測強光，也可測弱光；光電導(dǎo)增益大，靈敏度高；無極性，使用方便；在強光照射下，光電線性度較差光電馳豫時間較長，頻率特性較差。本文檔共280頁；當前第89頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻(LDR)和它的符號：

符號本文檔共280頁；當前第90頁；編輯于星期三\21點1分1.光敏電阻的工作原理光敏電阻結(jié)構(gòu)：在一塊均勻光電導(dǎo)體兩端加上電極，貼在硬質(zhì)玻璃、云母、高頻瓷或其他絕緣材料基板上，兩端接有電極引線，封裝在帶有窗口的金屬或塑料外殼內(nèi)。（如圖）工作機理：當入射光子使半導(dǎo)體中的電子由價帶躍遷到導(dǎo)帶時，導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴均參與導(dǎo)電，其阻值急劇減小，電導(dǎo)增加。本文檔共280頁；當前第91頁；編輯于星期三\21點1分入射光返回本文檔共280頁；當前第92頁；編輯于星期三\21點1分本征型和雜質(zhì)型光敏電阻本征型光敏電阻：當入射光子的能量等于或大于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度Eg時，激發(fā)一個電子－空穴對，在外電場的作用下，形成光電流。雜質(zhì)型光敏電阻：對于Ｎ型半導(dǎo)體，當入射光子的能量等于或大于雜質(zhì)電離能ΔＥ時，將施主能級上的電子激發(fā)到導(dǎo)帶而成為導(dǎo)電電子，在外電場的作用下，形成光電流。本征型用于可見光長波段,雜質(zhì)型用于紅外波段。價帶導(dǎo)帶電子空穴Eg價帶導(dǎo)帶電子空穴ΔＥ施主本文檔共280頁；當前第93頁；編輯于星期三\21點1分光電導(dǎo)與光電流光敏電阻兩端加電壓（直流或交流）．無光照時，阻值（暗電阻）很大，電流（暗電流）很??；光照時，光生載流子迅速增加，阻值（亮電阻）急劇減少．在外場作用下，光生載流子沿一定方向運動，形成光電流（亮電流）。光電流：亮電流和暗電流之差；

I光

=IL-Id光電導(dǎo)：亮電導(dǎo)和暗電導(dǎo)之差；

G

=GL-Gd本文檔共280頁；當前第94頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是說暗電流要小，亮電流要大，這樣光敏電阻的靈敏度就高。光電流與光照強度／電阻結(jié)構(gòu)的關(guān)系。設(shè)載流子的遷移率分別為（單位電場作用下的運動速率）。本文檔共280頁；當前第95頁；編輯于星期三\21點1分無光照，暗電導(dǎo)率光照下電導(dǎo)率

本文檔共280頁；當前第96頁；編輯于星期三\21點1分附加光電導(dǎo)率,簡稱光電導(dǎo)光電導(dǎo)相對值要制成附加光電導(dǎo)相對值高的光敏電阻應(yīng)使p0和n0小，因此光敏電阻一般采用禁帶寬度大的材料或在低溫下使用。本文檔共280頁；當前第97頁；編輯于星期三\21點1分無光照時，光敏電阻的暗電流為光照時，光敏電阻的光電流為本文檔共280頁；當前第98頁；編輯于星期三\21點1分２．光敏電阻的工作特性光電特性伏安特性時間響應(yīng)和頻率特性溫度特性本文檔共280頁；當前第99頁；編輯于星期三\21點1分光電特性：光電流與入射光照度的關(guān)系：

(1)弱光時，γ=1，光電流與照度成線性關(guān)系(CdS) (2)強光時，γ=0.5，光電流與照度成拋物線 光照增強的同時，載流子濃度不斷的增加，同時光敏電阻的溫度也在升高，從而導(dǎo)致載流子運動加劇，因此復(fù)合幾率也增大，光電流呈飽和趨勢。（冷卻可以改善）

光敏電阻的光電特性本文檔共280頁；當前第100頁；編輯于星期三\21點1分在弱光照下，光電流與E具有良好的線性關(guān)系在強光照下則為非線性關(guān)系其他光敏電阻也有類似的性質(zhì)。本文檔共280頁；當前第101頁；編輯于星期三\21點1分光電導(dǎo)靈敏度:光電導(dǎo)G與照度E之比. 光電導(dǎo)靈敏度與光敏電阻兩電極間距離的平方成反比，其主要原因是光生載流子有一定的壽命。從電導(dǎo)公式也可以反映出來，因此光敏電阻常為蛇形面。并且不同波長的光，光敏電阻的靈敏度是不同的。在選用光電器件時必須充分考慮到這種特性。本文檔共280頁；當前第102頁；編輯于星期三\21點1分光電導(dǎo)增益

光電導(dǎo)增益反比于電極間距的平方。量子效率：光電流與入射光子流之比。本文檔共280頁；當前第103頁；編輯于星期三\21點1分伏安特性在一定的光照下，光敏電阻的光電流與所加的電壓關(guān)系光敏電阻是一個純電阻，因此符合歐姆定律，其伏安特性曲線為直線。不同光照度對應(yīng)不同直線本文檔共280頁；當前第104頁；編輯于星期三\21點1分受耗散功率的限制，在使用時，光敏電阻兩端的電壓不能超過最高工作電壓，圖中虛線為允許功耗曲線由此可確定光敏電阻正常工作電壓。本文檔共280頁；當前第105頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻的信號輸出R=1/(Gp+Gd)，IL=Ub/(R+RL),當輸入光通量變化時，ΔIL=-UbΔR/(R+RL)2,由Gp=SE=SΦ,

R=1/(Gp+Gd)得：ΔR=-R2SΔΦΔIL=-UbΔR/(R+RL)2=UbR2SΔΦ

/(R+RL)2ΔUL=ΔILRL=

UbR2SΔΦRL/(R+RL)2恒壓偏置:負載電阻遠小于光敏電阻，輸出信號與光敏電阻值無關(guān)，用于光控電路。恒流偏置:光敏電阻的偏置電壓：每個光敏電阻都有額定的最大耗散功率Pmax,在一定的光照下，要求：IL2R<Pmax，即

Ub<（Pmax/R)0.5(R+RL)本文檔共280頁；當前第106頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第107頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻時間常數(shù)比較大，其上限截止頻率低。只有PbS光敏電阻的頻率特性稍好些，可工作到幾千赫。頻率特性本文檔共280頁；當前第108頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻是多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度特性復(fù)雜。隨著溫度的升高，光敏電阻的暗電阻和靈敏度都要下降，溫度的變化也會影響光譜特性曲線。例如：硫化鉛光敏電阻，隨著溫度的升高光譜響應(yīng)的峰值將向短波方向移動。尤其是紅外探測器要采取制冷措施溫度特性本文檔共280頁；當前第109頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻參數(shù)使用材料：硫化鎘（CdS），硫化鉛（PbS），銻化銦（InSb），碲鎘汞（HgCdTe），碲錫鉛（PbSnTe）.光敏面：1-3mm工作溫度：-40–80oC溫度系數(shù)：1極限電壓：10–300V耗散功率：<100W時間常數(shù)：5–50ms光譜峰值波長：因材料而不同，在可見/紅外遠紅外暗電阻：108歐姆亮電阻：104

歐姆本文檔共280頁；當前第110頁；編輯于星期三\21點1分光敏電阻的應(yīng)用基本功能：根據(jù)自然光的情況決定是否開燈。基本結(jié)構(gòu)：整流濾波電路；光敏電阻及繼電器控制；觸電開關(guān)執(zhí)行電路基本原理：光暗時，光敏電阻阻值很高，繼電器關(guān)，燈亮；光亮?xí)r，光敏電阻阻值降低，繼電器工作，燈關(guān)。照明燈自動控制電路K220V燈常閉CdS本文檔共280頁；當前第111頁；編輯于星期三\21點1分光電池(光伏工作模式）光電池是根據(jù)光生伏特效應(yīng)制成的將光能轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)：當用適當波長的光照射PN結(jié)時，由于內(nèi)建場的作用（不加外電場），光生電子拉向n區(qū)，光生空穴拉向p區(qū).半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢（光生電壓）；如將PN結(jié)短路，則會出現(xiàn)電流（光生電流）方向為N-P。本文檔共280頁；當前第112頁；編輯于星期三\21點1分光電池的結(jié)構(gòu)特點光電池核心部分是一個PN結(jié)，一般作成面積大的薄片狀，來接收更多的入射光。硅光電池在N型硅片上擴散P型雜質(zhì)（如硼），形成一個P+N結(jié)，受光面是P型層（代號2CR)或在P型硅片上擴散N型雜質(zhì)（如磷），形成一個N+P結(jié)，受光面是N型層。(代號2DR)高參雜的目的使空間勢壘加寬，增加光生載流子數(shù)目，減小反向飽和電流。本文檔共280頁；當前第113頁；編輯于星期三\21點1分受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保護作用由于光子入射深度有限，為使光照到PN結(jié)上，實際使用的光電池制成薄P型或薄N型。本文檔共280頁；當前第114頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第115頁；編輯于星期三\21點1分1、光譜響應(yīng)度硅光電池響應(yīng)波長微米，峰值波長微米。硒光電池響應(yīng)波長微米，峰值波長0.54微米。本文檔共280頁；當前第116頁；編輯于星期三\21點1分2、伏安特性無光照時，光電池伏安特性曲線與普通半導(dǎo)體二極管相同。有光照時，沿電流軸方向平移，平移幅度與光照度成正比。曲線與電壓軸交點稱為開路電壓VOC，與電流軸交點稱為短路電流ISC。本文檔共280頁；當前第117頁；編輯于星期三\21點1分光電池伏安特性曲線本文檔共280頁；當前第118頁；編輯于星期三\21點1分3.光電池等效電路

等效為一個電流源與一個普通二極管的并聯(lián)電路本文檔共280頁；當前第119頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第120頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第121頁；編輯于星期三\21點1分光電池短路電流與開路電壓與入射光強度變化關(guān)系由P31圖3-14表示，由于ISC=Ip=SΦ,因此，短路電流與受光面積成正比，開路電壓與與受光面積的對數(shù)成正比，如圖3-15所示。短路或線性電流放大是一種電流變換狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，后續(xù)電流放大級作為負載從光電池中吸取最大的輸出電流。為此要求負載電阻或后續(xù)放大電路的輸入阻抗盡可能小。在短路狀態(tài)下，由于輸出電流與入射光功率成正比，在器件噪聲較低情況下，適合于弱光信號的檢測。(105頁）開路電壓應(yīng)通過高輸入阻抗放大器與后續(xù)放大電路連接，同一光電池的開路電壓與光電池光敏面受光面積的對數(shù)成正比，但開路電壓并不會無限增大，它的最大值受結(jié)勢壘的限制，通常，光電池的開路電壓為0.45-0.6v,因此，可不加偏置作跳躍變化的光電開關(guān)(105頁）。本文檔共280頁；當前第122頁；編輯于星期三\21點1分當光電池用作太陽能電源時，可通過多個串聯(lián)和并聯(lián)方式增大輸出電壓和輸出電流。光電池的負載特性：1.在一定的光照下，負載電阻RL由無窮變到零時,輸出電壓由將由Uoc變?yōu)榱?，而輸出電流將從零增大到短路電流ISC，顯然存在某一負載電阻RM,光電池的輸出功率最大。近似求法：過開路電壓及短路電流作伏安特性曲線的切線，兩切線交于Q點，連接OQ與伏安特性曲線交于M點，此時，矩形面積最大，即為最大的輸出功率。此時近似認為UM=0.7Uoc,IM=ISC.,。即RM=0.7Uoc/ISC（圖4-12）2.當負載電阻很小時，可得到與輸入光功率成正比的電流與電壓信號輸出。據(jù)本文檔共280頁；當前第123頁；編輯于星期三\21點1分式中將上式展開得當IRL<<UT時，由于I0<<I,若IRL<<UT即I=SΦ令最大線性輸出光電流為IM，相應(yīng)的光通量為ΦM,則可得輸出最大線性電壓的臨界電阻為：RM<<UT/IM=26/SΦM.負載上的電壓信號變化為：ΔU=RM

ΔI=(26/SΦM)SΔΦ=26ΔΦ/ΦM本文檔共280頁；當前第124頁；編輯于星期三\21點1分負載RL的增大線性范圍也越來越小。

因此，在要求輸出電流與光照度成線性關(guān)系時，負載電阻在條件許可的情況下越小越好，并限制在適當?shù)墓庹辗秶鷥?nèi)使用本文檔共280頁；當前第125頁；編輯于星期三\21點1分4.頻率響應(yīng)(光生載流子渡越時間、電路決定的時間常數(shù)）

硅光電池頻率特性好硒光電池頻率特性差硅光電池是目前使用最廣泛的光電池

本文檔共280頁；當前第126頁；編輯于星期三\21點1分要得到短的響應(yīng)時間，必須選用小的負載電阻RL；光電池面積越大則響應(yīng)時間越大，因為光電池面積越大則結(jié)電容Cj越大，在給定負載時，時間常數(shù)就越大，故要求短的響應(yīng)時間，必須選用小面積光電池。本文檔共280頁；當前第127頁；編輯于星期三\21點1分開路電壓下降大約23mV/度短路電流上升大約10-510-3mA/度5、溫度特性

隨著溫度的上升，硅光電池的光譜響應(yīng)向長波方向移動，開路電壓下降，短路電流上升。光電池做探測器件時，測量儀器應(yīng)考慮溫度的漂移，要進行補償。本文檔共280頁；當前第128頁；編輯于星期三\21點1分光電池的應(yīng)用1、光電探測器件利用光電池做探測器有頻率響應(yīng)高，光電流隨光照度線性變化等特點。2、將太陽能轉(zhuǎn)化為電能實際應(yīng)用中，把硅光電池經(jīng)串聯(lián)、并聯(lián)組成電池組。本文檔共280頁；當前第129頁；編輯于星期三\21點1分硅太陽能電池硅太陽能電池包括單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池。單晶硅太陽能電池在實驗室里最高的轉(zhuǎn)換效率為23%,而規(guī)模生產(chǎn)的單晶硅太陽能電池,其效率為15%。多晶硅半導(dǎo)體材料的價格比較低廉,但是由于它存在著較多的晶粒間界而有較多的弱點。多晶硅太陽能電池的實驗室最高轉(zhuǎn)換效率為18%,工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率為10%。本文檔共280頁；當前第130頁；編輯于星期三\21點1分非晶硅太陽能電池非晶硅薄膜太陽能電池組件的制造采用薄膜工藝,具有較多的優(yōu)點,例如:沉積溫度低、襯底材料價格較低廉,能夠?qū)崿F(xiàn)大面積沉積。

非晶硅的可見光吸收系數(shù)比單晶硅大,是單晶硅的40倍,1微米厚的非晶硅薄膜,可以吸引大約90%有用的太陽光能。非晶硅太陽能電池的穩(wěn)定性較差,從而影響了它的迅速發(fā)展。

本文檔共280頁；當前第131頁；編輯于星期三\21點1分化合物太陽能電池

三五族化合物電池和二六族化合物電池。三五族化合物電池主要有GaAs電池、InP電池、GaSb電池等;二六族化合物電池主要有CaS/CuInSe電池、CaS/CdTe電池等。在三五族化合物太陽能電池中,GaAs電池的轉(zhuǎn)換效率最高,可達28%;本文檔共280頁；當前第132頁；編輯于星期三\21點1分GaAs化合物太陽能電池Ga是其它產(chǎn)品的副產(chǎn)品,非常稀少珍貴;As不是稀有元素,有毒。GaAs化合物材料尤其適用于制造高效電池和多結(jié)電池,這是由于GaAs具有十分理想的光學(xué)帶隙以及較高的吸收效率。

GaAs化合物太陽能電池雖然具有諸多優(yōu)點,但是GaAs材料的價格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs電池的普及。

本文檔共280頁；當前第133頁；編輯于星期三\21點1分太陽能太陽能特點：①無枯竭危險；②絕對干凈；③不受資源分布地域的限制；④可在用電處就近發(fā)電；⑤能源質(zhì)量高；⑥使用者從感情上容易接受；⑦獲取能源花費的時間短。要使太陽能發(fā)電真正達到實用水平，一是要提高太陽能光電變換效率并降低成本；二是要實現(xiàn)太陽能發(fā)電同現(xiàn)在的電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)。本文檔共280頁；當前第134頁；編輯于星期三\21點1分四象限光電池四象限光電池是用來確定光點在二維平面上的位置坐標，一般用于準直、定位、跟蹤等方面。它是用集成電路光刻技術(shù)將一個圓形或方形的光敏面窗口隔成幾個面積相等、形狀相同、位置對稱（背面為整片）的區(qū)域。是四象限光探測器的一種。（如：硅光電二極管、雪崩光電二極管）和差電路形式：設(shè)器件的坐標線與基準線成水平安裝，電路的連接是先計算相鄰象限信號的和，再計算信號的差。設(shè)光斑形狀是彌散圓，半徑為r,光密度均勻，投影在四象限探測器每個象限上的面積分別為SA、SB、SC、SD本文檔共280頁；當前第135頁；編輯于星期三\21點1分由運算電路輸出偏離信號ux和uy，

ux=K[(uA+uB)-(uC+uD)],uy=K[(uA+uD)-(uB+uC)]

為了消除光斑自身能量變化常采用和差比幅電路

Ux=ux/[(uA+uB+uC+uD)],

Uy=uy/[(uA+uB+uC+uD)],

本文檔共280頁；當前第136頁；編輯于星期三\21點1分2.直差電路形式：若器件的坐標線和基準線間成450角安裝，輸出偏移量為：

ux=K(uA-uC)/[(uA+uB+uC+uD)],

uy=k(uB-uD)

/[(uA+uB+uC+uD)],

本文檔共280頁；當前第137頁；編輯于星期三\21點1分光敏二極管光敏二極管與光電池一樣，基本結(jié)構(gòu)為一個PN結(jié)，其特點是結(jié)面積小，頻率特性非常好，光生電動勢與光電池相同，但輸出光電流比光電池小，一般為微安量級。種類：鍺光敏二極管（紅外）、硅光敏二極管。圖3-21采用N型單晶硅形成P+N結(jié),型號為2CU.采用P型單晶硅形成N+P結(jié),型號為2DU.{環(huán)型光電二極管有三根引線，環(huán)極接電源正極，通過一電阻接前極（N極），也可不用}。由圖3-21，3-22.硅光電二極管可采用聚焦透鏡作入射窗口如圖3-23所示。本文檔共280頁；當前第138頁；編輯于星期三\21點1分光電二極管（光敏二極管）光敏二極管符號

光敏二極管接法

本文檔共280頁；當前第139頁；編輯于星期三\21點1分外加反向偏壓與光電池不同，光敏二極管一般在負偏壓情況下使用(10v)大反偏壓的施加，光生載流子快速通過結(jié)區(qū)電子—空穴復(fù)合機會少，提高光敏二極管的靈敏度。增加了耗盡層的寬度，結(jié)電容減小，提高器件的頻響特性。但是，為了提高靈敏度及頻響特性，卻不能無限地加大反向偏壓，因為它還受到PN結(jié)反向擊穿電壓等因素的限制。本文檔共280頁；當前第140頁；編輯于星期三\21點1分光譜特性與電流靈敏度常溫下硅光電二極管的峰值波長為0.9μm,帶寬為0.4-1.1μm，在峰值波長處量子效率大于50%，電流靈敏度大于0.4μA/μW.圖3-25所示。本文檔共280頁；當前第141頁；編輯于星期三\21點1分光敏二極管體積小，靈敏度高，響應(yīng)時間短，光譜響應(yīng)在可見到近紅外區(qū)中，光電檢測中應(yīng)用多。在較小的負載電阻下，光電流與入射光功率有較好的線性關(guān)系。光電特性曲線。本文檔共280頁；當前第142頁；編輯于星期三\21點1分頻率響應(yīng)特性硅光電二極管是半導(dǎo)體光電器件中最好的一種，因此，特別適用于快速變化的光信號探測。光電二極管的頻率響應(yīng)主要由兩個因素決定：1.光生載流子在耗盡層內(nèi)的漂移時間，2.與負載電阻并聯(lián)的結(jié)電容所決定的電路時間常數(shù)。等效電路本文檔共280頁；當前第143頁；編輯于星期三\21點1分伏安特性曲線反向偏置可以減小載流子的渡越時間有利于提高器件的靈敏度和響應(yīng)時間，但反向偏置電壓不能太高，以免雪崩擊穿。光敏二極管在無光照時的暗電流為二極管的反向飽和電流，光照時的光電流與反向飽和電流同方向。在較低的反向電壓作用下，光電流隨反向偏壓的變化比較明顯，因反向偏壓增加使結(jié)電場增強，提高了結(jié)區(qū)光生載流子的收集效率，當反向偏壓進一步增加時，光生載流子的收集接近極限，光電流接近飽和，此時二極管可視為恒流源，光電流取決于入射光功率。如圖3-24所示。本文檔共280頁；當前第144頁；編輯于星期三\21點1分噪聲特性光電二極管常用于微弱信號的探測，其噪聲主要包括散粒噪聲、和電阻的熱噪聲，信號輸出時應(yīng)遵循噪聲匹配原則。本文檔共280頁；當前第145頁；編輯于星期三\21點1分

P-i-N硅光敏二極管和雪崩光敏二極管

選擇高電阻率的基體材料(本征層），一定厚度的i層，具有高速響應(yīng)特性。i層所起的作用:(1)反偏電壓主要集中i區(qū)，光生電子-空穴立即被電場分離，快速漂移；（2）實際上增加了耗盡層厚度使結(jié)電容下降。（3）高電阻率的i層使暗電流明顯減小。本文檔共280頁；當前第146頁；編輯于星期三\21點1分PIN管的最大特點是頻帶寬，可達10GHz。另一特點是線性輸出范圍寬。缺點:

由于I層的存在，管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數(shù)微安。本文檔共280頁；當前第147頁；編輯于星期三\21點1分雪崩光敏二極管是借助強電場作用產(chǎn)生載流子倍增效應(yīng)的一種高速光電器件，由于存在因碰撞電離引起的內(nèi)增益機理，雪崩管具有高的增益和極快的時間響應(yīng)特性。本文檔共280頁；當前第148頁；編輯于星期三\21點1分

當光敏二極管的PN結(jié)上加相當大的反向偏壓時(10V，增大到160V)在結(jié)區(qū)產(chǎn)生一個很高的電場，使進入場區(qū)的光生載流子獲得足夠的能量，通過碰撞使晶格原子電離，而產(chǎn)生新的電子—空穴對。新的電子—空穴對在強電場的作用下分別向相反方向運動．在運動過程中，又有可能與原子碰撞再一次產(chǎn)生電子—空穴對。只要電場足夠強，此過程就將繼續(xù)下去，達到載流子的雪崩倍增。通常，雪崩光敏二極管的反向工作偏壓略低于擊穿電壓。本文檔共280頁；當前第149頁；編輯于星期三\21點1分雪崩光電二極管的

倍增電流、噪聲與偏壓的關(guān)系曲線本文檔共280頁；當前第150頁；編輯于星期三\21點1分在偏置電壓較低時的A點以左，不發(fā)生雪崩過程；隨著偏壓的逐漸升高，倍增電流逐漸增加從B點到c點增加很快，屬于雪崩倍增區(qū)；偏壓再繼續(xù)增大，將發(fā)生雪崩擊穿；同時噪聲也顯著增加，如圖中c點以上的區(qū)域。因此，最佳的偏壓工作區(qū)是c點以左，否則進入雪崩擊穿區(qū)燒壞管子。擊穿電壓會隨溫度漂移，必須根據(jù)環(huán)境溫度變化相應(yīng)調(diào)整工作電壓。本文檔共280頁；當前第151頁；編輯于星期三\21點1分雪崩光電二極管具有電流增益大，靈敏度高，頻率響應(yīng)快，帶寬可達100GHz。是目前響應(yīng)最快的一種光敏二極管。不需要后續(xù)龐大的放大電路等特點。因此它在微弱輻射信號的探測方向被廣泛地應(yīng)用。在設(shè)計雪崩光敏二極管時，要保證載流子在整個光敏區(qū)的均勻倍增，這就需要選擇無缺陷的材料，必須保持更高的工藝和保證結(jié)面的平整。其缺點是工藝要求高，穩(wěn)定性差，受溫度影響大。本文檔共280頁；當前第152頁；編輯于星期三\21點1分雪崩光電二極管與光電倍增管比較體積小結(jié)構(gòu)緊湊工作電壓低使用方便但其暗電流比光電倍增管的暗電流大，相應(yīng)的噪聲也較大故光電倍增管更適宜于弱光探測本文檔共280頁；當前第153頁；編輯于星期三\21點1分光敏二極管陣列

將光敏二極管以線列或面陣形式集合在一起，用來同時探測被測物體各部位提供的不同光信息，并將這些信息轉(zhuǎn)換為電信號的器件。本文檔共280頁；當前第154頁；編輯于星期三\21點1分光敏三極管（光電三極管）光電三極管是由光電二極管和一個晶體三極管構(gòu)成，相當于在晶體三極管的基極和集電極間并聯(lián)一個光電二極管。同光電二極管一樣，光電三極管外殼也有一個透明窗口，以接收光線照射。日前用得較多的是NPN和PNP兩種平面硅光電三極管。本文檔共280頁；當前第155頁；編輯于星期三\21點1分普通三極管的工作原理發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。因此，發(fā)射結(jié)勢壘減小，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子電子在正向電壓作用下，擴散到基區(qū)，形成發(fā)射極電流IE，其方向與電子流動方向相反。與此同時，基區(qū)空穴也擴散到發(fā)射區(qū)，但由于發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度比基區(qū)高得多，這部分空穴電流可忽略。由發(fā)射區(qū)來的電子注入基區(qū)后，在基區(qū)靠近發(fā)射結(jié)的邊界積累起來，在基區(qū)中形成了一定的濃度梯度，靠近發(fā)射結(jié)附近濃度最高，離發(fā)射結(jié)越遠濃度越小。電子向集電結(jié)方向擴散，在擴散過程中又會與基區(qū)中空穴復(fù)合，同時接在基區(qū)的電源正端不斷從基區(qū)拉走電子，好像不斷供給基區(qū)空穴。使基區(qū)的空穴濃度基本維持不變，形成基極電流IB.集電結(jié)勢壘增加，使集電結(jié)的電子和基區(qū)的空穴很難通過集電結(jié)，對基區(qū)擴散到集電結(jié)邊緣的電子卻有很強的吸引力，形成集電結(jié)電流IC。但基區(qū)中少數(shù)載流子電子和集電區(qū)少數(shù)載流子空穴在結(jié)電場作用下形成反向飽和電流，但很小。本文檔共280頁；當前第156頁；編輯于星期三\21點1分電流分配關(guān)系IE=IB+ICα=IC/IE(0.9-0.99)β=α/(1-α)≈IC/IBIE=IB(1+β)本文檔共280頁；當前第157頁；編輯于星期三\21點1分1.光電三極管工作原理NPN光電三極管（3DU型），基區(qū)和集電區(qū)處于反向偏置，光敏區(qū)是基區(qū)，管子的基極開路，光照基區(qū)產(chǎn)生電子空穴對，光生電子在內(nèi)電場作用下漂移到集電結(jié)，空穴留在基區(qū)，使基極與發(fā)射結(jié)的電位升高（發(fā)射結(jié)正向偏置），發(fā)射結(jié)便有大量電子經(jīng)基極流向集電結(jié)，光照越強，最后形成光電流越大。光電三極管不受光時，相當于普通三極管基極開路的狀態(tài)。集電結(jié)(基—集結(jié))處于反向偏置，基極電流等于0，因而集電極電流很小，為光電三極管的暗電流。本文檔共280頁；當前第158頁；編輯于星期三\21點1分與普通二極管不同的是，集電極電流是由基極-集電結(jié)上產(chǎn)生的光電流控制。集電結(jié)起雙重作用，把光信號變成電信號，起光電二極管作用，使光電流在放大，起一般晶體管作用。光電三極管等效于一個光電二極管與一般三極管基極-集電極結(jié)的并聯(lián)。一般基極不需外接點，所以通常只有集電極和發(fā)射極兩個引腳線。本文檔共280頁；當前第159頁；編輯于星期三\21點1分2.光電特性光電三極管與光電二極管相比，具有較高的輸出光電流，但線性差線性差主要是由電流放大倍數(shù)的非線性所致一般光敏三極管不能作線性轉(zhuǎn)換元件，但可以作開關(guān)元件使用。管不能作線性轉(zhuǎn)換元件，但可以作開關(guān)元件使用。光電三極管的光照特性本文檔共280頁；當前第160頁；編輯于星期三\21點1分3.光敏三極管的伏安特性

硅光電三極管的光電流在毫安量級，硅光電二極管的光電流在微安量級。在零偏壓時硅光電三極管沒有光電流輸出，光電三極管必須在一定的偏置電壓作用下才能工作，當偏壓達到5V時，集電結(jié)的收集能力達到極限，為此光電三極管應(yīng)工作在偏置電壓大于5V的線性區(qū)。

工作電壓較低時輸出電流有非線性，光電三極管的非線性更嚴重。（因為放大倍數(shù)與工作電壓有關(guān)）

本文檔共280頁；當前第161頁；編輯于星期三\21點1分硅光電三極管硅光電二極管本文檔共280頁；當前第162頁；編輯于星期三\21點1分4.4光敏三極管的溫度特性溫度特性反映光敏三極管的暗電流及光電流與溫度的關(guān)系。溫度變化對光電流和暗電流都有影響，對暗電流的影響更大。光電三極管的光電流和暗電流受溫度影響比光電二極管大得多本文檔共280頁；當前第163頁；編輯于星期三\21點1分

光敏三極管的（調(diào)制）頻率特性1.集電結(jié)和發(fā)射結(jié)電容的充、放電時間2.電子渡越基區(qū)所需要的時間3.電子掃過結(jié)勢壘區(qū)的渡越時間一般來說，光敏三極管的頻率響應(yīng)比光敏二極管差。光敏三極管的頻率特性受負載電阻的影響，減小負載電阻可以提高頻率響應(yīng)。對于鍺管，入射光的調(diào)制頻率要求在5000Hz以下，硅管的頻率響應(yīng)要比鍺管好。本文檔共280頁；當前第164頁；編輯于星期三\21點1分光敏三極管的應(yīng)用1.晶體管輸出方式2.集成光電器件達林頓輸出：有光照時可得到一個穩(wěn)定高增益的輸出電信號，利用光電三極管與多個三極管集成構(gòu)成的集成光電器件。本文檔共280頁；當前第165頁；編輯于星期三\21點1分第四章 發(fā)光、耦合和成像器件

4.1 發(fā)光二極管

4.2 激光器

4.3 光電耦合器件

4.4 CCD本文檔共280頁；當前第166頁；編輯于星期三\21點1分4.1 發(fā)光二極管發(fā)光二極管（LED）的類型發(fā)光二極管的原理發(fā)光二極管的特性發(fā)光二極管的應(yīng)用本文檔共280頁；當前第167頁；編輯于星期三\21點1分.發(fā)光二極管（LED）光源的分類：根據(jù)光源的光譜寬度，非相干光源與相干光源熱輻射光源:任何物體只要其溫度大于熱力學(xué)溫度會向外界輻射能量，輻射特性與溫度有關(guān)（白熾燈、鹵鎢燈）。發(fā)光光譜是連續(xù)的，光輻射由通電加熱產(chǎn)生。氣體放電光源：在電場作用下激勵出電子和離子，電子向陽極離子向陰極運動過程中獲得能量，再次與氣體分子或原子碰撞激勵出電子和離子，這一過程有些電子會躍遷到高能級，但不穩(wěn)定，自發(fā)的回到低能級，當回到低能級時伴隨光的輻射（汞燈、脈沖氙燈）。汞原子釋放出來的光子大部分在紫外區(qū)域，這些高能量的光子(紫外線)在和熒光粉的撞擊之間產(chǎn)生了白光。固體發(fā)光光源（發(fā)光二極管LED）。本文檔共280頁；當前第168頁；編輯于星期三\21點1分2.發(fā)光二極管（LED）的工作原理發(fā)光二極管是把電能直接轉(zhuǎn)換為光能的半導(dǎo)體器件，其基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，在施加正向電壓時，即管內(nèi)流過一定的電流后，在外電場作用下，P區(qū)的空穴和N區(qū)的電子向?qū)Ψ綌U散運動，構(gòu)成少數(shù)載流子的注入，從而在PN結(jié)附近產(chǎn)生導(dǎo)帶電子和價帶空穴的復(fù)合，在復(fù)合過程中，釋放與材料有關(guān)的復(fù)合能量光能表現(xiàn)出來。分類：表面發(fā)光SLED,側(cè)面發(fā)光ELED,常用在光通信中，易于做成與光纖耦合。平面LED,圓頂型LED由于功率小，價格低常用于顯示等方面。超輻射發(fā)光二極管MLD發(fā)光強度高，相干性好，常用于相干光通信中，但穩(wěn)定性差。本文檔共280頁；當前第169頁；編輯于星期三\21點1分3.發(fā)光二極管（LED）的特性光譜特性：發(fā)光二極管的材料不同，其發(fā)光光譜不同，即發(fā)光顏色不同，如圖3-37所示。響應(yīng)時間：響應(yīng)時間是指注入電流后發(fā)光二極管啟亮或熄滅時間，是表示反應(yīng)速度的一個重要參數(shù)，處決于材料的結(jié)構(gòu)。同時發(fā)光二極管有一定的開啟電壓。4.發(fā)光二極管（LED）的應(yīng)用指示、照明、顯示光源光電耦合器本文檔共280頁；當前第170頁；編輯于星期三\21點1分4.2 激光器激光器的結(jié)構(gòu)與原理激光器的種類激光器的特性參數(shù)激光器在光電檢測方面的應(yīng)用本文檔共280頁；當前第171頁；編輯于星期三\21點1分本文檔共280頁；當前第172頁；編輯于星期三\21點1分（P1、P2是兩個反射鏡的反射率，G是激活介質(zhì)的增益系數(shù)，A是介質(zhì)的損耗系數(shù)，），才能輸出穩(wěn)定的激光.另一方面，激光在諧振腔內(nèi)來回反射，只有這些光束兩兩之間在輸出端的相位差Δф=2qπq=1、2、3、4時，才能在輸出端產(chǎn)生加強干涉，